规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.8V @ 400μA,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(10)
分立半导体产品
(10)
筛选品牌
Infineon Technologies (10)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.8A(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP295H6327XTSA1
仓库库存编号:
BSP295H6327XTSA1CT-ND
别名:BSP295H6327XTSA1CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.8V @ 400μA,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 660mA(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP297H6327XTSA1
仓库库存编号:
BSP297H6327XTSA1CT-ND
别名:BSP297H6327XTSA1CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.8V @ 400μA,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 1.8A(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP295E6327
仓库库存编号:
BSP295INCT-ND
别名:BSP295INCT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.8V @ 400μA,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 1.1A(Ta) 1.79W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP296E6327
仓库库存编号:
BSP296INCT-ND
别名:BSP296INCT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.8V @ 400μA,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 1.8A(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP295E6327T
仓库库存编号:
BSP295XTINCT-ND
别名:BSP295XTINCT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.8V @ 400μA,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 1.1A(Ta) 1.79W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP296 E6433
仓库库存编号:
BSP296 E6433-ND
别名:BSP296E6433T
SP000011107
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.8V @ 400μA,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 660mA(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP297 E6327
仓库库存编号:
BSP297 E6327-ND
别名:BSP297E6327T
SP000011108
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.8V @ 400μA,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 1.8A(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP295L6327HTSA1
仓库库存编号:
BSP295L6327HTSA1CT-ND
别名:BSP295L6327
BSP295L6327INCT
BSP295L6327INCT-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.8V @ 400μA,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 1.1A(Ta) 1.79W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP296L6327HTSA1
仓库库存编号:
BSP296L6327HTSA1CT-ND
别名:BSP296L6327INCT
BSP296L6327INCT-ND
BSP296XTINCT
BSP296XTINCT-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.8V @ 400μA,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 660mA(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP297L6327HTSA1
仓库库存编号:
BSP297L6327HTSA1CT-ND
别名:BSP297L6327
BSP297L6327INCT
BSP297L6327INCT-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.8V @ 400μA,
无铅
搜索
1
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号