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Diodes Incorporated
MOSFET N/P-CH 30V SOT363
详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 650mA, 450mA 310mW Surface Mount SOT-363
型号：
DMC3400SDW-7
仓库库存编号：
DMC3400SDW-7DICT-ND
别名：DMC3400SDW-7DICT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.6V @ 250μA,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SO
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 7.5A 1.17W Surface Mount 8-SOP
型号：
DMG4800LSD-13
仓库库存编号：
DMG4800LSD-13DICT-ND
别名：DMG4800LSD-13DICT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.6V @ 250μA,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 30V 17A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 17A（Ta） 3.1W（Ta） 8-SOIC
型号：
AO4447A
仓库库存编号：
785-1198-1-ND
别名：785-1198-1
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.6V @ 250μA,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V TO-236AB
详细描述：表面贴装 N 沟道 360mA（Ta） 350mW（Ta），1.14W（Tc） TO-236AB（SOT23）
型号：
BSS138BK,215
仓库库存编号：
1727-1141-1-ND
别名：1727-1141-1
568-10307-1
568-10307-1-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.6V @ 250μA,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V SOT323
详细描述：表面贴装 N 沟道 320mA（Ta） 260mW（Ta），830mW（Tc） SOT-323-3
型号：
BSS138BKW,115
仓库库存编号：
1727-1262-1-ND
别名：1727-1262-1
568-10470-1
568-10470-1-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.6V @ 250μA,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 320mA 445mW Surface Mount 6-TSSOP
型号：
BSS138BKS,115
仓库库存编号：
1727-6478-1-ND
别名：1727-6478-1
568-8392-1
568-8392-1-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.6V @ 250μA,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP
详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Ta） 1.46W（Ta） 8-SOP
型号：
DMN4800LSS-13
仓库库存编号：
DMN4800LSSDICT-ND
别名：DMN4800LSSDICT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.6V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8-TSSOP
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 20V 5.2A 1W Surface Mount 8-TSSOP
型号：
SI6968BEDQ-T1-GE3
仓库库存编号：
SI6968BEDQ-T1-GE3CT-ND
别名：SI6968BEDQ-T1-GE3CT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.6V @ 250μA,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 30V 100A 8SON
详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Ta），100A（Tc） 3.2W（Ta） 8-VSON（5x6）
型号：
CSD17306Q5A
仓库库存编号：
296-25856-1-ND
别名：296-25856-1
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.6V @ 250μA,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 2.7A SC70-6
详细描述：表面贴装 P 沟道 2.7A（Tc） 1.5W（Ta），2.78W（Tc） SC-70-6（SOT-363）
型号：
SI1471DH-T1-E3
仓库库存编号：
SI1471DH-T1-E3CT-ND
别名：SI1471DH-T1-E3CT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.6V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 2.7A SC-70-6
详细描述：表面贴装 P 沟道 2.7A（Tc） 1.5W（Ta），2.78W（Tc） SC-70-6（SOT-363）
型号：
SI1471DH-T1-GE3
仓库库存编号：
SI1471DH-T1-GE3CT-ND
别名：SI1471DH-T1-GE3CT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.6V @ 250μA,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 20V 40A 8DFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta），40A（Tc） 3.1W（Ta），40W（Tc） 8-DFN（3x3）
型号：
AON7404
仓库库存编号：
785-1304-1-ND
别名：785-1304-1
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.6V @ 250μA,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 30V 100A 8SON
详细描述：表面贴装 N 沟道 32A（Ta），100A（Tc） 3.2W（Ta） 8-VSON-CLIP（5x6）
型号：
CSD17311Q5
仓库库存编号：
296-27625-1-ND
别名：296-27625-1
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.6V @ 250μA,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 40A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 5.4W（Ta），83W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SI7868ADP-T1-E3
仓库库存编号：
SI7868ADP-T1-E3CT-ND
别名：SI7868ADP-T1-E3CT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.6V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 60A 1212-8
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 60A（Tc） 52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
型号：
SI7111EDN-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7111EDN-T1-GE3CT-ND
别名：SI7111EDN-T1-GE3CT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.6V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 2.8A SC70
详细描述：表面贴装 N 沟道 1.7A（Tc） 3.3W（Tc） SOT-363，SC70
型号：
SQ1470AEH-T1_GE3
仓库库存编号：
SQ1470AEH-T1_GE3CT-ND
别名：SQ1470AEH-T1_GE3CT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.6V @ 250μA,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 8.6A 8-SO
详细描述：表面贴装 N 沟道 8.6A（Ta） 1.46W（Ta） 8-SO
型号：
DMN4800LSSQ-13
仓库库存编号：
DMN4800LSSQ-13DICT-ND
别名：DMN4800LSSQ-13DICT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.6V @ 250μA,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 10A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Ta） 1.71W（Ta） TO-252-3
型号：
DMG4800LK3-13
仓库库存编号：
DMG4800LK3-13DICT-ND
别名：DMG4800LK3-13DICT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.6V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 4.5A SC70-6
详细描述：表面贴装 N 沟道 4.5A（Tc） 3.4W（Ta），17.9W（Tc） PowerPAK? SC-70-6 单
型号：
SIA408DJ-T1-GE3
仓库库存编号：
SIA408DJ-T1-GE3CT-ND
别名：SIA408DJ-T1-GE3CT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.6V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 1212-8
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 4.9A 1.3W Surface Mount PowerPAK? 1212-8 Dual
型号：
SI7212DN-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7212DN-T1-GE3CT-ND
别名：SI7212DN-T1-GE3CT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.6V @ 250μA,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 25V 8PDFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 2.2W（Ta） 8-PDFN（5x6）
型号：
MCP87022T-U/MF
仓库库存编号：
MCP87022T-U/MFCT-ND
别名：MCP87022T-U/MFCT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.6V @ 250μA,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 25V 100A 8PDFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 2.2W（Ta） 8-PDFN（5x6）
型号：
MCP87018T-U/MF
仓库库存编号：
MCP87018T-U/MFCT-ND
别名：MCP87018T-U/MFCT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.6V @ 250μA,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 30V 100A 8SON
详细描述：表面贴装 N 沟道 32A（Ta），100A（Tc） 3.2W（Ta） 8-VSON-CLIP（5x6）
型号：
CSD17303Q5
仓库库存编号：
296-27232-1-ND
别名：296-27232-1
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.6V @ 250μA,
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Diodes Incorporated
MOSFET 2N-CH 30V 0.65A SOT363
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 650mA 290mW Surface Mount SOT-363
型号：
DMN32D4SDW-7
仓库库存编号：
DMN32D4SDW-7DICT-ND
别名：DMN32D4SDW-7DICT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.6V @ 250μA,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 25V 8PDFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 2.2W（Ta） 8-PDFN（5x6）
型号：
MCP87050T-U/MF
仓库库存编号：
MCP87050T-U/MFCT-ND
别名：MCP87050T-U/MFCT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.6V @ 250μA,
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