规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.4V @ 250μA,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(155)
分立半导体产品
(155)
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc. (18)
Microchip Technology (4)
Central Semiconductor Corp (3)
Diodes Incorporated (23)
Infineon Technologies (6)
Nexperia USA Inc. (1)
Fairchild/ON Semiconductor (1)
ON Semiconductor (13)
Taiwan Semiconductor Corporation (9)
Texas Instruments (11)
Vishay Siliconix (66)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 30V 2.6A SOT23
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.6A(Ta) 1.4W(Ta) SOT-23-3L
型号:
AO3403
仓库库存编号:
785-1003-1-ND
别名:785-1003-1
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.4V @ 250μA,
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 20V 3.5A SOT23
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.5A(Ta) 1.4W(Ta) SOT-23-3L
型号:
AO3419
仓库库存编号:
785-1013-1-ND
别名:785-1013-1
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.4V @ 250μA,
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 1.7A SC70-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.7A(Ta) 350mW(Ta) SC-70-3
型号:
AO7400
仓库库存编号:
785-1084-1-ND
别名:785-1084-1
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.4V @ 250μA,
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 30V 1.4A SC70-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 1.4A(Ta) 350mW(Ta) SC-70-3
型号:
AO7401
仓库库存编号:
785-1085-1-ND
别名:785-1085-1
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.4V @ 250μA,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 4.5A 7.8W Surface Mount PowerPAK? SC-70-6 Dual
型号:
SIA906EDJ-T1-GE3
仓库库存编号:
SIA906EDJ-T1-GE3CT-ND
别名:SIA906EDJ-T1-GE3CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.4V @ 250μA,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET 2P-CH 20V 4A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 4A 3.1W Surface Mount 8-SO
型号:
SI9933CDY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI9933CDY-T1-GE3CT-ND
别名:SI9933CDY-T1-GE3CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.4V @ 250μA,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 2.6A SC70-6
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.6A(Tc) 3.5W(Ta),19W(Tc) PowerPAK? SC-70-6 单
型号:
SIA456DJ-T1-GE3
仓库库存编号:
SIA456DJ-T1-GE3CT-ND
别名:SIA456DJ-T1-GE3CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.4V @ 250μA,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 25V 18A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 18A(Tc) 2.5W(Ta),5W(Tc) 8-SO
型号:
SI4116DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4116DY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4116DY-T1-GE3CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.4V @ 250μA,
无铅
搜索
Texas Instruments
MOSFET N-CH 25V 60A 8SON
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 3W(Ta) 8-VSON(3.3x3.3)
型号:
CSD16327Q3
仓库库存编号:
296-30138-1-ND
别名:296-30138-1
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.4V @ 250μA,
含铅
搜索
Texas Instruments
MOSFET N-CH 25V 3.3X3.3 8-SON
详细描述:表面贴装 N 沟道 21A(Ta),60A(Tc) 3W(Ta) 8-VSON(3.3x3.3)
型号:
CSD16323Q3
仓库库存编号:
296-24522-1-ND
别名:296-24522-1
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.4V @ 250μA,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET 2P-CH 20V 4.9A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 4.9A 1.1W Surface Mount 8-SO
型号:
SI4963BDY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4963BDY-T1-E3CT-ND
别名:SI4963BDY-T1-E3CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.4V @ 250μA,
无铅
搜索
Texas Instruments
MOSFET N-CH 25V 5X6 8SON
详细描述:表面贴装 N 沟道 21A(Ta),97A(Tc) 3.1W(Ta) 8-VSON-CLIP(5x6)
型号:
CSD16322Q5
仓库库存编号:
296-25112-1-ND
别名:296-25112-1
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.4V @ 250μA,
含铅
搜索
Texas Instruments
MOSFET N-CH 25V 97A 8SON
详细描述:表面贴装 N 沟道 21A(Ta),97A(Tc) 3.1W(Ta) 8-SON
型号:
CSD16322Q5C
仓库库存编号:
296-25644-1-ND
别名:296-25644-1
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.4V @ 250μA,
含铅
搜索
Texas Instruments
MOSFET N-CH 25V 100A 8-SON
详细描述:表面贴装 N 沟道 31A(Ta),100A(Tc) 3.1W(Ta) 8-VSON-CLIP(5x6)
型号:
CSD16321Q5
仓库库存编号:
296-24517-1-ND
别名:296-24517-1
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.4V @ 250μA,
含铅
搜索
Texas Instruments
MOSFET N-CH 25V 100A 8SON
详细描述:表面贴装 N 沟道 31A(Ta),100A(Tc) 3.1W(Ta) 8-VSON-CLIP(5x6)
型号:
CSD16321Q5C
仓库库存编号:
296-25643-1-ND
别名:296-25643-1
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.4V @ 250μA,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 60A(Tc) 6.25W(Ta),104W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7137DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7137DP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7137DP-T1-GE3CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.4V @ 250μA,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 500MA SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 500mA(Ta) 690mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)
型号:
NTR4003NT1G
仓库库存编号:
NTR4003NT1GOSCT-ND
别名:NTR4003NT1GOSCT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.4V @ 250μA,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 20V 3.4A SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.4A(Ta) 760mW(Ta) SOT-23
型号:
DMN2046U-7
仓库库存编号:
DMN2046U-7DICT-ND
别名:DMN2046U-7DICT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.4V @ 250μA,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 0.265A SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 265mA(Ta) 310mW(Ta) TO-236AB(SOT23)
型号:
BSN20BKR
仓库库存编号:
1727-2341-1-ND
别名:1727-2341-1
568-12638-1
568-12638-1-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.4V @ 250μA,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 4A SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 4A(Ta) 1.4W(Ta) SOT-23
型号:
DMG3402L-7
仓库库存编号:
DMG3402L-7DICT-ND
别名:DMG3402L-7DICT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.4V @ 250μA,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 28V 3.2A SOT23-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.8A(Ta) 1.4W(Ta) SOT-23-3
型号:
DMN3150L-7
仓库库存编号:
DMN3150LDICT-ND
别名:DMN3150LDICT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.4V @ 250μA,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.8A(Ta) 720mW(Ta) SOT-23
型号:
DMN3042L-7
仓库库存编号:
DMN3042L-7DICT-ND
别名:DMN3042L-7DICT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.4V @ 250μA,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 2.2A SOT23
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.2A(Ta) 480mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)
型号:
NTR4171PT1G
仓库库存编号:
NTR4171PT1GOSCT-ND
别名:NTR4171PT1GOSCT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.4V @ 250μA,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 28V 1.6A SC70-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.6A(Ta) 350mW(Ta) SOT-323
型号:
DMN3150LW-7
仓库库存编号:
DMN3150LWDICT-ND
别名:DMN3150LWDICT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.4V @ 250μA,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 20V 5.9A SOT23-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.9A(Ta) 1.4W(Ta) SOT-23-3
型号:
DMN2050L-7
仓库库存编号:
DMN2050LDICT-ND
别名:DMN2050LDICT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.4V @ 250μA,
无铅
搜索
1
2
3
4
5
6
7
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号