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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 100V 50A 8VSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Ta） 2.8W（Ta）, 83W（Tc） 8-VSON（3.3x3.3）
  
  型号：CSD19537Q3T
  仓库库存编号：296-42632-1-ND
  别名：296-42632-1
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.6V @ 250μA,
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• Texas Instruments
  MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 15A 2.1W Surface Mount 8-SO
  
  型号：CSD88539NDT
  仓库库存编号：296-37796-1-ND
  别名：296-37796-1
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.6V @ 250μA,
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• Texas Instruments
  MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 15A 2.1W Surface Mount 8-SO
  
  型号：CSD88537NDT
  仓库库存编号：296-37795-1-ND
  别名：296-37795-1
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.6V @ 250μA,
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• Texas Instruments
  MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 15A 2.1W Surface Mount 8-SOIC
  
  型号：CSD88539ND
  仓库库存编号：296-37304-1-ND
  别名：296-37304-1
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.6V @ 250μA,
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• Texas Instruments
  MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 15A 2.1W Surface Mount 8-SOIC
  
  型号：CSD88537ND
  仓库库存编号：296-37303-1-ND
  别名：296-37303-1
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.6V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 37A SO8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 37A（Tc） 44.5W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR606DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR606DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIR606DP-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.6V @ 250μA,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 60V 11A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 11A（Ta），72A（Tc） 2.1W（Ta），100W（Tc） TO-220
  
  型号：AOT2608L
  仓库库存编号：785-1437-5-ND
  别名：785-1437-5
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.6V @ 250μA,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 60V 72A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 11A（Ta），72A（Tc） 2.1W（Ta），100W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：AOB2608L
  仓库库存编号：785-1470-1-ND
  别名：785-1470-1
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.6V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 250V 1.24A 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 1.24A（Ta） 1.5W（Ta） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7802DN-T1-E3
  仓库库存编号：SI7802DN-T1-E3CT-ND
  别名：SI7802DN-T1-E3CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.6V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 250V 1.24A 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 1.24A（Ta） 1.5W（Ta） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7802DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7802DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7802DN-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.6V @ 250μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 26A
  详细描述：N 沟道 80V 26A（Ta） 4W（Ta）, 195W（Tc） 8-PQFN（5x6）
  
  型号：IRFH7882TRPBF
  仓库库存编号：IRFH7882TRPBFCT-ND
  别名：IRFH7882TRPBFCT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.6V @ 250μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET NCH 100V 23A PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 23A（Ta），157A（Tc） 4W（Ta）, 195W（Tc） 8-PQFN（5x6）
  
  型号：IRFH7182TRPBF
  仓库库存编号：IRFH7182TRPBF-ND
  别名：SP001556394
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.6V @ 250μA,
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