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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 100W(Tc) PG-TO252-3-11
型号:
IPD30N06S2L23ATMA3
仓库库存编号:
IPD30N06S2L23ATMA3CT-ND
别名:IPD30N06S2L23ATMA3CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 50μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A 8TDFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 100W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
IPC100N04S5L1R9ATMA1
仓库库存编号:
IPC100N04S5L1R9ATMA1CT-ND
别名:IPC100N04S5L1R9ATMA1CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 50μA,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 400V 0.43A 8PWRFLAT
详细描述:表面贴装 N 沟道 430mA(Tc) 2.5W(Tc) PowerFLAT?(5x5)
型号:
STL3NK40
仓库库存编号:
STL3NK40-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 50μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 30V 21A PQFN5X6
详细描述:表面贴装 N 沟道 21A(Ta),83A(Tc) 3.4W(Ta),54W(Tc) PQFN(5x6)
型号:
IRFH8321TRPBF
仓库库存编号:
IRFH8321TRPBFCT-ND
别名:IRFH8321TRPBFCT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 50μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 30A(Tc) 100W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD30N03S2L10ATMA1
仓库库存编号:
IPD30N03S2L10ATMA1TR-ND
别名:IPD30N03S2L-10
IPD30N03S2L-10-ND
SP000254465
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 50μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A TO-251
详细描述:通孔 N 沟道 30V 30A(Tc) 82W(Tc) P-TO251-3
型号:
SPU30N03S2L-10
仓库库存编号:
SPU30N03S2L-10IN-ND
别名:SP000013467
SPU30N03S2L-10IN
SPU30N03S2L-10XTIN
SPU30N03S2L-10XTIN-ND
SPU30N03S2L10X
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 50μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 80A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 25V 80A(Tc) 94W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP05N03LA
仓库库存编号:
IPP05N03LAIN-ND
别名:IPP05N03LAIN
IPP05N03LAX
IPP05N03LAXTIN
IPP05N03LAXTIN-ND
SP000014020
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 50μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 80A(Tc) 94W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB05N03LA
仓库库存编号:
IPB05N03LAINCT-ND
别名:IPB05N03LAINCT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 50μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 50A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 50A(Tc) 94W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD05N03LA G
仓库库存编号:
IPD05N03LAGINTR-ND
别名:IPD05N03LA
IPD05N03LAG
IPD05N03LAGINTR
IPD05N03LAGXT
IPD05N03LAGXT-ND
IPD05N03LAINTR
IPD05N03LAINTR-ND
SP000017599
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 50μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 50A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 50A(Tc) 94W(Tc) P-TO252-3
型号:
IPF05N03LA G
仓库库存编号:
IPF05N03LAGINCT-ND
别名:IPF05N03LAG
IPF05N03LAGINCT
IPF05N03LAGXTINCT
IPF05N03LAGXTINCT-ND
IPF05N03LAINCT
IPF05N03LAINCT-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 50μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 30A(Tc) 100W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD30N03S2L-10
仓库库存编号:
SPD30N03S2L10INCT-ND
别名:SPD30N03S2L10
SPD30N03S2L10INCT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 50μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 20A(Ta),50A(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC042N03ST
仓库库存编号:
BSC042N03ST-ND
别名:SP000014715
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 50μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 30A(Tc) 100W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD30N03S2L10T
仓库库存编号:
SPD30N03S2L10T-ND
别名:SP000016254
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 50μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 80A(Tc) 94W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB05N03LAT
仓库库存编号:
IPB05N03LAXTINCT-ND
别名:IPB05N03LAXTINCT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 50μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 100A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 21A(Ta),100A(Tc) 2.8W(Ta),69W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC037N025S G
仓库库存编号:
BSC037N025S G-ND
别名:BSC037N025SGXT
SP000095466
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 50μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 12A 8DSO
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 12A(Ta) 1.56W(Ta) PG-DSO-8
型号:
BSO064N03S
仓库库存编号:
BSO064N03S-ND
别名:BSO064N03SXT
SP000077646
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 50μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 5.2A SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 5.2A(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP603S2LHUMA1
仓库库存编号:
BSP603S2LHUMA1-ND
别名:BSP603S2L
BSP603S2L-ND
BSP603S2LT
SP000013597
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 50μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 80A(Tc) 94W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB05N03LA G
仓库库存编号:
IPB05N03LA G-ND
别名:IPB05N03LAGXT
SP000068872
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 50μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 80A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 25V 80A(Tc) 94W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI05N03LA
仓库库存编号:
IPI05N03LA-ND
别名:IPI05N03LAX
SP000014021
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 50μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 50A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 25V 50A(Tc) 94W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPS05N03LA G
仓库库存编号:
IPS05N03LA G-ND
别名:IPS05N03LAGX
SP000015129
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 50μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 50A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 25V 50A(Tc) 94W(Tc) P-TO251-3
型号:
IPU05N03LA
仓库库存编号:
IPU05N03LA-ND
别名:SP000014903
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 50μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 50A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 25V 50A(Tc) 94W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPU05N03LA G
仓库库存编号:
IPU05N03LA G-ND
别名:IPU05N03LAGX
SP000017595
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 50μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 30A(Tc) 100W(Tc) P-TO252-3
型号:
SPD30N06S2L-23
仓库库存编号:
SPD30N06S2L-23-ND
别名:SP000013127
SPD30N06S2L23T
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 50μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 95A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 20A(Ta),95A(Tc) 2.8W(Ta),62.5W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC042N03S G
仓库库存编号:
BSC042N03SGINCT-ND
别名:BSC042N03SG
BSC042N03SGINCT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 50μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 30A(Tc) 100W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD30N03S2L10GBTMA1
仓库库存编号:
SPD30N03S2L10GBTMA1TR-ND
别名:SP000443918
SPD30N03S2L-10 G
SPD30N03S2L-10 G-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 50μA,
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