规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 1mA,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(173)
分立半导体产品
(173)
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc. (2)
Microchip Technology (4)
Micro Commercial Co (1)
Nexperia USA Inc. (1)
ON Semiconductor (1)
Panasonic Electronic Components (6)
Rohm Semiconductor (80)
Torex Semiconductor Ltd (1)
Toshiba Semiconductor and Storage (77)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P CH 20V 6A UF6
详细描述:表面贴装 P 沟道 6A(Ta) 1W(Ta) UF6
型号:
SSM6J414TU,LF
仓库库存编号:
SSM6J414TULFCT-ND
别名:SSM6J414TU,LFCT
SSM6J414TULF(TCT
SSM6J414TULF(TCT-ND
SSM6J414TULFCT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 1mA,
无铅
搜索
Panasonic Electronic Components
MOSFET P-CH 12V 4A WSMINI6
详细描述:表面贴装 P 沟道 4A(Ta) 700mW(Ta) WS迷你型6-F1-B
型号:
MTM761110LBF
仓库库存编号:
MTM761110LBFCT-ND
别名:MTM761110LBFCT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 1mA,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 20V 1.8A UFM
详细描述:表面贴装 P 沟道 1.8A(Ta) 500mW(Ta) UFM
型号:
SSM3J114TU(T5L,T)
仓库库存编号:
SSM3J114TU(T5LT)CT-ND
别名:SSM3J114TU(T5LT)CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 1mA,
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 12V 2A WEMT6
详细描述:表面贴装 P 沟道 2A(Ta) 700mW(Ta) 6-WEMT
型号:
RW1A020ZPT2R
仓库库存编号:
RW1A020ZPT2RCT-ND
别名:RW1A020ZPT2RCT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 1mA,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 20V 2A CST3B
详细描述:表面贴装 P 沟道 2A(Ta) CST3B
型号:
SSM3J46CTB(TPL3)
仓库库存编号:
SSM3J46CTB(TPL3)CT-ND
别名:SSM3J46CTB(TPL3)CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 1mA,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 20V 1.5A UFV
详细描述:表面贴装 P 沟道 1.5A(Ta) 500mW(Ta) UFV
型号:
SSM5G10TU(TE85L,F)
仓库库存编号:
SSM5G10TU(TE85LF)CT-ND
别名:SSM5G10TU(TE85LF)CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 1mA,
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET N/P-CH 20V/12V TUMT6
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 20V, 12V 1.5A, 1.3A 1W Surface Mount UMT6
型号:
US6M11TR
仓库库存编号:
US6M11CT-ND
别名:US6M11CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 1mA,
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 7.5A TSMT8
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.5A(Ta) 700mW(Ta) TSMT8
型号:
RQ1C075UNTR
仓库库存编号:
RQ1C075UNCT-ND
别名:RQ1C075UNTRCT
RQ1C075UNTRCT-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 1mA,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P CH 12V 12A UDFN6B
详细描述:表面贴装 P 沟道 12A(Ta) 1.25W(Ta) 6-UDFNB(2x2)
型号:
SSM6J505NU,LF
仓库库存编号:
SSM6J505NULFCT-ND
别名:SSM6J505NULFCT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 1mA,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 20V 5.5A VS-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 5.5A(Ta) 700mW(Ta) VS-6(2.9x2.8)
型号:
TPC6111(TE85L,F,M)
仓库库存编号:
TPC6111(TE85LFM)CT-ND
别名:TPC6111(TE85LFM)CT
TPC6111TE85LFCT
TPC6111TE85LFCT-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 1mA,
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET 2P-CH 12V 5.5A TSMT8
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 5.5A 1.25W Surface Mount TSMT8
型号:
QS8J13TR
仓库库存编号:
QS8J13CT-ND
别名:QS8J13TRCT
QS8J13TRCT-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 1mA,
无铅
搜索
Panasonic Electronic Components
MOSFET 2P-CH 12V 4.8A WMINI8-F1
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 4.8A 1W Surface Mount WMini8-F1
型号:
MTM684110LBF
仓库库存编号:
MTM684110LBFCT-ND
别名:MTM684110LBFCT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 1mA,
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 12V 5A TSMT6
详细描述:表面贴装 P 沟道 5A(Ta) 600mW(Ta) TSMT6(SC-95)
型号:
RZQ050P01TR
仓库库存编号:
RZQ050P01CT-ND
别名:RZQ050P01CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 1mA,
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 10A 8SOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 10A(Ta) 2W(Ta) 8-SOP
型号:
RUS100N02TB
仓库库存编号:
RUS100N02TBCT-ND
别名:RUS100N02TBCT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 1mA,
无铅
搜索
Microchip Technology
MOSFET P-CH 16.5V 0.5A TO92-3
详细描述:通孔 P 沟道 500mA(Tj) 1W(Tc) TO-92
型号:
LP0701N3-G
仓库库存编号:
LP0701N3-G-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 1mA,
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 0.2A EMT3
详细描述:表面贴装 N 沟道 200mA(Ta) 150mW(Ta) EMT3F(SOT-416FL)
型号:
RE1C002UNTCL
仓库库存编号:
RE1C002UNTCLCT-ND
别名:RE1C002UNTCLCT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 1mA,
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 0.2A UMT3F
详细描述:表面贴装 N 沟道 200mA(Ta) 150mW(Ta) UMT3F
型号:
RU1C002UNTCL
仓库库存编号:
RU1C002UNTCLCT-ND
别名:RU1C002UNTCLCT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 1mA,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 20V 0.8A SSM
详细描述:表面贴装 N 沟道 800mA(Ta) 150mW(Ta) SSM
型号:
SSM3K56FS,LF
仓库库存编号:
SSM3K56FSLFCT-ND
别名:SSM3K56FSLF(TCT
SSM3K56FSLF(TCT-ND
SSM3K56FSLFCT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 1mA,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET 2P-CH 20V 0.72A ES6
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 720mA 150mW Surface Mount ES6 (1.6x1.6)
型号:
SSM6P41FE(TE85L,F)
仓库库存编号:
SSM6P41FE(TE85LF)CT-ND
别名:SSM6P41FE(TE85LF)CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 1mA,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A US6
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 20V 180mA, 100mA 200mW Surface Mount US6
型号:
SSM6L35FU(TE85L,F)
仓库库存编号:
SSM6L35FU(TE85LF)CT-ND
别名:SSM6L35FU(TE85LF)CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 1mA,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 20V 0.18A VESM
详细描述:表面贴装 N 沟道 180mA(Ta) 150mW(Ta) VESM
型号:
SSM3K35MFV(TPL3)
仓库库存编号:
SSM3K35MFV(TPL3)CT-ND
别名:SSM3K35MFV(TPL3)CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 1mA,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 20V 5A TSM
详细描述:表面贴装 P 沟道 5A(Ta) 700mW(Ta) TSM
型号:
SSM3J307T(TE85L,F)
仓库库存编号:
SSM3J307T(TE85LF)CT-ND
别名:SSM3J307T(TE85LF)CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 1mA,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 20V 1.4A CST3
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.4A(Ta) 500mW(Ta) CST3
型号:
SSM3K56ACT,L3F
仓库库存编号:
SSM3K56ACTL3FCT-ND
别名:SSM3K56ACTL3FCT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 1mA,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 20V 1.8A UFM
详细描述:表面贴装 P 沟道 1.8A(Ta) 500mW(Ta) UFM
型号:
SSM3J114TU(TE85L)
仓库库存编号:
SSM3J114TU(TE85L)CT-ND
别名:SSM3J114TU(TE85L)CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 1mA,
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 12V 2.5A TUMT6
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.5A(Ta) 1W(Ta) TUMT6
型号:
RZL025P01TR
仓库库存编号:
RZL025P01CT-ND
别名:RZL025P01CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 1mA,
无铅
搜索
1
2
3
4
5
6
7
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号