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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 90A（Tc） 150W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB90N06S404ATMA2
  仓库库存编号：IPB90N06S404ATMA2-ND
  别名：SP001028754
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 90μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 90A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 90A（Tc） 150W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI90N06S404AKSA1
  仓库库存编号：IPI90N06S404AKSA1-ND
  别名：IPI90N06S4-04
  IPI90N06S4-04-ND
  SP000379633
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 90μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 90A（Tc） 144W（Tc） PG-TO252-3-313
  
  型号：IPD90N08S405ATMA1
  仓库库存编号：IPD90N08S405ATMA1-ND
  别名：SP000984282
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 90μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 75V 80A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 80A（Tc） 150W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB80N08S406ATMA1
  仓库库存编号：IPB80N08S406ATMA1-ND
  别名：SP000984296
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 90μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 80V 80A（Tc） 150W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP80N08S406AKSA1
  仓库库存编号：IPP80N08S406AKSA1-ND
  别名：SP000984298
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 90μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 80V 80A（Tc） 150W（Tc） PG-TO262-3-1
  
  型号：IPI80N08S406AKSA1
  仓库库存编号：IPI80N08S406AKSA1-ND
  别名：SP000984300
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 90μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 250V 25A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 25A（Tc） 136W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI600N25N3GAKSA1
  仓库库存编号：IPI600N25N3GAKSA1-ND
  别名：IPI600N25N3 G
  IPI600N25N3 G-ND
  IPI600N25N3G
  SP000714316
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 90μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 34A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 34A（Tc） 136W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI320N20N3GAKSA1
  仓库库存编号：IPI320N20N3GAKSA1-ND
  别名：IPI320N20N3 G
  IPI320N20N3 G-ND
  IPI320N20N3G
  SP000714312
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 90μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 34A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 34A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD320N20N3GBTMA1
  仓库库存编号：IPD320N20N3GBTMA1CT-ND
  别名：IPD320N20N3 GCT
  IPD320N20N3 GCT-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 90μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 90A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 90A（Tc） 188W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI040N06N3GHKSA1
  仓库库存编号：IPI040N06N3GHKSA1-ND
  别名：IPI040N06N3 G
  IPI040N06N3 G-ND
  SP000398038
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 90μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 50A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 150V 50A（Tc） 150W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI200N15N3 G
  仓库库存编号：IPI200N15N3 G-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 90μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 80A（Tc） 136W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI80N04S304AKSA1
  仓库库存编号：IPI80N04S304AKSA1-ND
  别名：IPI80N04S3-04
  IPI80N04S3-04-ND
  SP000261226
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 90μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 80A（Tc） 136W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP80N04S3-04
  仓库库存编号：IPP80N04S3-04-ND
  别名：IPP80N04S304
  IPP80N04S304AKSA1
  SP000261230
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 90μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 50A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 50A（Tc） 150W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD200N15N3GBTMA1
  仓库库存编号：IPD200N15N3GBTMA1CT-ND
  别名：IPD200N15N3 GCT
  IPD200N15N3 GCT-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 90μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 90A（Tc） 150W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB90N06S404ATMA1
  仓库库存编号：IPB90N06S404ATMA1TR-ND
  别名：IPB90N06S4-04
  IPB90N06S4-04-ND
  SP000379632
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 90μA,
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  MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 90A（Tc） 150W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD90N06S404ATMA1
  仓库库存编号：IPD90N06S404ATMA1TR-ND
  别名：IPD90N06S4-04
  IPD90N06S4-04-ND
  SP000374323
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 90μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 90A（Tc） 150W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP90N06S404AKSA1
  仓库库存编号：IPP90N06S404AKSA1-ND
  别名：IPP90N06S4-04
  IPP90N06S4-04-ND
  SP000379634
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 90μA,
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  MOSFET N-CH 250V 25A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 25A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD600N25N3GBTMA1
  仓库库存编号：IPD600N25N3GBTMA1CT-ND
  别名：IPD600N25N3 GCT
  IPD600N25N3 GCT-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 90μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3-11
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 100A（Tc） 150W（Tc） PG-TO252-3-11
  
  型号：IPD100N06S403ATMA1
  仓库库存编号：IPD100N06S403ATMA1TR-ND
  别名：IPD100N06S4-03
  IPD100N06S4-03-ND
  SP000415576
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 90μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 50A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 150V 50A（Tc） 150W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP200N15N3GHKSA1
  仓库库存编号：IPP200N15N3GHKSA1-ND
  别名：SP000414714
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 90μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 90A PG-TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 90A（Tc） 150W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP90N06S404AKSA2
  仓库库存编号：IPP90N06S404AKSA2-ND
  别名：SP001028750
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 90μA,
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