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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 55A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Ta），55A（Tc） 2.5W（Ta），66W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC123N08NS3GATMA1
  仓库库存编号：BSC123N08NS3GATMA1CT-ND
  别名：BSC123N08NS3 GCT
  BSC123N08NS3 GCT-ND
  BSC123N08NS3GATMA1CT-NDTR-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 33μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 42A 8TDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8.8A（Ta），42A（Tc） 60W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC160N10NS3GATMA1
  仓库库存编号：BSC160N10NS3GATMA1CT-ND
  别名：BSC160N10NS3 GINCT
  BSC160N10NS3 GINCT-ND
  BSC160N10NS3GATMA1CT-NDTR-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 33μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 40A TSDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），66W（Tc） PG-TSDSON-8
  
  型号：BSZ123N08NS3 G
  仓库库存编号：BSZ123N08NS3GINCT-ND
  别名：BSZ123N08NS3GINCT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 33μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 43A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 43A（Tc） 71W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP180N10N3GXKSA1
  仓库库存编号：IPP180N10N3GXKSA1-ND
  别名：IPP180N10N3 G
  IPP180N10N3 G-ND
  IPP180N10N3G
  SP000683090
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 33μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 45A
  详细描述：N 沟道 45A（Tc） 79W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD135N08N3GATMA1
  仓库库存编号：IPD135N08N3GATMA1CT-ND
  别名：IPD135N08N3GATMA1CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 33μA,
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• Infineon Technologies
  MV POWER MOS
  详细描述：表面贴装 N 沟道 43A（Tc） 71W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD180N10N3GATMA1
  仓库库存编号：IPD180N10N3GATMA1TR-ND
  别名：IPD180N10N3GATMA1-ND
  IPD180N10N3GATMA1TR
  SP000900132
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 33μA,
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• Infineon Technologies
  MV POWER MOS
  详细描述：表面贴装 N 沟道 43A（Tc） 71W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD180N10N3GATMA1
  仓库库存编号：IPD180N10N3GATMA1CT-ND
  别名：IPD180N10N3GATMA1CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 33μA,
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• Infineon Technologies
  MV POWER MOS
  详细描述：表面贴装 N 沟道 43A（Tc） 71W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD180N10N3GATMA1
  仓库库存编号：IPD180N10N3GATMA1DKR-ND
  别名：IPD180N10N3GATMA1DKR
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 33μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 50A TO251-3
  详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 79W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPU135N08N3 G
  仓库库存编号：IPU135N08N3 G-ND
  别名：IPU135N08N3G
  IPU135N08N3GBKMA1
  SP000521642
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 33μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V SAWN BARE DIE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 1A（Tj） 带箔切割晶片
  
  型号：IPC045N10N3X1SA1
  仓库库存编号：IPC045N10N3X1SA1-ND
  别名：SP000900304
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 33μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 43A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 43A（Tc） 71W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI180N10N3GXKSA1
  仓库库存编号：IPI180N10N3GXKSA1-ND
  别名：IPI180N10N3 G
  IPI180N10N3 G-ND
  IPI180N10N3G
  SP000683076
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 33μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 45A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 45A（Tc） 79W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD135N08N3GBTMA1
  仓库库存编号：IPD135N08N3GBTMA1TR-ND
  别名：IPD135N08N3 G
  IPD135N08N3 G-ND
  SP000454266
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 33μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 45A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 80V 45A（Tc） 79W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI139N08N3GHKSA1
  仓库库存编号：IPI139N08N3GHKSA1-ND
  别名：IPI139N08N3 G
  IPI139N08N3 G-ND
  SP000457714
  SP000680716
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 33μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 45A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 80V 45A（Tc） 79W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP139N08N3 G
  仓库库存编号：IPP139N08N3 G-ND
  别名：IPP139N08N3G
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 33μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 45A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 45A（Tc） 79W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB136N08N3 G
  仓库库存编号：IPB136N08N3 GCT-ND
  别名：IPB136N08N3 GCT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 33μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 43A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 43A（Tc） 71W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD180N10N3GBTMA1
  仓库库存编号：IPD180N10N3GBTMA1CT-ND
  别名：IPD180N10N3 GCT
  IPD180N10N3 GCT-ND
  IPD180N10N3GBTMA1CT
  
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