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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 10.5A 2X2 6MFP
详细描述：表面贴装 P 沟道 10.5A（Tc） 2.77W（Ta），13W（Tc） 6-Micro Foot?
型号：
SI8441DB-T2-E1
仓库库存编号：
SI8441DB-T2-E1-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 700mV @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 61A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 20V 61A（Tc） 89W（Tc） TO-262-3
型号：
IRL3102L
仓库库存编号：
IRL3102L-ND
别名：*IRL3102L
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 700mV @ 250μA,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 48A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 20V 48A（Tc） 69W（Tc） TO-262-3
型号：
IRL3202L
仓库库存编号：
IRL3202L-ND
别名：*IRL3202L
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 700mV @ 250μA,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 39A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 20V 39A（Tc） 57W（Tc） TO-262-3
型号：
IRL3302L
仓库库存编号：
IRL3302L-ND
别名：*IRL3302L
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 700mV @ 250μA,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 85A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 20V 85A（Tc） 110W（Tc） TO-262-3
型号：
IRL3402L
仓库库存编号：
IRL3402L-ND
别名：*IRL3402L
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 700mV @ 250μA,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 110A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 20V 110A（Tc） 140W（Tc） TO-262-3
型号：
IRL3502L
仓库库存编号：
IRL3502L-ND
别名：*IRL3502L
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 700mV @ 250μA,
含铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 20V 9A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 9A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
ZXM66N02N8TA
仓库库存编号：
ZXM66N02N8DKR-ND
别名：ZXM66N02N8DKR
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 700mV @ 250μA,
含铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 20V 8A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 6.4A（Ta） 1.56W（Ta） 8-SO
型号：
ZXM66P02N8TA
仓库库存编号：
ZXM66P02N8CT-ND
别名：ZXM66P02N8CT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 700mV @ 250μA,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 20V 6.2A 8-MSOP
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 6.2A（Ta） 1.1W（Ta） 8-MSOP
型号：
ZXMN2A02X8TA
仓库库存编号：
ZXMN2A02X8CT-ND
别名：ZXMN2A02X8CT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 700mV @ 250μA,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 2A 8-MLP
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 2A（Ta） 1W（Ta） 8-MLP，MicroFET（3x2）
型号：
ZXMNS3BM832TA
仓库库存编号：
ZXMNS3BM832CT-ND
别名：ZXMNS3BM832CT
ZXMNS3BM832TA-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 700mV @ 250μA,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 8V 1.4A SOT-323
详细描述：表面贴装 P 沟道 8V 1.4A（Ta） 290mW（Ta） SC-70-3（SOT323）
型号：
NTS2101PT1
仓库库存编号：
NTS2101PT1-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 700mV @ 250μA,
含铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET P-CH 20V 4.7A 6TSOP
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 4.7A（Ta） 500mW（Ta），8.33W（Tc） 6-TSOP
型号：
PMN40UPE,115
仓库库存编号：
1727-1358-1-ND
别名：1727-1358-1
568-10801-1
568-10801-1-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 700mV @ 250μA,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 20V 6.5A 8-SOP
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 6.5A（Ta）
型号：
DMG6968LSD-13
仓库库存编号：
DMG6968LSD-13DI-ND
别名：DMG6968LSD-13DI
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 700mV @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 2.4A 6-TSOP
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 2.4A（Ta） 1.7W（Ta） Micro6?（SOT23-6）
型号：
IRLMS6702TR
仓库库存编号：
IRLMS6702CT-ND
别名：*IRLMS6702TR
IRLMS6702
IRLMS6702CT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 700mV @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 1.2A SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 1.2A（Ta） 540mW（Ta） Micro3?/SOT-23
型号：
IRLML2402TR
仓库库存编号：
IRLML2402CT-ND
别名：*IRLML2402TR
IRLML2402
IRLML2402-ND
IRLML2402CT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 700mV @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 110A（Tc） 140W（Tc） D2PAK
型号：
IRL3502S
仓库库存编号：
IRL3502S-ND
别名：*IRL3502S
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 700mV @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2P-CH 20V 4.3A 8-SOIC
详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 4.3A 2W Surface Mount 8-SO
型号：
IRF7304TR
仓库库存编号：
IRF7304TR-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 700mV @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 20V 6.6A 8-SOIC
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 6.6A 2W Surface Mount 8-SO
型号：
IRF7311TR
仓库库存编号：
IRF7311TR-ND
别名：SP001562178
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 700mV @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 2.2A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 2.2A（Ta） 2W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7324D1
仓库库存编号：
IRF7324D1-ND
别名：*IRF7324D1
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 700mV @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 61A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 20V 61A（Tc） 89W（Tc） TO-220AB
型号：
IRL3102
仓库库存编号：
IRL3102-ND
别名：*IRL3102
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 700mV @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 61A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 61A（Tc） 89W（Tc） D2PAK
型号：
IRL3102S
仓库库存编号：
IRL3102S-ND
别名：*IRL3102S
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 700mV @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 48A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 48A（Tc） 69W（Tc） D2PAK
型号：
IRL3202S
仓库库存编号：
IRL3202S-ND
别名：*IRL3202S
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 700mV @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 39A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 20V 39A（Tc） 57W（Tc） TO-220AB
型号：
IRL3302
仓库库存编号：
IRL3302-ND
别名：*IRL3302
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 700mV @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 39A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 39A（Tc） 57W（Tc） D2PAK
型号：
IRL3302S
仓库库存编号：
IRL3302S-ND
别名：*IRL3302S
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 700mV @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 110A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 20V 110A（Tc） 140W（Tc） TO-220AB
型号：
IRL3502
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