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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 59A
详细描述:表面贴装 N 沟道 59A(Tc) 94W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD122N10N3GATMA1
仓库库存编号:
IPD122N10N3GATMA1CT-ND
别名:IPD122N10N3GATMA1CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 46μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 73A
详细描述:表面贴装 N 沟道 73A(Tc) 100W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD096N08N3GATMA1
仓库库存编号:
IPD096N08N3GATMA1CT-ND
别名:IPD096N08N3GATMA1CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 46μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 58A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 58A(Tc) 94W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP126N10N3GXKSA1
仓库库存编号:
IPP126N10N3GXKSA1-ND
别名:IPP126N10N3 G
IPP126N10N3 G-ND
SP000683088
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 46μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 70A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 70A(Tc) 100W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP100N08N3GXKSA1
仓库库存编号:
IPP100N08N3GXKSA1-ND
别名:IPP100N08N3 G
IPP100N08N3 G-ND
IPP100N08N3G
SP000680856
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 46μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 58A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 58A(Tc) 94W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB123N10N3 G
仓库库存编号:
IPB123N10N3 GCT-ND
别名:IPB123N10N3 GCT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 46μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 60A(Tc) 94W(Tc) PG-TO252-3-313
型号:
IPD60N10S412ATMA1
仓库库存编号:
IPD60N10S412ATMA1-ND
别名:SP001102936
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 46μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 40A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 80V 40A(Tc) 35W(Tc) PG-TO220-FP
型号:
IPA100N08N3GXKSA1
仓库库存编号:
IPA100N08N3GXKSA1-ND
别名:IPA00N08N3GXKSA1-ND
IPA1-ND00N08N3GXKSA1-ND
IPA100N08N3 G
IPA100N08N3 G-ND
IPA100N08N3G
SP000473900
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 46μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 73A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 80V 73A(Tc) 100W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD096N08N3GBTMA1
仓库库存编号:
IPD096N08N3GBTMA1TR-ND
别名:IPD096N08N3 G
IPD096N08N3 G-ND
SP000474196
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 46μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 70A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 80V 70A(Tc) 100W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI100N08N3GHKSA1
仓库库存编号:
IPI100N08N3GHKSA1-ND
别名:IPI100N08N3 G
IPI100N08N3 G-ND
SP000474192
SP000680710
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 46μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 50A TO251-3
详细描述:通孔 N 沟道 80V 50A(Tc) 100W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPU103N08N3 G
仓库库存编号:
IPU103N08N3 G-ND
别名:SP000521640
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 46μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 58A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 100V 58A(Tc) 94W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI126N10N3 G
仓库库存编号:
IPI126N10N3 G-ND
别名:IPI126N10N3G
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 46μA,
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MOSFET N-CH 80V 70A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 80V 70A(Tc) 100W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB097N08N3 G
仓库库存编号:
IPB097N08N3 GCT-ND
别名:IPB097N08N3 GCT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 46μA,
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MOSFET N-CH 100V 59A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 59A(Tc) 94W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD122N10N3GBTMA1
仓库库存编号:
IPD122N10N3GBTMA1CT-ND
别名:IPD122N10N3 GCT
IPD122N10N3 GCT-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 46μA,
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