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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 20V 1.32A 3DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.32A(Ta) 468mW(Ta) X1-DFN1006-3
型号:
DMN2300UFB-7B
仓库库存编号:
DMN2300UFB-7BDI-ND
别名:DMN2300UFB-7BDI
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 950mV @ 250μA,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET P-CH 20V 1.2A DFN1010D-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 1.2A(Ta) 360mW(Ta),5.68W(Tc) DFN1010D-3
型号:
PMXB350UPEZ
仓库库存编号:
PMXB350UPEZ-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 950mV @ 250μA,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET P-CH 20V SC-74
详细描述:表面贴装 P 沟道 4.7A(Ta) 500mW(Ta),8.33W(Tc) 6-TSOP
型号:
PMN40UPEAX
仓库库存编号:
PMN40UPEAX-ND
别名:934068549115
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 950mV @ 250μA,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6HUSON
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 2.9A 515mW Surface Mount DFN2020-6
型号:
PMDPB85UPE,115
仓库库存编号:
1727-1239-1-ND
别名:1727-1239-1
568-10444-1
568-10444-1-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 950mV @ 250μA,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8TSSOP
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 20V 5.2A 1W Surface Mount 8-TSSOP
型号:
DMG6968UTS-13
仓库库存编号:
DMG6968UTS-13DI-ND
别名:DMG6968UTS-13DI
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 950mV @ 250μA,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET 2P-CH 20V 0.5A 6DFN
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 500mA 265mW Surface Mount 6-DFN (1.1x1)
型号:
PMDXB950UPE
仓库库存编号:
1727-1471-1-ND
别名:1727-1471-1
568-10942-1
568-10942-1-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 950mV @ 250μA,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N/P-CH 20V 0.6A/0.5A 6DFN
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel Complementary 20V 600mA, 500mA 265mW Surface Mount 6-DFN (1.1x1)
型号:
PMCXB900UEZ
仓库库存编号:
PMCXB900UEZ-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 950mV @ 250μA,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET P-CH 8V 5A
详细描述:表面贴装 P 沟道 5A(Ta) 1.7W(Ta) 9-DSBGA
型号:
CSD22204W
仓库库存编号:
CSD22204W-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 950mV @ 250μA,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET P-CH 20V 5.7A 6TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 5.7A(Ta) 540mW(Ta),6.25W(Tc) 6-TSOP
型号:
PMN27UP,115
仓库库存编号:
1727-1355-1-ND
别名:1727-1355-1
568-10797-1
568-10797-1-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 950mV @ 250μA,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET P-CH 20V SC-74
详细描述:P 沟道 5.7A(Ta) 540mW(Ta),6.25W(Tc) 6-TSOP
型号:
PMN27UPH
仓库库存编号:
PMN27UPH-ND
别名:934064768125
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 950mV @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 3.77A SOT23-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.77A(Ta) 750mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SI2314EDS-T1-GE3
仓库库存编号:
SI2314EDS-T1-GE3-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 950mV @ 250μA,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 20V 2.28A SOT883
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 2.28A(Tc) 2.5W(Tc) DFN1006-3
型号:
PMZ250UN,315
仓库库存编号:
568-6775-1-ND
别名:568-6775-1
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 950mV @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 1.32A SOT563F
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 236mW(Ta) SC-89-6
型号:
SI1056X-T1-E3
仓库库存编号:
SI1056X-T1-E3CT-ND
别名:SI1056X-T1-E3CT
SI1056XT1E3
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 950mV @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 12V 1.18A SOT563F
详细描述:表面贴装 P 沟道 12V 236mW(Ta) SC-89-6
型号:
SI1065X-T1-E3
仓库库存编号:
SI1065X-T1-E3CT-ND
别名:SI1065X-T1-E3CT
SI1065XT1E3
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 950mV @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 1.06A SOT563F
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 236mW(Ta) SC-89-6
型号:
SI1067X-T1-E3
仓库库存编号:
SI1067X-T1-E3CT-ND
别名:SI1067X-T1-E3CT
SI1067XT1E3
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 950mV @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 6.1A SC70-6
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 6.1A(Tc) 1.5W(Ta),2.8W(Tc) SC-70-6(SOT-363)
型号:
SI1488DH-T1-E3
仓库库存编号:
SI1488DH-T1-E3CT-ND
别名:SI1488DH-T1-E3CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 950mV @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 12V 3.6A 2X2 4-MFP
详细描述:表面贴装 P 沟道 12V 3.6A(Ta) 1.47W(Ta) 4-Microfoot
型号:
SI8405DB-T1-E1
仓库库存编号:
SI8405DB-T1-E1CT-ND
别名:SI8405DB-T1-E1CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 950mV @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 1.06A SC89-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 236mW(Ta) SC-89-6
型号:
SI1067X-T1-GE3
仓库库存编号:
SI1067X-T1-GE3-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 950mV @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 0.606A SC75-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 250mW(Ta) SC-75A
型号:
SI1046R-T1-GE3
仓库库存编号:
SI1046R-T1-GE3CT-ND
别名:SI1046R-T1-GE3CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 950mV @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 0.606A SC89-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 250mW(Ta) SC-89-3
型号:
SI1046X-T1-GE3
仓库库存编号:
SI1046X-T1-GE3CT-ND
别名:SI1046X-T1-GE3CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 950mV @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 12V 1.18A SC89-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 12V 236mW(Ta) SC-89-6
型号:
SI1065X-T1-GE3
仓库库存编号:
SI1065X-T1-GE3CT-ND
别名:SI1065X-T1-GE3CT
SI1065XT1GE3
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 950mV @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V SC-89-6
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 236mW(Ta) SC-89-6
型号:
SI1056X-T1-GE3
仓库库存编号:
SI1056X-T1-GE3CT-ND
别名:SI1056X-T1-GE3CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 950mV @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 8V 1.6A SC-70-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 8V 1.6A(Tc) 1.47W(Ta),2.27W(Tc) SC-70-6(SOT-363)
型号:
SI1405BDH-T1-GE3
仓库库存编号:
SI1405BDH-T1-GE3CT-ND
别名:SI1405BDH-T1-GE3CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 950mV @ 250μA,
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MOSFET N-CH 20V 0.606A SC75-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 250mW(Ta) SC-75A
型号:
SI1046R-T1-E3
仓库库存编号:
SI1046R-T1-E3-ND
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 8V 1.6A SOT363
详细描述:表面贴装 P 沟道 8V 1.6A(Tc) 1.47W(Ta),2.27W(Tc) SC-70-6(SOT-363)
型号:
SI1405BDH-T1-E3
仓库库存编号:
SI1405BDH-T1-E3-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 950mV @ 250μA,
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