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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 20V 1.3A 3DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.3A（Ta） 500mW（Ta） X2-DFN1006-3
  
  型号：DMN2300UFB4-7B
  仓库库存编号：DMN2300UFB4-7BDICT-ND
  别名：DMN2300UFB4-7BDICT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 950mV @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.2A（Ta） 700mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：SI2301BDS-T1-E3
  仓库库存编号：SI2301BDS-T1-E3CT-ND
  别名：SI2301BDS-T1-E3CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 950mV @ 250μA,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 20V 1.24A SOT23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.24A（Ta） 430mW（Ta） SOT-23
  
  型号：DMN2300U-7
  仓库库存编号：DMN2300U-7DICT-ND
  别名：DMN2300U-7DICT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 950mV @ 250μA,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFN
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 600mA 265mW Surface Mount 6-DFN (1.1x1)
  
  型号：PMDXB600UNE
  仓库库存编号：1727-1470-1-ND
  别名：1727-1470-1
  568-10941-1
  568-10941-1-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 950mV @ 250μA,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V SGL XQFN3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 900mA（Ta） 350mW（Ta），5.43W（Tc） DFN1006B-3
  
  型号：PMZB390UNEYL
  仓库库存编号：1727-2330-1-ND
  别名：1727-2330-1
  568-12616-1
  568-12616-1-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 950mV @ 250μA,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 20V SOT883
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.8A（Ta） 350mW（Ta）, 6.25W（Tc） DFN1006-3
  
  型号：PMZ130UNEYL
  仓库库存编号：1727-2316-1-ND
  别名：1727-2316-1
  568-12602-1
  568-12602-1-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 950mV @ 250μA,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V SOT883
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.4A（Ta） 350mW（Ta）, 6.25W（Tc） DFN1006B-3
  
  型号：PMZB200UNEYL
  仓库库存编号：1727-2327-1-ND
  别名：1727-2327-1
  568-12613-1
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  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 950mV @ 250μA,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 20V 0.6A XQFN3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600mA（Ta） 360mW（Ta），2.7W（Tc） DFN1006-3
  
  型号：PMZ600UNEYL
  仓库库存编号：1727-2323-1-ND
  别名：1727-2323-1
  568-12609-1
  568-12609-1-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 950mV @ 250μA,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET P-CH 30V SOT883
  详细描述：表面贴装 P 沟道 1A（Ta） 350mW（Ta）, 6.25W（Tc） DFN1006-3
  
  型号：PMZ320UPEYL
  仓库库存编号：1727-2319-1-ND
  别名：1727-2319-1
  568-12605-1
  568-12605-1-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 950mV @ 250μA,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET P-CH 20V 1.2A TO-236AB
  详细描述：表面贴装 P 沟道 1.2A（Ta） 335mW（Ta），2.17W（Tc） TO-236AB（SOT23）
  
  型号：PMV160UP,215
  仓库库存编号：1727-1152-1-ND
  别名：1727-1152-1
  568-10320-1
  568-10320-1-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 950mV @ 250μA,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET P-CH 20V 2A SOT23
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2A（Ta） 480mW（Ta） TO-236AB（SOT23）
  
  型号：BSH205G2R
  仓库库存编号：1727-2247-1-ND
  别名：1727-2247-1
  568-12533-1
  568-12533-1-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 950mV @ 250μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4.3A（Ta） 1.3W（Ta） Micro3?/SOT-23
  
  型号：IRLML6401TRPBF
  仓库库存编号：IRLML6401PBFCT-ND
  别名：*IRLML6401TRPBF
  IRLML6401PBFCT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 950mV @ 250μA,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SOT666
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 800mA 500mW Surface Mount SOT-666
  
  型号：PMDT290UNE,115
  仓库库存编号：1727-1333-1-ND
  别名：1727-1333-1
  568-10766-1
  568-10766-1-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 950mV @ 250μA,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET P-CH 20V 4.5A SOT23
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4.5A（Ta） 490mW（Ta）, 4.15W（Tc） TO-236AB（SOT23）
  
  型号：PMV27UPER
  仓库库存编号：1727-2304-1-ND
  别名：1727-2304-1
  568-12590-1
  568-12590-1-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 950mV @ 250μA,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 30V 750MA SOT23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 750mA（Ta） 450mW（Ta） SOT-23
  
  型号：DMN3730U-7
  仓库库存编号：DMN3730U-7DICT-ND
  别名：DMN3730U-7DICT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 950mV @ 250μA,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET P-CH 20V 7.9A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 7.9A（Tc） 5W（Tc） 8-SO
  
  型号：PMK50XP,518
  仓库库存编号：1727-7205-1-ND
  别名：1727-7205-1
  568-9696-1
  568-9696-1-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 950mV @ 250μA,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 30V 750MA DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 750mA（Ta） 470mW（Ta） X2-DFN1006-3
  
  型号：DMN3730UFB4-7
  仓库库存编号：DMN3730UFB4-7CT-ND
  别名：DMN3730UFB4-7CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 950mV @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 3.77A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.77A（Ta） 750mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：SI2314EDS-T1-E3
  仓库库存编号：SI2314EDS-T1-E3CT-ND
  别名：SI2314EDS-T1-E3CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 950mV @ 250μA,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 12V 6.6A 6-UFDFN
  详细描述：表面贴装 P 沟道 6.6A（Ta） 613mW（Ta） X1-DFN1616-6（E 类）
  
  型号：DMP1245UFCL-7
  仓库库存编号：DMP1245UFCL-7DICT-ND
  别名：DMP1245UFCL-7DICT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 950mV @ 250μA,
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• Texas Instruments
  MOSFET P-CH 8V 9DSBGA
  详细描述：表面贴装 P 沟道 5A（Ta） 1.7W（Ta） 9-DSBGA
  
  型号：CSD22204WT
  仓库库存编号：296-41137-1-ND
  别名：296-41137-1
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 950mV @ 250μA,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET 2N-CH 20V 2.11A 6DFN
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 2.11A 530mW Surface Mount X2-DFN1310-6
  
  型号：DMN2300UFL4-7
  仓库库存编号：DMN2300UFL4-7DICT-ND
  别名：DMN2300UFL4-7DICT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 950mV @ 250μA,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET P-CH 30V SOT883
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 410mA（Ta） 310mW（Ta）, 1.67W（Tc） DFN1006-3
  
  型号：PMZ1200UPEYL
  仓库库存编号：1727-2315-1-ND
  别名：1727-2315-1
  568-12601-1
  568-12601-1-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 950mV @ 250μA,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET P-CH 30V SOT883
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 410mA（Ta） 310mW（Ta）, 1.67W（Tc） DFN1006B-3
  
  型号：PMZB1200UPEYL
  仓库库存编号：1727-2325-1-ND
  别名：1727-2325-1
  568-12611-1
  568-12611-1-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 950mV @ 250μA,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 20V 1.2A XQFN3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 1.2A（Ta） 350mW（Ta），5.43W（Tc） DFN1006B-3
  
  型号：PMZB290UNE2YL
  仓库库存编号：1727-2328-1-ND
  别名：1727-2328-1
  568-12614-1
  568-12614-1-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 950mV @ 250μA,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 20V SOT883
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 1.5A（Ta） 350mW（Ta）, 6.25W（Tc） DFN1006B-3
  
  型号：PMZB150UNEYL
  仓库库存编号：1727-2326-1-ND
  别名：1727-2326-1
  568-12612-1
  568-12612-1-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 950mV @ 250μA,
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