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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 0.33A SOT23
详细描述：表面贴装 P 沟道 330mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS83PH6327XTSA1
仓库库存编号：
BSS83PH6327XTSA1CT-ND
别名：BSS83P H6327CT
BSS83P H6327CT-ND
BSS83PH6327XTSA1CT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 80μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3-11
型号：
IPD30N06S2L13ATMA4
仓库库存编号：
IPD30N06S2L13ATMA4CT-ND
别名：IPD30N06S2L13ATMA4CT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 80μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD30N08S2L21ATMA1
仓库库存编号：
IPD30N08S2L21ATMA1CT-ND
别名：IPD30N08S2L-21CT
IPD30N08S2L-21CT-ND
IPD30N08S2L21ATMA1CT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 80μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 50A TO-252
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 50A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD127N06LGBTMA1
仓库库存编号：
IPD127N06LGBTMA1CT-ND
别名：IPD127N06LG
IPD127N06LGINCT
IPD127N06LGINCT-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 80μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 50A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 50A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3-11
型号：
IPD50N06S2L13ATMA2
仓库库存编号：
IPD50N06S2L13ATMA2-ND
别名：SP001063626
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 80μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 30V 80A（Tc） 150W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP80N03S2L-06
仓库库存编号：
SPP80N03S2L-06IN-ND
别名：SP000014061
SPP80N03S2L-06IN
SPP80N03S2L-06XTIN
SPP80N03S2L-06XTIN-ND
SPP80N03S2L06X
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 80μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 13A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
BSO4420
仓库库存编号：
BSO4420INCT-ND
别名：BSO4420INCT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 80μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 330MA SOT-23
详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 330mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS83PE6327
仓库库存编号：
BSS83PE6327INCT-ND
别名：BSS83PE6327INCT
BSS83PE6327XTINCT
BSS83PE6327XTINCT-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 80μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 50A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 50A（Tc） 115W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD04N03LA G
仓库库存编号：
IPD04N03LAGINCT-ND
别名：IPD04N03LAGINCT
IPD04N03LAINCT
IPD04N03LAINCT-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 80μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 80A（Tc） 150W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB80N03S2L-06
仓库库存编号：
SPB80N03S2L06INCT-ND
别名：SPB80N03S2L06INCT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 80μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 80A（Tc） 150W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB80N03S2L06T
仓库库存编号：
SPB80N03S2L06T-ND
别名：SP000016264
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 80μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 13A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
BSO4420T
仓库库存编号：
BSO4420XTINCT-ND
别名：BSO4420XTINCT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 80μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 50A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 25V 50A（Tc） 115W（Tc） PG-TO251-3
型号：
IPS04N03LA G
仓库库存编号：
IPS04N03LA G-ND
别名：IPS04N03LAGX
SP000016330
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 80μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 50A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 25V 50A（Tc） 115W（Tc） P-TO251-3
型号：
IPU04N03LA
仓库库存编号：
IPU04N03LA-ND
别名：SP000014621
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 80μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 50A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 25V 50A（Tc） 115W（Tc） PG-TO251-3
型号：
IPU04N03LA G
仓库库存编号：
IPU04N03LA G-ND
别名：IPU04N03LAGX
SP000017593
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 80μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 80A（Tc） 150W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB80N03S2L-06 G
仓库库存编号：
SPB80N03S2L-06 G-ND
别名：SP000200145
SPB80N03S2L06GXT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 80μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 30A（Tc） 136W（Tc） P-TO252-3
型号：
SPD30N06S2L-13
仓库库存编号：
SPD30N06S2L-13-ND
别名：SP000012478
SPD30N06S2L13T
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 80μA,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 30A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 30A（Tc） 136W（Tc） P-TO252-3
型号：
SPD30N08S2L-21
仓库库存编号：
SPD30N08S2L-21-ND
别名：SP000013152
SPD30N08S2L21T
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 80μA,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 50A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 50A（Tc） 136W（Tc） P-TO252-3
型号：
SPD50N06S2L-13
仓库库存编号：
SPD50N06S2L-13-ND
别名：SP000013568
SPD50N06S2L13T
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 80μA,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 30V 80A（Tc） 150W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
SPI80N03S2L-06
仓库库存编号：
SPI80N03S2L-06-ND
别名：SP000016265
SPI80N03S2L06X
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 80μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 100A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 24A（Ta），100A（Tc） 2.8W（Ta），78W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC029N025S G
仓库库存编号：
BSC029N025SGINCT-ND
别名：BSC029N025SG
BSC029N025SGINCT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 80μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 50A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 50A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD50N06S2L13ATMA1
仓库库存编号：
IPD50N06S2L13ATMA1TR-ND
别名：IPD50N06S2L-13
IPD50N06S2L-13-ND
SP000252172
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 80μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 330MA SOT-23
详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 330mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS83PL6327HTSA1
仓库库存编号：
BSS83PL6327HTSA1CT-ND
别名：BSS83PL6327CT-ND
BSS83PL6327CT_ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 80μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 0.33A SOT23
详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 330mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS83PL6327HTSA1
仓库库存编号：
BSS83P L6327-ND
别名：BSS83P L6327
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 80μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 30A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD30N06S2L-13
仓库库存编号：
IPD30N06S2L-13CT-ND
别名：IPD30N06S2L-13CT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 80μA,
无铅
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