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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 50A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 150W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD200N15N3GATMA1
  仓库库存编号：IPD200N15N3GATMA1CT-ND
  别名：IPD200N15N3GATMA1CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 90μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 250V 25A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD600N25N3GATMA1
  仓库库存编号：IPD600N25N3GATMA1CT-ND
  别名：IPD600N25N3GATMA1CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 90μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 50A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 125W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC190N15NS3GATMA1
  仓库库存编号：BSC190N15NS3GATMA1CT-ND
  别名：BSC190N15NS3 GCT
  BSC190N15NS3 GCT-ND
  BSC190N15NS3GATMA1CT-NDTR-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 90μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 34A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 34A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD320N20N3GATMA1
  仓库库存编号：IPD320N20N3GATMA1CT-ND
  别名：IPD320N20N3GATMA1CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 90μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 36A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 36A（Tc） 125W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC320N20NS3 G
  仓库库存编号：BSC320N20NS3 GCT-ND
  别名：BSC320N20NS3 GCT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 90μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 50A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 150W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB200N15N3 G
  仓库库存编号：IPB200N15N3 GCT-ND
  别名：IPB200N15N3 GCT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 90μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 250V 25A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Tc） 125W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC600N25NS3 G
  仓库库存编号：BSC600N25NS3 GCT-ND
  别名：BSC600N25NS3 GCT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 90μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 34A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 34A（Tc） 136W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB320N20N3 G
  仓库库存编号：IPB320N20N3 GCT-ND
  别名：IPB320N20N3 GCT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 90μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 250V 25A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 25A（Tc） 136W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP600N25N3 G
  仓库库存编号：IPP600N25N3 G-ND
  别名：IPP600N25N3G
  IPP600N25N3GXKSA1
  SP000677832
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 90μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 50A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 150W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP200N15N3GXKSA1
  仓库库存编号：IPP200N15N3GXKSA1-ND
  别名：IPP200N15N3 G
  IPP200N15N3 G-ND
  IPP200N15N3G
  SP000680884
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 90μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 34A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 34A（Tc） 136W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP320N20N3 G
  仓库库存编号：IPP320N20N3 G-ND
  别名：IPP320N20N3G
  IPP320N20N3GXKSA1
  SP000677842
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 90μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 90A（Tc） 188W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP040N06N3GXKSA1
  仓库库存编号：IPP040N06N3GXKSA1-ND
  别名：IPP040N06N3 G
  IPP040N06N3 G-ND
  IPP040N06N3G
  SP000680788
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 90μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 188W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD038N06N3GATMA1
  仓库库存编号：IPD038N06N3GATMA1CT-ND
  别名：IPD038N06N3GATMA1CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 90μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 300V 8TDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Tc） 150W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC13DN30NSFDATMA1
  仓库库存编号：BSC13DN30NSFDATMA1CT-ND
  别名：BSC13DN30NSFDATMA1CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 90μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 8TDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Tc） 150W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC350N20NSFDATMA1
  仓库库存编号：BSC350N20NSFDATMA1CT-ND
  别名：BSC350N20NSFDATMA1CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 90μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 250V 8TDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Tc） 150W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC670N25NSFDATMA1
  仓库库存编号：BSC670N25NSFDATMA1CT-ND
  别名：BSC670N25NSFDATMA1CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 90μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 90A
  详细描述：通孔 N 沟道 90A（Tc） 188W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI040N06N3GXKSA1
  仓库库存编号：IPI040N06N3GXKSA1-ND
  别名：SP000680656
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 90μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 250V 25A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Tc） 136W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB600N25N3 G
  仓库库存编号：IPB600N25N3 GCT-ND
  别名：IPB600N25N3 GCT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 90μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 188W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB037N06N3 G
  仓库库存编号：IPB037N06N3 GCT-ND
  别名：IPB037N06N3 GCT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 90μA,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 51A 8PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 51A（Tc） 63W（Tc） 8-PQFN（5x6），Power56
  
  型号：FDMS86183
  仓库库存编号：FDMS86183CT-ND
  别名：FDMS86183CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 90μA,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  PTNG 100/20V NCH TRENCH MOSFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 47A（Tc） 52W（Tc） 8-PQFN（3.3x3.3），Power33
  
  型号：FDMC86183
  仓库库存编号：FDMC86183-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 90μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 90A（Tc） 150W（Tc） PG-TO252-3-11
  
  型号：IPD90N06S404ATMA2
  仓库库存编号：IPD90N06S404ATMA2-ND
  别名：SP001028762
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 90μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3-11
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 100A（Tc） 150W（Tc） PG-TO252-3-11
  
  型号：IPD100N06S403ATMA2
  仓库库存编号：IPD100N06S403ATMA2-ND
  别名：SP001028766
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 90μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 90A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD90N04S304ATMA1
  仓库库存编号：IPD90N04S304ATMA1CT-ND
  别名：IPD90N04S3-04CT
  IPD90N04S3-04CT-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 90μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 80A（Tc） 136W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB80N04S304ATMA1
  仓库库存编号：IPB80N04S304ATMA1CT-ND
  别名：IPB80N04S3-04CT
  IPB80N04S3-04CT-ND
  IPB80N04S304
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 90μA,
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