以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 24A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Tc） 96W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC500N20NS3GATMA1
  仓库库存编号：BSC500N20NS3GATMA1CT-ND
  别名：BSC500N20NS3GATMA1CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 60μA,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 90A（Tc） 107W（Tc） PG-TO252-3-11
  
  型号：IPD90N06S405ATMA2
  仓库库存编号：IPD90N06S405ATMA2-ND
  别名：SP001028730
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 60μA,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 8TDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 80A（Tc） 100W（Tc） PG-TDSON-8-23
  
  型号：IPC80N04S403ATMA1
  仓库库存编号：IPC80N04S403ATMA1-ND
  别名：SP001138828
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 60μA,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 80A（Tc） 107W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB80N06S405ATMA2
  仓库库存编号：IPB80N06S405ATMA2-ND
  别名：SP001028718
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 60μA,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 80A（Tc） 107W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI80N06S405AKSA1
  仓库库存编号：IPI80N06S405AKSA1-ND
  别名：IPI80N06S4-05
  IPI80N06S4-05-ND
  SP000415632
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 60μA,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 80A（Tc） 107W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP80N06S405AKSA1
  仓库库存编号：IPP80N06S405AKSA1-ND
  别名：IPP80N06S4-05
  IPP80N06S4-05-ND
  SP000415704
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 60μA,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 9A WDSON-2
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 9A（Ta），30A（Tc） 2.8W（Ta），57W（Tc） MG-WDSON-2，CanPAK M?
  
  型号：BSB280N15NZ3GXUMA1
  仓库库存编号：BSB280N15NZ3GXUMA1CT-ND
  别名：BSB280N15NZ3 GCT
  BSB280N15NZ3 GCT-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 60μA,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 80A（Tc） 107W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB80N06S405ATMA1
  仓库库存编号：IPB80N06S405ATMA1TR-ND
  别名：IPB80N06S4-05
  IPB80N06S4-05-ND
  SP000415566
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 60μA,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 90A（Tc） 107W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD90N06S405ATMA1
  仓库库存编号：IPD90N06S405ATMA1TR-ND
  别名：IPD90N06S4-05
  IPD90N06S4-05-ND
  SP000481510
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 60μA,
• 无铅
• 搜索