规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 100μA,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(94)
分立半导体产品
(94)
筛选品牌
Infineon Technologies (72)
IXYS (10)
STMicroelectronics (8)
Toshiba Semiconductor and Storage (4)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
IXYS
MOSFET N-CH 85V 88A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 85V 88A(Tc) 230W(Tc) TO-263(IXTA)
型号:
IXTA88N085T
仓库库存编号:
IXTA88N085T-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 100μA,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 85V 88A TO-263-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 85V 88A(Tc) 230W(Tc) TO-263-7(IXTA..7)
型号:
IXTA88N085T7
仓库库存编号:
IXTA88N085T7-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 100μA,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 75V 98A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 98A(Tc) 230W(Tc) TO-263(IXTA)
型号:
IXTA98N075T
仓库库存编号:
IXTA98N075T-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 100μA,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 85V 88A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 85V 88A(Tc) 230W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP88N085T
仓库库存编号:
IXTP88N085T-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 100μA,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 75V 98A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 75V 98A(Tc) 230W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP98N075T
仓库库存编号:
IXTP98N075T-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 100μA,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 75A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 60V 75A(Tc) 140W(Tc) TO-262
型号:
IRF1010EZL
仓库库存编号:
IRF1010EZL-ND
别名:*IRF1010EZL
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 100μA,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 75A(Tc) 140W(Tc) D2PAK
型号:
IRF1010EZS
仓库库存编号:
IRF1010EZS-ND
别名:*IRF1010EZS
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 100μA,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 75A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60V 75A(Tc) 140W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF1010EZ
仓库库存编号:
IRF1010EZ-ND
别名:*IRF1010EZ
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 100μA,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 97A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 75V 97A(Tc) 190W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB3507
仓库库存编号:
IRFB3507-ND
别名:*IRFB3507
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 100μA,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 97A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 75V 97A(Tc) 190W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB3507PBF
仓库库存编号:
IRFB3507PBF-ND
别名:*IRFB3507PBF
SP001565920
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 100μA,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 73A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 100V 73A(Tc) 190W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB4610
仓库库存编号:
IRFB4610-ND
别名:*IRFB4610
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 100μA,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 73A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 73A(Tc) 190W(Tc) D2PAK
型号:
IRFS4610
仓库库存编号:
IRFS4610-ND
别名:*IRFS4610
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 100μA,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 97A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 75V 97A(Tc) 190W(Tc) TO-262
型号:
IRFSL3507
仓库库存编号:
IRFSL3507-ND
别名:*IRFSL3507
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 100μA,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 73A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 100V 73A(Tc) 190W(Tc) TO-262
型号:
IRFSL4610
仓库库存编号:
IRFSL4610-ND
别名:*IRFSL4610
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 100μA,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 73A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 100V 73A(Tc) 190W(Tc) TO-262
型号:
IRFSL4610PBF
仓库库存编号:
IRFSL4610PBF-ND
别名:*IRFSL4610PBF
SP001578448
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 100μA,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 42A(Tc) 140W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR1010Z
仓库库存编号:
IRFR1010Z-ND
别名:*IRFR1010Z
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 100μA,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 42A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 42A(Tc) 110W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR2307Z
仓库库存编号:
IRFR2307Z-ND
别名:*IRFR2307Z
SP001552080
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 100μA,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 97A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 97A(Tc) 190W(Tc) D2PAK
型号:
IRFS3507
仓库库存编号:
IRFS3507-ND
别名:*IRFS3507
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 100μA,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 42A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 55V 42A(Tc) 140W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU1010Z
仓库库存编号:
IRFU1010Z-ND
别名:*IRFU1010Z
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 100μA,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 42A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 42A(Tc) 110W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR2307ZPBF
仓库库存编号:
IRFR2307ZPBF-ND
别名:*IRFR2307ZPBF
SP001564942
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 100μA,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 42A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 55V 42A(Tc) 140W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU1010ZPBF
仓库库存编号:
IRFU1010ZPBF-ND
别名:*IRFU1010ZPBF
SP001567720
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 100μA,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 75A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 60V 75A(Tc) 140W(Tc) TO-262
型号:
IRF1010EZLPBF
仓库库存编号:
IRF1010EZLPBF-ND
别名:*IRF1010EZLPBF
SP001574512
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 100μA,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 42A(Tc) 140W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR1010ZTRRPBF
仓库库存编号:
IRFR1010ZTRRPBF-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 100μA,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 79A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 60V 79A(Tc) 110W(Tc) TO-262
型号:
IRF1018ESLPBF
仓库库存编号:
IRF1018ESLPBF-ND
别名:SP001550908
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 100μA,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 56A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 60V 56A(Tc) 110W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU1018EPBF
仓库库存编号:
IRFU1018EPBF-ND
别名:SP001565188
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 100μA,
无铅
搜索
1
2
3
4
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号