品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 700mV @ 250μA,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(15)
分立半导体产品
(15)
筛选品牌
Vishay Siliconix (15)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 8V MICROFOOT
详细描述:表面贴装 N 沟道 500mW(Ta) 4-Microfoot
型号:
SI8802DB-T2-E1
仓库库存编号:
SI8802DB-T2-E1CT-ND
别名:SI8802DB-T2-E1CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 700mV @ 250μA,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 8V 3.6A MICROFOOT
详细描述:表面贴装 N 沟道 780mW(Ta),1.8W(Tc) 4-Microfoot
型号:
SI8466EDB-T2-E1
仓库库存编号:
SI8466EDB-T2-E1CT-ND
别名:SI8466EDB-T2-E1CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 700mV @ 250μA,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 8V MICROFOOT
详细描述:表面贴装 P 沟道 500mW(Ta) 4-Microfoot
型号:
SI8805EDB-T2-E1
仓库库存编号:
SI8805EDB-T2-E1CT-ND
别名:SI8805EDB-T2-E1CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 700mV @ 250μA,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 12V MICROFOOT
详细描述:表面贴装 P 沟道 1.1W(Ta),2.7W(Tc) 4-MICRO FOOT?(1.6x1.6)
型号:
SI8457DB-T1-E1
仓库库存编号:
SI8457DB-T1-E1CT-ND
别名:SI8457DB-T1-E1CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 700mV @ 250μA,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 8V 2A SOT-363
详细描述:表面贴装 P 沟道 2A(Tc) 1.56W(Ta),2.8W(Tc) SOT-363
型号:
SI1489EDH-T1-GE3
仓库库存编号:
SI1489EDH-T1-GE3TR-ND
别名:SI1489EDH-T1-GE3-ND
SI1489EDH-T1-GE3TR
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 700mV @ 250μA,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 8V 2A SOT-363
详细描述:表面贴装 P 沟道 2A(Tc) 2.8W(Tc) SOT-363
型号:
SI1489EDH-T1-GE3
仓库库存编号:
SI1489EDH-T1-GE3CT-ND
别名:SI1489EDH-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 700mV @ 250μA,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 8V 2A SOT-363
详细描述:表面贴装 P 沟道 2A(Tc) 2.8W(Tc) SOT-363
型号:
SI1489EDH-T1-GE3
仓库库存编号:
SI1489EDH-T1-GE3DKR-ND
别名:SI1489EDH-T1-GE3DKR
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 700mV @ 250μA,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 8V 9A SC-75-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 9A(Tc) 2.4W(Ta),13W(Tc) PowerPAK? TSC75-6
型号:
SIB437EDKT-T1-GE3
仓库库存编号:
SIB437EDKT-T1-GE3-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 700mV @ 250μA,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 8V 4.5A SC-70
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 8V 4.5A 7.8W Surface Mount PowerPAK? SC-70-6 Dual
型号:
SIA920DJ-T1-GE3
仓库库存编号:
SIA920DJ-T1-GE3-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 700mV @ 250μA,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 10.5A 2X2 6MFP
详细描述:表面贴装 P 沟道 10.5A(Tc) 2.77W(Ta),13W(Tc) 6-Micro Foot?
型号:
SI8441DB-T2-E1
仓库库存编号:
SI8441DB-T2-E1-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 700mV @ 250μA,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 61A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 20V 61A(Tc) 89W(Tc) TO-262-3
型号:
IRL3102L
仓库库存编号:
IRL3102L-ND
别名:*IRL3102L
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 700mV @ 250μA,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 48A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 20V 48A(Tc) 69W(Tc) TO-262-3
型号:
IRL3202L
仓库库存编号:
IRL3202L-ND
别名:*IRL3202L
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 700mV @ 250μA,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 39A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 20V 39A(Tc) 57W(Tc) TO-262-3
型号:
IRL3302L
仓库库存编号:
IRL3302L-ND
别名:*IRL3302L
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 700mV @ 250μA,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 85A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 20V 85A(Tc) 110W(Tc) TO-262-3
型号:
IRL3402L
仓库库存编号:
IRL3402L-ND
别名:*IRL3402L
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 700mV @ 250μA,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 110A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 20V 110A(Tc) 140W(Tc) TO-262-3
型号:
IRL3502L
仓库库存编号:
IRL3502L-ND
别名:*IRL3502L
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 700mV @ 250μA,
含铅
搜索
1
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号