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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 23A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），139W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC028N06LS3GATMA1
  仓库库存编号：BSC028N06LS3GATMA1CT-ND
  别名：BSC028N06LS3 GCT
  BSC028N06LS3 GCT-ND
  BSC028N06LS3GATMA1CT-NDTR-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 93μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 167W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB034N06L3 G
  仓库库存编号：IPB034N06L3 GCT-ND
  别名：IPB034N06L3 GCT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 93μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 90A（Tc） 167W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP037N06L3GXKSA1
  仓库库存编号：IPP037N06L3GXKSA1-ND
  别名：IPP037N06L3 G
  IPP037N06L3 G-ND
  IPP037N06L3G
  SP000680774
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 93μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 167W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD031N06L3 G
  仓库库存编号：IPD031N06L3 GCT-ND
  别名：IPD031N06L3 GCT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 93μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 90A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 90A（Tc） 167W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI037N06L3GHKSA1
  仓库库存编号：IPI037N06L3GHKSA1-ND
  别名：IPI037N06L3 G
  IPI037N06L3 G-ND
  SP000397910
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 93μA,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 90A（Tc） 167W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD035N06L3GATMA1
  仓库库存编号：IPD035N06L3GATMA1CT-ND
  别名：IPD035N06L3 GCT
  IPD035N06L3 GCT-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 93μA,
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