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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 20V 770MA 3DFN
  详细描述：表面贴装 P 沟道 770mA（Ta） 430mW（Ta） X2-DFN1006-3
  
  型号：DMP21D0UFB4-7B
  仓库库存编号：DMP21D0UFB4-7BDICT-ND
  别名：DMP21D0UFB4-7BDICT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 700mV @ 250μA,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 20V 1.7A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.7A（Ta） 625mW（Ta） SOT-23-3
  
  型号：ZXM61N02FTA
  仓库库存编号：ZXM61N02FCT-ND
  别名：ZXM61N02F
  ZXM61N02FCT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 700mV @ 250μA,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 20V 0.59A SOT523
  详细描述：表面贴装 P 沟道 590mA（Ta） 240mW（Ta） SOT-523
  
  型号：DMP21D0UT-7
  仓库库存编号：DMP21D0UT-7DICT-ND
  别名：DMP21D0UT-7DICT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 700mV @ 250μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 1.2A SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.2A（Ta） 540mW（Ta） Micro3?/SOT-23
  
  型号：IRLML2402TRPBF
  仓库库存编号：IRLML2402PBFCT-ND
  别名：*IRLML2402TRPBF
  IRLML2402PBFCT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 700mV @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 8V MICROFOOT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500mW（Ta） 4-Microfoot
  
  型号：SI8802DB-T2-E1
  仓库库存编号：SI8802DB-T2-E1CT-ND
  别名：SI8802DB-T2-E1CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 700mV @ 250μA,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 20V 1.9A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.9A（Ta） 625mW（Ta） SOT-23-3
  
  型号：ZXMN2A01FTA
  仓库库存编号：ZXMN2A01FCT-ND
  别名：ZXMN2A01FCT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 700mV @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 8V 3.6A MICROFOOT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 780mW（Ta），1.8W（Tc） 4-Microfoot
  
  型号：SI8466EDB-T2-E1
  仓库库存编号：SI8466EDB-T2-E1CT-ND
  别名：SI8466EDB-T2-E1CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 700mV @ 250μA,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 20V 3.4A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.4A（Ta） 1W（Ta） SOT-23-3
  
  型号：ZXMN2A14FTA
  仓库库存编号：ZXMN2A14FCT-ND
  别名：ZXMN2A14FCT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 700mV @ 250μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N/P-CH 20V 1.7A MICRO8
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 20V 2.4A, 1.7A 1.25W Surface Mount Micro8?
  
  型号：IRF7507TRPBF
  仓库库存编号：IRF7507TRPBFCT-ND
  别名：IRF7507TRPBFCT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 700mV @ 250μA,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 20V 2.3A SOT23-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.3A（Ta） 1.1W（Ta） SOT-23-6
  
  型号：ZXM62P02E6TA
  仓库库存编号：ZXM62P02E6CT-ND
  别名：ZXM62P02E6
  ZXM62P02E6CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 700mV @ 250μA,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 20V 3.5A 8-MSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3.5A（Ta） 1.1W（Ta） 8-MSOP
  
  型号：ZXM64P02XTA
  仓库库存编号：ZXM64P02XCT-ND
  别名：ZXM64P02X
  ZXM64P02XCT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 700mV @ 250μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 1.2A SOT-23-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.2A（Ta） 540mW（Ta） Micro3?/SOT-23
  
  型号：IRLML2402GTRPBF
  仓库库存编号：IRLML2402GTRPBFCT-ND
  别名：IRLML2402GTRPBFCT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 700mV @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 8V MICROFOOT
  详细描述：表面贴装 P 沟道 500mW（Ta） 4-Microfoot
  
  型号：SI8805EDB-T2-E1
  仓库库存编号：SI8805EDB-T2-E1CT-ND
  别名：SI8805EDB-T2-E1CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 700mV @ 250μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 3.2A 6-TSOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.2A（Ta） 1.7W（Ta） Micro6?（TSOP-6）
  
  型号：IRLMS1902TRPBF
  仓库库存编号：IRLMS1902PBFCT-ND
  别名：*IRLMS1902TRPBF
  IRLMS1902PBFCT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 700mV @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 12V MICROFOOT
  详细描述：表面贴装 P 沟道 1.1W（Ta），2.7W（Tc） 4-MICRO FOOT?（1.6x1.6）
  
  型号：SI8457DB-T1-E1
  仓库库存编号：SI8457DB-T1-E1CT-ND
  别名：SI8457DB-T1-E1CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 700mV @ 250μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET 2N-CH 20V 2.4A MICRO8
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 2.4A 1.25W Surface Mount Micro8?
  
  型号：IRF7501TRPBF
  仓库库存编号：IRF7501TRPBFCT-ND
  别名：IRF7501TRPBFCT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 700mV @ 250μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 20V 6.7A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 6.7A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7404TRPBF
  仓库库存编号：IRF7404PBFCT-ND
  别名：*IRF7404TRPBF
  IRF7404PBFCT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 700mV @ 250μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 20V 5.2A, 4.3A 2W Surface Mount 8-SO
  
  型号：IRF7307TRPBF
  仓库库存编号：IRF7307PBFCT-ND
  别名：*IRF7307TRPBF
  IRF7307PBFCT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 700mV @ 250μA,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 30V 8.9A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7.2A（Ta） 2W（Ta） 8-SO
  
  型号：ZXMN3B04N8TA
  仓库库存编号：ZXMN3B04N8CT-ND
  别名：ZXMN3B04N8CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 700mV @ 250μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET 2P-CH 20V 1.7A MICRO8
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 1.7A 1.25W Surface Mount Micro8?
  
  型号：IRF7504TRPBF
  仓库库存编号：IRF7504TRPBFCT-ND
  别名：IRF7504TRPBFCT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 700mV @ 250μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 6.8A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.8A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7402TRPBF
  仓库库存编号：IRF7402PBFCT-ND
  别名：*IRF7402TRPBF
  IRF7402PBFCT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 700mV @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 8V 2A SOT-363
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2A（Tc） 1.56W（Ta），2.8W（Tc） SOT-363
  
  型号：SI1489EDH-T1-GE3
  仓库库存编号：SI1489EDH-T1-GE3TR-ND
  别名：SI1489EDH-T1-GE3-ND
  SI1489EDH-T1-GE3TR
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 700mV @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 8V 2A SOT-363
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2A（Tc） 2.8W（Tc） SOT-363
  
  型号：SI1489EDH-T1-GE3
  仓库库存编号：SI1489EDH-T1-GE3CT-ND
  别名：SI1489EDH-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 700mV @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 8V 2A SOT-363
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2A（Tc） 2.8W（Tc） SOT-363
  
  型号：SI1489EDH-T1-GE3
  仓库库存编号：SI1489EDH-T1-GE3DKR-ND
  别名：SI1489EDH-T1-GE3DKR
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 700mV @ 250μA,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 8V 1.4A SOT-323
  详细描述：表面贴装 P 沟道 1.4A（Ta） 290mW（Ta） SC-70-3（SOT323）
  
  型号：NTS2101PT1G
  仓库库存编号：NTS2101PT1GOSCT-ND
  别名：NTS2101PT1GOSCT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 700mV @ 250μA,
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