规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.4V @ 25μA,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(17)
分立半导体产品
(17)
筛选品牌
Infineon Technologies (17)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Infineon Technologies
MOSFET 2P-CH 30V 8A 8SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 8A 2W Surface Mount 8-SO
型号:
IRF9362TRPBF
仓库库存编号:
IRF9362TRPBFCT-ND
别名:IRF9362TRPBFCT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.4V @ 25μA,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 9.2A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF9393TRPBF
仓库库存编号:
IRF9393TRPBFCT-ND
别名:IRF9393TRPBFCT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.4V @ 25μA,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 5.8A 6TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 5.8A(Ta) 2W(Ta) 6-TSOP
型号:
IRFTS9342TRPBF
仓库库存编号:
IRFTS9342TRPBFCT-ND
别名:IRFTS9342TRPBFCT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.4V @ 25μA,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 9.2A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF9333TRPBF
仓库库存编号:
IRF9333TRPBFCT-ND
别名:IRF9333TRPBFCT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.4V @ 25μA,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 11A 8PQFN
详细描述:表面贴装 P 沟道 11A(Ta) 2.6W(Ta) 8-PQFN(3.3x3.3),Power33
型号:
IRFHM9391TRPBF
仓库库存编号:
IRFHM9391TRPBFCT-ND
别名:IRFHM9391TRPBFCT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.4V @ 25μA,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 12A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 12A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF9388TRPBF
仓库库存编号:
IRF9388TRPBFCT-ND
别名:IRF9388TRPBFCT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.4V @ 25μA,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 12A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 12A(Tc) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF9328TRPBF
仓库库存编号:
IRF9328TRPBFCT-ND
别名:IRF9328TRPBFCT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.4V @ 25μA,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET 2P-CH 30V 9.2A 8SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 9.2A 2W Surface Mount 8-SO
型号:
IRF9358TRPBF
仓库库存编号:
IRF9358TRPBFCT-ND
别名:IRF9358TRPBFCT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.4V @ 25μA,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 9.8A 8SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 9.8A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF9392TRPBF
仓库库存编号:
IRF9392TRPBF-ND
别名:SP001554514
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.4V @ 25μA,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 9.8A 8SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 9.8A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF9332TRPBF
仓库库存编号:
IRF9332TRPBF-ND
别名:SP001565710
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.4V @ 25μA,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 12A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 12A(Ta),37A(Tc) 1.8W(Ta),15W(Tc) DIRECTFET S1
型号:
IRF6710S2TR1PBF
仓库库存编号:
IRF6710S2TR1PBFCT-ND
别名:IRF6710S2TR1PBFCT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.4V @ 25μA,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 14A(Ta),60A(Tc) 2.2W(Ta),42W(Tc) DIRECTFET? SQ
型号:
IRF6721STR1PBF
仓库库存编号:
IRF6721STR1PBFCT-ND
别名:IRF6721STR1PBFCT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.4V @ 25μA,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 11A 3X3 PQFN
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 11A(Ta),24A(Tc) 2.8W(Ta) PQFN(3x3)
型号:
IRFHM9331TR2PBF
仓库库存编号:
IRFHM9331TR2PBFCT-ND
别名:IRFHM9331TR2PBFCT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.4V @ 25μA,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 6A PQFN
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 6A(Ta),13A(Tc) 2.1W(Ta) 6-PQFN(2x2)
型号:
IRFHS9301TR2PBF
仓库库存编号:
IRFHS9301TR2PBFCT-ND
别名:IRFHS9301TR2PBFCT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.4V @ 25μA,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 9.8A 8SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 9.8A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF9332PBF
仓库库存编号:
IRF9332PBF-ND
别名:SP001563824
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.4V @ 25μA,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 9.8A 8SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 9.8A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF9392PBF
仓库库存编号:
IRF9392PBF-ND
别名:SP001577592
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.4V @ 25μA,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 14A SQ
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 14A(Ta),60A(Tc) 2.2W(Ta),42W(Tc) DIRECTFET? SQ
型号:
IRF8327STR1PBF
仓库库存编号:
IRF8327STR1PBFCT-ND
别名:IRF8327STR1PBFCT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.4V @ 25μA,
无铅
搜索
1
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号