规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 90μA,
专业代理销售st（意法）全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索：
热门搜索词：
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(33)
分立半导体产品
(33)
筛选品牌
Infineon Technologies (33)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词：
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 150W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB054N08N3 G
仓库库存编号：
IPB054N08N3 GCT-ND
别名：IPB054N08N3 GCT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 90μA,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 150W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD053N08N3GATMA1
仓库库存编号：
IPD053N08N3GATMA1CT-ND
别名：IPD053N08N3GATMA1CT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 90μA,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 14.9A（Ta），90A（Tc） 125W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC060N10NS3GATMA1
仓库库存编号：
BSC060N10NS3GATMA1CT-ND
别名：BSC060N10NS3 GCT
BSC060N10NS3 GCT-ND
BSC060N10NS3GATMA1CT-NDTR-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 90μA,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 100A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），125W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC047N08NS3GATMA1
仓库库存编号：
BSC047N08NS3GATMA1CT-ND
别名：BSC047N08NS3 GCT
BSC047N08NS3 GCT-ND
BSC047N08NS3GATMA1CT-NDTR-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 90μA,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 700V 20.5A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 8.5A（Tc） 43W（Tc） PG-TO251
型号：
IPS70R600P7SAKMA1
仓库库存编号：
IPS70R600P7SAKMA1-ND
别名：SP001499714
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 90μA,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 5A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 5A（Tc） 49W（Tc） PG-TO-252
型号：
IPD60R1K5CEAUMA1
仓库库存编号：
IPD60R1K5CEAUMA1TR-ND
别名：IPD60R1K5CEAUMA1-ND
IPD60R1K5CEAUMA1TR
SP001396902
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 90μA,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 5A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 5A（Tc） 49W（Tc） PG-TO-252
型号：
IPD60R1K5CEAUMA1
仓库库存编号：
IPD60R1K5CEAUMA1CT-ND
别名：IPD60R1K5CEAUMA1CT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 90μA,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 5A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 5A（Tc） 49W（Tc） PG-TO-252
型号：
IPD60R1K5CEAUMA1
仓库库存编号：
IPD60R1K5CEAUMA1DKR-ND
别名：IPD60R1K5CEAUMA1DKR
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 90μA,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.2A（Tc） 28.4W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD60R1K4C6ATMA1
仓库库存编号：
IPD60R1K4C6ATMA1CT-ND
别名：IPD60R1K4C6ATMA1CT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 90μA,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 700V 20.5A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 8.5A（Tc） 43W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD70R600P7SAUMA1
仓库库存编号：
IPD70R600P7SAUMA1CT-ND
别名：IPD70R600P7SAUMA1CT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 90μA,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 150W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP072N10N3GXKSA1
仓库库存编号：
IPP072N10N3GXKSA1-ND
别名：IPP072N10N3 G
IPP072N10N3 G-ND
IPP072N10N3G
SP000680830
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 90μA,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 3.2A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 3.2A（Tc） 28.4W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP60R1K4C6XKSA1
仓库库存编号：
IPP60R1K4C6XKSA1-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 90μA,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 700V 20.5 TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 8.5A（Tc） 25W（Tc） PG-TO220 整包
型号：
IPA70R600P7SXKSA1
仓库库存编号：
IPA70R600P7SXKSA1-ND
别名：SP001499700
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 90μA,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 60A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 60A（Tc） 39W（Tc） PG-TO220-FP
型号：
IPA057N08N3GXKSA1
仓库库存编号：
IPA057N08N3GXKSA1-ND
别名：IPA057N08N3 G
IPA057N08N3 G-ND
IPA057N08N3G
SP000454442
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 90μA,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 80A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 150W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP057N08N3GXKSA1
仓库库存编号：
IPP057N08N3GXKSA1-ND
别名：IPP057N08N3 G
IPP057N08N3 G-ND
IPP057N08N3G
SP000680810
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 90μA,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.2A（Tc） 28.4W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD60R1K4C6
仓库库存编号：
IPD60R1K4C6CT-ND
别名：IPD60R1K4C6CT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 90μA,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 700V 8.5A SOT223
详细描述：表面贴装 N 沟道 8.5A（Tc） 6.9W（Tc） PG-SOT223
型号：
IPN70R600P7SATMA1
仓库库存编号：
IPN70R600P7SATMA1CT-ND
别名：IPN70R600P7SATMA1CT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 90μA,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 90A
详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 150W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD068N10N3GATMA1
仓库库存编号：
IPD068N10N3GATMA1CT-ND
别名：IPD068N10N3GATMA1CT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 90μA,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO-251-3
详细描述：通孔 N 沟道 600V 3.1A（Tc） PG-TO251-3
型号：
IPU60R1K5CEAKMA1
仓库库存编号：
IPU60R1K5CEAKMA1-ND
别名：SP001369534
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 90μA,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 3.1A TO-251-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 3.1A（Tc） 49W（Tc） PG-TO251
型号：
IPU60R1K5CEAKMA2
仓库库存编号：
IPU60R1K5CEAKMA2-ND
别名：SP001396898
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 90μA,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO-251-3
详细描述：通孔 N 沟道 600V 3.2A（Tc） 28.4W（Tc） PG-TO251
型号：
IPU60R1K4C6AKMA1
仓库库存编号：
IPU60R1K4C6AKMA1-ND
别名：SP001292874
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 90μA,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 8TSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 3A（Tc） 26.6W（Tc） Thin-PAK（5x6）
型号：
IPL60R1K5C6SATMA1
仓库库存编号：
IPL60R1K5C6SATMA1-ND
别名：SP001163010
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 90μA,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 600V 5A（Tc） 20W（Tc） PG-TO220 整包
型号：
IPA60R1K5CEXKSA1
仓库库存编号：
IPA60R1K5CEXKSA1-ND
别名：SP001429420
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 90μA,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO-252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 3.1A（Tc） 28W（Tc） TO-252-3
型号：
IPD60R1K5CEATMA1
仓库库存编号：
IPD60R1K5CEATMA1CT-ND
别名：IPD60R1K5CEATMA1CT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 90μA,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 700V 8.5A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 700V 8.5A（Tc） 24.9W（Tc） PG-TO220 整包
型号：
IPAN70R600P7SXKSA1
仓库库存编号：
IPAN70R600P7SXKSA1-ND
别名：SP001682068
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 90μA,
无铅
搜索
1
2
邮箱：
sales@szcwdz.com
Q Q：
800152669
手机网站：
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st（意法）简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持：
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号
