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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 12V 11A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Ta) 1.6W(Ta) 8-SO
型号:
SI4866DY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4866DY-T1-E3CT-ND
别名:SI4866DY-T1-E3CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 600mV @ 250μA(最小),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 1.6A SC70-6
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.6A(Ta) 568mW(Ta) SC-70-6(SOT-363)
型号:
SI1400DL-T1-E3
仓库库存编号:
SI1400DL-T1-E3CT-ND
别名:SI1400DL-T1-E3CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 600mV @ 250μA(最小),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 1.6A SC-70-6
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.6A(Ta) 568mW(Ta) SC-70-6(SOT-363)
型号:
SI1400DL-T1-GE3
仓库库存编号:
SI1400DL-T1-GE3CT-ND
别名:SI1400DL-T1-GE3CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 600mV @ 250μA(最小),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N/P-CH 20V 2A 6-TSOP
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 20V 2A, 1.5A 830mW Surface Mount 6-TSOP
型号:
SI3585DV-T1-GE3
仓库库存编号:
SI3585DV-T1-GE3CT-ND
别名:SI3585DV-T1-GE3CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 600mV @ 250μA(最小),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 12V 17A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 17A(Ta) 1.6W(Ta) 8-SO
型号:
SI4838DY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4838DY-T1-E3CT-ND
别名:SI4838DY-T1-E3CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 600mV @ 250μA(最小),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 3.6A 1206-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.6A(Ta) 1.3W(Ta) 1206-8 ChipFET?
型号:
SI5443DC-T1-E3
仓库库存编号:
SI5443DC-T1-E3-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 600mV @ 250μA(最小),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 3.6A 1206-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.6A(Ta) 1.3W(Ta) 1206-8 ChipFET?
型号:
SI5443DC-T1-GE3
仓库库存编号:
SI5443DC-T1-GE3-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 600mV @ 250μA(最小),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 12V 11A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 12V 11A(Ta) 1.6W(Ta) 8-SO
型号:
SI4866DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4866DY-T1-GE3-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 600mV @ 250μA(最小),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 12V 17A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 17A(Ta) 1.6W(Ta) 8-SO
型号:
SI4838DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4838DY-T1-GE3-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 600mV @ 250μA(最小),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 16V 17A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 17A(Ta) 1.6W(Ta) 8-SO
型号:
SI4862DY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4862DY-T1-E3-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 600mV @ 250μA(最小),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 16V 17A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 17A(Ta) 1.6W(Ta) 8-SO
型号:
SI4862DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4862DY-T1-GE3-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 600mV @ 250μA(最小),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 670MA SOT323-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 670mA(Ta) 290mW(Ta) SC-70-3
型号:
SI1303EDL-T1-E3
仓库库存编号:
SI1303EDL-T1-E3CT-ND
别名:SI1303EDL-T1-E3CT
SI1303EDLT1E3
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 600mV @ 250μA(最小),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N/P-CH 20V SC70-6
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 20V 660mA, 410mA 270mW Surface Mount SC-70-6 (SOT-363)
型号:
SI1553DL-T1-E3
仓库库存编号:
SI1553DL-T1-E3CT-ND
别名:SI1553DL-T1-E3CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 600mV @ 250μA(最小),
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Vishay Siliconix
MOSFET N/P-CH 20V 2A 6-TSOP
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 20V 2A, 1.5A 830mW Surface Mount 6-TSOP
型号:
SI3585DV-T1-E3
仓库库存编号:
SI3585DV-T1-E3CT-ND
别名:SI3585DV-T1-E3CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 600mV @ 250μA(最小),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 2A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 2A(Ta) 830mW(Ta) 6-TSOP
型号:
SI3812DV-T1-E3
仓库库存编号:
SI3812DV-T1-E3CT-ND
别名:SI3812DV-T1-E3CT
SI3812DVT1E3
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 600mV @ 250μA(最小),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 14A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 14A(Ta) 1.6W(Ta) 8-SO
型号:
SI4876DY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4876DY-T1-E3CT-ND
别名:SI4876DY-T1-E3CT
SI4876DYT1E3
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Vishay Siliconix
MOSFET 2P-CH 20V 2.1A 1206-8
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 2.1A 1.1W Surface Mount 1206-8 ChipFET?
型号:
SI5903DC-T1-E3
仓库库存编号:
SI5903DC-T1-E3CT-ND
别名:SI5903DC-T1-E3CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 600mV @ 250μA(最小),
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Vishay Siliconix
MOSFET N/P-CH 20V 8-TSSOP
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 20V 1W Surface Mount 8-TSSOP
型号:
SI6562DQ-T1-E3
仓库库存编号:
SI6562DQ-T1-E3CT-ND
别名:SI6562DQ-T1-E3CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 600mV @ 250μA(最小),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N/P-CH 20V 8-TSSOP
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 20V 1W Surface Mount 8-TSSOP
型号:
SI6562DQ-T1-GE3
仓库库存编号:
SI6562DQ-T1-GE3CT-ND
别名:SI6562DQ-T1-GE3CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 600mV @ 250μA(最小),
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Vishay Siliconix
MOSFET N/P-CH 20V SC70-6
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 20V 660mA, 410mA 270mW Surface Mount SC-70-6 (SOT-363)
型号:
SI1553DL-T1
仓库库存编号:
SI1553DL-T1-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 600mV @ 250μA(最小),
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Vishay Siliconix
MOSFET N/P-CH 20V SC70-6
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 20V 660mA, 410mA 270mW Surface Mount SC-70-6 (SOT-363)
型号:
SI1553DL-T1-GE3
仓库库存编号:
SI1553DL-T1-GE3CT-ND
别名:SI1553DL-T1-GE3CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 600mV @ 250μA(最小),
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 2A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 2A(Ta) 830mW(Ta) 6-TSOP
型号:
SI3812DV-T1-GE3
仓库库存编号:
SI3812DV-T1-GE3-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 600mV @ 250μA(最小),
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 14A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 14A(Ta) 1.6W(Ta) 8-SO
型号:
SI4876DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4876DY-T1-GE3-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 600mV @ 250μA(最小),
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 3.1A 1206-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 3.1A(Ta) 1.3W(Ta) 1206-8 ChipFET?
型号:
SI5449DC-T1-E3
仓库库存编号:
SI5449DC-T1-E3-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 600mV @ 250μA(最小),
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MOSFET P-CH 30V 3.1A 1206-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 3.1A(Ta) 1.3W(Ta) 1206-8 ChipFET?
型号:
SI5449DC-T1-GE3
仓库库存编号:
SI5449DC-T1-GE3-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 600mV @ 250μA(最小),
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