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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 100V 9.4A 8TSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 9.4A（Tc） 700mW（Ta），27W（Tc） 8-TSON Advance（3.3x3.3）
型号：
TPN3300ANH,LQ
仓库库存编号：
TPN3300ANHLQCT-ND
别名：TPN3300ANHLQCT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 100μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 56A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 56A（Tc） 110W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR1018ETRPBF
仓库库存编号：
IRFR1018ETRPBFCT-ND
别名：IRFR1018ETRPBFCT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 100μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 56A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 56A（Tc） 140W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR3607TRPBF
仓库库存编号：
IRFR3607TRPBFCT-ND
别名：IRFR3607TRPBFCT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 100μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 100V 56A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 56A（Tc） 143W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR4510TRPBF
仓库库存编号：
IRFR4510TRPBFCT-ND
别名：IRFR4510TRPBFCT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 100μA,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 12A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 90W（Tc） D2PAK
型号：
STB14NM50N
仓库库存编号：
497-10644-1-ND
别名：497-10644-1
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 100μA,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 12A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 25W（Tc） TO-220FP
型号：
STF14NM50N
仓库库存编号：
497-12569-5-ND
别名：497-12569-5
STF14NM50N-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 100μA,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 100V 7A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Ta） 50W（Tc） DPAK+
型号：
TK7S10N1Z,LQ
仓库库存编号：
TK7S10N1ZLQCT-ND
别名：TK7S10N1ZLQCT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 100μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 75A（Tc） 140W（Tc） D2PAK
型号：
IRF1010EZSTRLP
仓库库存编号：
IRF1010EZSTRLPCT-ND
别名：IRF1010EZSTRLPCT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 100μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 79A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 79A（Tc） 110W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF1018EPBF
仓库库存编号：
IRF1018EPBF-ND
别名：SP001574502
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 100μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 73A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 73A（Tc） 190W（Tc） D2PAK
型号：
IRFS4610TRLPBF
仓库库存编号：
IRFS4610TRLPBFCT-ND
别名：IRFS4610TRLPBFCT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 100μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 73A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 73A（Tc） 190W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFB4610PBF
仓库库存编号：
IRFB4610PBF-ND
别名：*IRFB4610PBF
SP001570704
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 100μA,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 12A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 90W（Tc） TO-220
型号：
STP14NM50N
仓库库存编号：
497-10650-5-ND
别名：497-10650-5
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 100μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 79A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 79A（Tc） 110W（Tc） D2PAK
型号：
IRF1018ESTRLPBF
仓库库存编号：
IRF1018ESTRLPBFCT-ND
别名：IRF1018ESTRLPBFCT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 100μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 100V 62A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 62A（Tc） 140W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFB4510PBF
仓库库存编号：
IRFB4510PBF-ND
别名：SP001566724
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 100μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 80A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 140W（Tc） TO-262
型号：
IRFSL3607PBF
仓库库存编号：
IRFSL3607PBF-ND
别名：SP001565218
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 100μA,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N CH 500V 12A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 90W（Tc） I2PAK
型号：
STI14NM50N
仓库库存编号：
497-13534-ND
别名：497-13534
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 100μA,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 16A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Tc） 125W（Tc） D2PAK
型号：
STB22NM60N
仓库库存编号：
497-10298-1-ND
别名：497-10298-1
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 100μA,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 60V 9A 8-TSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Ta） 700mW（Ta），18W（Tc） 8-TSON Advance（3.3x3.3）
型号：
TPN22006NH,LQ
仓库库存编号：
TPN22006NHLQCT-ND
别名：TPN22006NHLQCT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 100μA,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 80V 9.6A 8TSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 9.6A（Tc） 700mW（Ta），27W（Tc） 8-TSON Advance（3.3x3.3）
型号：
TPN30008NH,LQ
仓库库存编号：
TPN30008NHLQCT-ND
别名：TPN30008NHLQCT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 100μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 75A 8PQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Ta），75A（Tc） 4.4W（Ta），125W（Tc） PQFN（5x6）
型号：
AUIRFN7107TR
仓库库存编号：
AUIRFN7107CT-ND
别名：AUIRFN7107CT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 100μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 75A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 75A（Tc） 140W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF1010EZPBF
仓库库存编号：
IRF1010EZPBF-ND
别名：*IRF1010EZPBF
SP001571244
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 100μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 80A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 140W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFB3607PBF
仓库库存编号：
IRFB3607PBF-ND
别名：64-0093PBF
64-0093PBF-ND
SP001551746
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 100μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 56A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 56A（Tc） 140W（Tc） IPAK（TO-251）
型号：
IRFU3607PBF
仓库库存编号：
IRFU3607PBF-ND
别名：64-4147PBF
64-4147PBF-ND
SP001557738
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 100μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 100V 35A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 35A（Tc） 42W（Tc） TO-220AB 整包
型号：
IRFI4510GPBF
仓库库存编号：
IRFI4510GPBF-ND
别名：SP001566752
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 100μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 42A（Tc） 140W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR1010ZPBF
仓库库存编号：
IRFR1010ZPBF-ND
别名：*IRFR1010ZPBF
SP001578020
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 100μA,
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