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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 3.5A TUMT6
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.5A(Ta) 320mW(Ta) TUMT6
型号:
RUL035N02TR
仓库库存编号:
RUL035N02CT-ND
别名:RUL035N02CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 1mA,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 12V 3.5A TUMT6
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.5A(Ta) 1W(Ta) TUMT6
型号:
RZL035P01TR
仓库库存编号:
RZL035P01CT-ND
别名:RZL035P01CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 1mA,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET 2P-CH 12V 4.5A TSMT8
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 4.5A 1.5W Surface Mount TSMT8
型号:
QS8J1TR
仓库库存编号:
QS8J1CT-ND
别名:QS8J1CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 1mA,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 12V 4.5A TSST8
详细描述:表面贴装 P 沟道 4.5A(Ta) 650mW(Ta) 8-TSST
型号:
RT1A045APTCR
仓库库存编号:
RT1A045APTCRCT-ND
别名:RT1A045APTCRCT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 1mA,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P CH 20V 6A 2-2AA1A
详细描述:表面贴装 P 沟道 6A(Ta) 1W(Ta) 6-UDFNB(2x2)
型号:
SSM6J502NU,LF(T
仓库库存编号:
SSM6J502NULF(TCT-ND
别名:SSM6J502NULF(TCT
SSM6J502NULFCT
SSM6J502NULFCT-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 1mA,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 12V 4.5A TSMT6
详细描述:表面贴装 P 沟道 4.5A(Ta) 1.25W(Ta) TSMT6(SC-95)
型号:
RZQ045P01TR
仓库库存编号:
RZQ045P01CT-ND
别名:RZQ045P01CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 1mA,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 2.4A TSST8
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.4A(Ta) 1.25W(Ta) 8-TSST
型号:
TT8U1TR
仓库库存编号:
TT8U1CT-ND
别名:TT8U1CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 1mA,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET 2P-CH 20V 4A 2-2Y1A
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 4A 1W Surface Mount 6-UDFN (2x2)
型号:
SSM6P47NU,LF(T
仓库库存编号:
SSM6P47NULF(TCT-ND
别名:SSM6P47NULF(TCT
SSM6P47NULFCT
SSM6P47NULFCT-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 1mA,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 12V 5A TSST8
详细描述:表面贴装 P 沟道 5A(Ta) 600mW(Ta) 8-TSST
型号:
RT1A050ZPTR
仓库库存编号:
RT1A050ZPCT-ND
别名:RT1A050ZPCT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 1mA,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET NCH 20V 800MA CST3
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 800mA(Ta) 500mW(Ta) CST3
型号:
SSM3K56CT,L3F
仓库库存编号:
SSM3K56CTL3FCT-ND
别名:SSM3K56CTL3FCT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 1mA,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET ARRAY 2N-CH 20V 250MA US6
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 250mA (Ta) 300mW Surface Mount US6
型号:
SSM6N37FU,LF
仓库库存编号:
SSM6N37FULFCT-ND
别名:SSM6N37FULFCT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 1mA,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
SMALL LOW ON RESISTANCE MOSFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 4A(Ta) 1W(Ta)
型号:
SSM3K345R,LF
仓库库存编号:
SSM3K345RLFCT-ND
别名:SSM3K345RLFCT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 1mA,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
SMALL LOW ON RESISTANCE MOSFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 3A(Ta) 1W(Ta)
型号:
SSM3K344R,LF
仓库库存编号:
SSM3K344RLFCT-ND
别名:SSM3K344RLFCT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 1mA,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
SMALL-SIGNAL PCH MOSFET UMOSVI
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 6A(Ta) 1.5W(Ta)
型号:
SSM6J801R,LF
仓库库存编号:
SSM6J801RLFCT-ND
别名:SSM6J801RLFCT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 1mA,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
SMALL LOW ON RESISTANCE MOSFET
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 6A(Ta) 1W(Ta)
型号:
SSM3J358R,LF
仓库库存编号:
SSM3J358RLFCT-ND
别名:SSM3J358RLFCT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 1mA,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 12V 14A UDFN6B
详细描述:表面贴装 P 沟道 12V 14A(Ta) 1.25W(Ta) 6-UDFNB(2x2)
型号:
SSM6J511NU,LF
仓库库存编号:
SSM6J511NULFCT-ND
别名:SSM6J511NULFCT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 1mA,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET 2N-CH 20V 4A UDFN
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 4A 2W Surface Mount 6-UDFNB (2x2)
型号:
SSM6N61NU,LF
仓库库存编号:
SSM6N61NULFCT-ND
别名:SSM6N61NULFCT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 1mA,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
X34 PB-F SMALL LOW ON RESISTANCE
详细描述:表面贴装 P 沟道 12V 5.4A(Ta) 500mW(Ta) UFM
型号:
SSM3J132TU,LF
仓库库存编号:
SSM3J132TULFCT-ND
别名:SSM3J132TULFCT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 1mA,
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Rohm Semiconductor
-20V PCH+PCH POWER MOSFET
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 3A 2W Surface Mount HUML2020L8
型号:
UT6J3TCR
仓库库存编号:
UT6J3TCRCT-ND
别名:UT6J3TCRCT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 1mA,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET 2P-CH 20V 0.1A ES6
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 100mA 150mW Surface Mount ES6 (1.6x1.6)
型号:
SSM6P35FE(TE85L,F)
仓库库存编号:
SSM6P35FE(TE85LF)CT-ND
别名:SSM6P35FE(TE85LF)CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 1mA,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 20V 2A ES6
详细描述:表面贴装 P 沟道 2A(Ta) 500mW(Ta) ES6(1.6x1.6)
型号:
SSM6J206FE(TE85L,F
仓库库存编号:
SSM6J206FE(TE85LFCT-ND
别名:SSM6J206FE(TE85LFCT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 1mA,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 12V 6A TSMT8
详细描述:表面贴装 P 沟道 6A(Ta) 700mW(Ta) TSMT8
型号:
RQ1A060ZPTR
仓库库存编号:
RQ1A060ZPTRCT-ND
别名:RQ1A060ZPTRCT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 1mA,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 50V 0.2A UMT3
详细描述:表面贴装 N 沟道 200mA(Ta) 200mW(Ta) UMT3
型号:
RUU002N05T106
仓库库存编号:
RUU002N05T106CT-ND
别名:RUU002N05T106CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 1mA,
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 50V 0.2A 3VMT
详细描述:表面贴装 N 沟道 200mA(Ta) 150mW(Ta) VMT3
型号:
RUM002N05T2L
仓库库存编号:
RUM002N05T2LCT-ND
别名:RUM002N05T2LCT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 1mA,
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Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 12V 1.3A WEMT6
详细描述:表面贴装 P 沟道 1.3A(Ta) 700mW(Ta) 6-WEMT
型号:
ES6U1T2R
仓库库存编号:
ES6U1T2RCT-ND
别名:ES6U1T2RCT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 1mA,
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