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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 21A D-PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 21A(Ta) 3.3W(Ta),33W(Tc) TO-252
型号:
FDD6530A
仓库库存编号:
FDD6530ACT-ND
别名:FDD6530ACT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.2V @ 250μA,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 20V 10A 6WLCSP
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 20V 10A 500mW Surface Mount 6-WLCSP (1.3x2.3)
型号:
FDZ1323NZ
仓库库存编号:
FDZ1323NZCT-ND
别名:FDZ1323NZCT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.2V @ 250μA,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET 2N-CH 30V 20A 8SON
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 6W Surface Mount 8-VSON (3.3x3.3)
型号:
CSD87334Q3DT
仓库库存编号:
296-42468-1-ND
别名:296-42468-1
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.2V @ 250μA,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 8.8A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 8.8A(Ta) 1.6W(Ta) 8-SOIC
型号:
NTMS10P02R2G
仓库库存编号:
NTMS10P02R2GOSCT-ND
别名:NTMS10P02R2GOSCT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT-23-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.2A(Ta) 1.25W(Ta) Micro3?/SOT-23
型号:
IRLML2502GTRPBF
仓库库存编号:
IRLML2502GTRPBFCT-ND
别名:IRLML2502GTRPBFCT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 6.5A MICRO8
详细描述:表面贴装 N 沟道 6.5A(Ta) 1.8W(Ta) Micro8?
型号:
IRF7607TRPBF
仓库库存编号:
IRF7607TRPBFCT-ND
别名:IRF7607TRPBFCT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 20V 7A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 7A 2W Surface Mount 8-SO
型号:
IRF7331TRPBF
仓库库存编号:
IRF7331PBFCT-ND
别名:*IRF7331TRPBF
IRF7331PBFCT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 15A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 15A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7425TRPBF
仓库库存编号:
IRF7425TRPBFCT-ND
别名:IRF7425TRPBFCT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.2V @ 250μA,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET P-CH 12V 3PICOSTAR
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.3A(Ta) 500mW(Ta) 3-PICOSTAR
型号:
CSD23381F4T
仓库库存编号:
296-37782-1-ND
别名:296-37782-1
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.2V @ 250μA,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 50V 280MA SOT-523
详细描述:表面贴装 N 沟道 280mA(Ta) 150mW(Ta) SOT-523
型号:
DMN5L06TK-7
仓库库存编号:
DMN5L06TKDICT-ND
别名:DMN5L06TKDICT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.2V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 11A MICROFOOT
详细描述:表面贴装 P 沟道 11A(Tc) 2.77W(Ta),13W(Tc) 6-Micro Foot?
型号:
SI8447DB-T2-E1
仓库库存编号:
SI8447DB-T2-E1CT-ND
别名:SI8447DB-T2-E1CT
SI8447DBT2E1
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.2V @ 250μA,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 20V 4.6A SC59-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 4.6A(Ta) 1.25W(Ta) SC-59-3
型号:
DMP2066LSN-7
仓库库存编号:
DMP2066LSNDICT-ND
别名:DMP2066LSNDICT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.2V @ 250μA,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 20V 2.9A, 3.2A 1.1W Surface Mount ChipFET?
型号:
NTHD3100CT1G
仓库库存编号:
NTHD3100CT1GOSCT-ND
别名:NTHD3100CT1GOSCT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.2V @ 250μA,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 2.7A 4-WLCSP
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.7A(Ta) 1.3W(Ta) 4-WLCSP(0.80x0.80)
型号:
FDZ663P
仓库库存编号:
FDZ663PCT-ND
别名:FDZ663PCT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.2V @ 250μA,
无铅
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Central Semiconductor Corp
MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT-23F
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.6A(Ta) 350mW(Ta) SOT-23F
型号:
CMPDM303NH TR
仓库库存编号:
CMPDM303NH CT-ND
别名:CMPDM303NH CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.2V @ 250μA,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 50V 220MA SOT-23-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 220mA(Ta) 350mW(Ta) SOT-23-3
型号:
BSS138K
仓库库存编号:
BSS138KCT-ND
别名:BSS138KCT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.2V @ 250μA,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SOT-363
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 880mA 272mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
型号:
NTJD4152PT1G
仓库库存编号:
NTJD4152PT1GOSCT-ND
别名:NTJD4152PT1GOSCT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.2V @ 250μA,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 0.76A SC-89
详细描述:表面贴装 P 沟道 760mA(Tj) 313mW(Tj) SC-89-3
型号:
NTE4151PT1G
仓库库存编号:
NTE4151PT1GOSCT-ND
别名:NTE4151PT1GOSCT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.2V @ 250μA,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 3.3A SC-88
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.3A(Ta) 1W(Ta) SC-88/SC70-6/SOT-363
型号:
NTJS4151PT1G
仓库库存编号:
NTJS4151PT1GOSCT-ND
别名:NTJS4151PT1GOSCT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.2V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V MICROFOOT
详细描述:表面贴装 P 沟道 780mW(Ta),1.8W(Tc) 4-Microfoot
型号:
SI8489EDB-T2-E1
仓库库存编号:
SI8489EDB-T2-E1CT-ND
别名:SI8489EDB-T2-E1CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.2V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 9A SC70
详细描述:表面贴装 P 沟道 9A(Tc) 2.9W(Ta),15.6W(Tc) PowerPAK? SC-70-6 单
型号:
SIA459EDJ-T1-GE3
仓库库存编号:
SIA459EDJ-T1-GE3CT-ND
别名:SIA459EDJ-T1-GE3CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.2V @ 250μA,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 20V 3.92A 8SO
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 3.92A 730mW Surface Mount 8-SOIC
型号:
NTMD6N02R2G
仓库库存编号:
NTMD6N02R2GOSCT-ND
别名:NTMD6N02R2GOSCT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.2V @ 250μA,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET 2N-CH 30V 15A 8SON
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 15A 6W Surface Mount 8-VSON (3.3x3.3)
型号:
CSD87333Q3D
仓库库存编号:
296-37535-1-ND
别名:296-37535-1
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.2V @ 250μA,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET 2N-CH 30V 15A 8SON
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 15A 6W Surface Mount 8-VSON (3.3x3.3)
型号:
CSD87333Q3DT
仓库库存编号:
296-37794-1-ND
别名:296-37794-1
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.2V @ 250μA,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 2.5A 6TSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.5A(Ta) 500mW(Ta) 6-TSOP
型号:
NTGS3446T1G
仓库库存编号:
NTGS3446T1GOSCT-ND
别名:NTGS3446T1GOSCT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.2V @ 250μA,
无铅
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