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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 350mA(Tj) 1W(Tc) TO-92-3
型号:
TN0106N3-G
仓库库存编号:
TN0106N3-G-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 500μA,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 100V 350MA TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 350mA(Tj) 1W(Tc) TO-92-3
型号:
TN0110N3-G
仓库库存编号:
TN0110N3-G-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 500μA,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 40V 9A 8SOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 9A(Ta) 1W(Ta) 8-SOP
型号:
TPC8133,LQ(S
仓库库存编号:
TPC8133LQ(S-ND
别名:TPC8133LQ(S
TPC8133LQS
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 500μA,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 30V 34A 8SOP-ADV
详细描述:表面贴装 P 沟道 34A(Ta) 1.6W(Ta),45W(Tc) 8-SOP Advance(5x5)
型号:
TPCA8128,LQ(CM
仓库库存编号:
TPCA8128LQ(CM-ND
别名:TPCA8128LQ(CM
TPCA8128LQCM
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 500μA,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 350mA(Tj) 1W(Tc) TO-92-3
型号:
TN0106N3-G-P003
仓库库存编号:
TN0106N3-G-P003-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 500μA,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 350mA(Tj) 1W(Tc) TO-92-3
型号:
TN0106N3-G-P013
仓库库存编号:
TN0106N3-G-P013-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 500μA,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 100V 350MA TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 100V 350mA(Tj) 1W(Tc) TO-92-3
型号:
TN0110N3-G-P002
仓库库存编号:
TN0110N3-G-P002-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 500μA,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 30V 10A 8SOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 10A(Ta) 1W(Ta) 8-SOP
型号:
TPC8125,LQ(S
仓库库存编号:
TPC8125LQ(S-ND
别名:TPC8125LQ(S
TPC8125LQS
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 500μA,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 30V 11A 8SOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 11A(Ta) 1W(Ta) 8-SOP(5.5x6.0)
型号:
TPC8126,LQ(CM
仓库库存编号:
TPC8126LQ(CM-ND
别名:TPC8126LQ(CM
TPC8126LQCM
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