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Texas Instruments
MOSFET N-CH 12V 2.1A 3PICOSTAR
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.1A（Ta） 500mW（Ta） 3-PICOSTAR
型号：
CSD13381F4
仓库库存编号：
296-38912-2-ND
别名：296-38912-2
CSD13381F4-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.1V @ 250μA,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET P-CH 20V 2A TO-236AB
详细描述：表面贴装 P 沟道 2A（Ta） 400mW（Ta），2.8W（Tc） TO-236AB（SOT23）
型号：
NX2301P,215
仓库库存编号：
1727-1148-1-ND
别名：1727-1148-1
568-10314-1
568-10314-1-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.1V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 6A 1206-8
详细描述：表面贴装 P 沟道 6A（Tc） 2.5W（Ta），6.3W（Tc） 1206-8 ChipFET?
型号：
SI5471DC-T1-GE3
仓库库存编号：
SI5471DC-T1-GE3CT-ND
别名：SI5471DC-T1-GE3CT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.1V @ 250μA,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 25V 60A 8SON
详细描述：表面贴装 N 沟道 21A（Ta），60A（Tc） 3W（Ta） 8-VSON（3.3x3.3）
型号：
CSD16340Q3
仓库库存编号：
296-25646-1-ND
别名：296-25646-1
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.1V @ 250μA,
含铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V TO-236AB
详细描述：表面贴装 N 沟道 400mA（Tc） 350mW（Ta），1.14W（Tc） TO-236AB（SOT23）
型号：
NX3008NBK,215
仓库库存编号：
1727-1220-1-ND
别名：1727-1220-1
568-10406-1
568-10406-1-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.1V @ 250μA,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET P-CH 30V TO-236AB
详细描述：表面贴装 P 沟道 230mA（Ta） 350mW（Ta），1.14W（Tc） TO-236AB（SOT23）
型号：
NX3008PBK,215
仓库库存编号：
1727-1281-1-ND
别名：1727-1281-1
568-10499-1
568-10499-1-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.1V @ 250μA,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET P-CH 30V SOT323
详细描述：表面贴装 P 沟道 200mA（Ta） 260mW（Ta），830mW（Tc） SOT-323-3
型号：
NX3008PBKW,115
仓库库存编号：
1727-1284-1-ND
别名：1727-1284-1
568-10503-1
568-10503-1-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.1V @ 250μA,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V SOT323
详细描述：表面贴装 N 沟道 350mA（Ta） 260mW（Ta），830mW（Tc） SOT-323-3
型号：
NX3008NBKW,115
仓库库存编号：
1727-1280-1-ND
别名：1727-1280-1
568-10498-1
568-10498-1-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.1V @ 250μA,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 20V 230MA DFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 230mA（Ta） 350mW（Ta） X2-DFN1006-3
型号：
DMN26D0UFB4-7
仓库库存编号：
DMN26D0UFB4-7DICT-ND
别名：DMN26D0UFB4-7DICT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.1V @ 250μA,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET 2N-CH 30V 0.35A 6TSSOP
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 350mA 445mW Surface Mount 6-TSSOP
型号：
NX3008NBKS,115
仓库库存编号：
1727-1221-1-ND
别名：1727-1221-1
568-10407-1
568-10407-1-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.1V @ 250μA,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N/P-CH 30V 6TSSOP
详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 350mA, 200mA 445mW Surface Mount 6-TSSOP
型号：
NX3008CBKS,115
仓库库存编号：
1727-1278-1-ND
别名：1727-1278-1
568-10495-1
568-10495-1-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.1V @ 250μA,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 30V 530MA SOT23
详细描述：表面贴装 P 沟道 530mA（Ta） 450mW（Ta） SOT-23
型号：
DMP31D0U-7
仓库库存编号：
DMP31D0U-7DICT-ND
别名：DMP31D0U-7DICT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.1V @ 250μA,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET 2N-CH 30V 0.4A SOT666
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 400mA 500mW Surface Mount SOT-666
型号：
NX3008NBKV,115
仓库库存编号：
1727-1149-1-ND
别名：1727-1149-1
568-10315-1
568-10315-1-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.1V @ 250μA,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 30V 540MA 3DFN
详细描述：表面贴装 P 沟道 540mA（Ta） 460mW（Ta） X2-DFN1006-3
型号：
DMP31D0UFB4-7B
仓库库存编号：
DMP31D0UFB4-7BDICT-ND
别名：DMP31D0UFB4-7BDICT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.1V @ 250μA,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA
详细描述：表面贴装 N 沟道 1.6A（Ta） 1.2W（Ta） 4-DSBGA（1x1）
型号：
CSD13201W10
仓库库存编号：
296-41412-1-ND
别名：296-41412-1
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.1V @ 250μA,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 12V 2.1A 3PICOSTAR
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.1A（Ta） 500mW（Ta） 3-PICOSTAR
型号：
CSD13381F4T
仓库库存编号：
296-37779-1-ND
别名：296-37779-1
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.1V @ 250μA,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 30V 1.5A 3PICOSTAR
详细描述：表面贴装 N 沟道 1.5A（Ta） 500mW（Ta） 3-PICOSTAR
型号：
CSD17483F4T
仓库库存编号：
296-37781-1-ND
别名：296-37781-1
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.1V @ 250μA,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 30V 3.1A 0402
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.1A（Ta） 500mW（Ta） 3-PICOSTAR
型号：
CSD17381F4T
仓库库存编号：
296-37780-1-ND
别名：296-37780-1
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.1V @ 250μA,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET 2P-CH 20V 1.6A 6WLP
详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) Common Source 20V 1.6A 750mW Surface Mount 6-DSBGA
型号：
CSD75208W1015
仓库库存编号：
296-38339-1-ND
别名：296-38339-1
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.1V @ 250μA,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 20V 10A 8SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 10A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SOP
型号：
DMP2022LSS-13
仓库库存编号：
DMP2022LSS-13DICT-ND
别名：DMP2022LSS-13DICT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.1V @ 250μA,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 8V 10A U-WLB1515-9
详细描述：表面贴装 P 沟道 10A（Ta） 890mW（Ta） U-WLB1515-9
型号：
DMP1011UCB9-7
仓库库存编号：
DMP1011UCB9-7DICT-ND
别名：DMP1011UCB9-7DICT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.1V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 40A 1212-8S
详细描述：表面贴装 P 沟道 40A（Tc） 4.8W（Ta），57W（Tc） PowerPAK? 1212-8S（3.3x3.3）
型号：
SI7655ADN-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7655ADN-T1-GE3CT-ND
别名：SI7655ADN-T1-GE3CT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.1V @ 250μA,
无铅
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Central Semiconductor Corp
MOSFET P-CH 20V 0.1A SOT883
详细描述：表面贴装 P 沟道 100mA（Ta） 100mW（Ta） SOT-883VL
型号：
CEDM8001VL TR
仓库库存编号：
CEDM8001VL CT-ND
别名：CEDM8001VL CT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.1V @ 250μA,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 20V 6.5A 8-SO
详细描述：表面贴装 P 沟道 6.5A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
DMP2038USS-13
仓库库存编号：
DMP2038USS-13DICT-ND
别名：DMP2038USS-13DICT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.1V @ 250μA,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 20V 6.2A 6DFN
详细描述：表面贴装 P 沟道 6.2A（Ta） 660mW（Ta） U-DFN2020-6（E 类）
型号：
DMP2066UFDE-7
仓库库存编号：
DMP2066UFDE-7DICT-ND
别名：DMP2066UFDE-7DICT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.1V @ 250μA,
无铅
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