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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 214W(Tc) PG-TO263-3
型号:
IPB042N10N3 G
仓库库存编号:
IPB042N10N3 GCT-ND
别名:IPB042N10N3 GCT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 150μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 100A(Tc) 214W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP045N10N3GXKSA1
仓库库存编号:
IPP045N10N3GXKSA1-ND
别名:IPP045N10N3 G
IPP045N10N3 G-ND
IPP045N10N3G
SP000680794
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 150μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET NCH 700V 7.4A TO251
详细描述:通孔 N 沟道 7.4A(Tc) 68W(Tc) PG-TO251
型号:
IPS70R950CEAKMA1
仓库库存编号:
IPS70R950CEAKMA1-ND
别名:SP001467044
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 150μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 700V 34A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 12.5A(Tc) 59.5W(Tc) PG-TO251
型号:
IPS70R360P7SAKMA1
仓库库存编号:
IPS70R360P7SAKMA1-ND
别名:SP001499712
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 150μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 500V 6.1A PG-TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 6.1A(Tc) 47W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD50R650CE
仓库库存编号:
IPD50R650CECT-ND
别名:IPD50R650CECT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 150μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 500V 6.1A PG-TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 6.1A(Tc) 69W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD50R650CEATMA1
仓库库存编号:
IPD50R650CEATMA1CT-ND
别名:IPD50R650CEATMA1CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 150μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 700V 7.4A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.4A(Tc) 68W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD70R950CEAUMA1
仓库库存编号:
IPD70R950CEAUMA1CT-ND
别名:IPD70R950CEAUMA1CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 150μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 64A TO220-FP
详细描述:通孔 N 沟道 64A(Tc) 39W(Tc) PG-TO220-FP
型号:
IPA045N10N3GXKSA1
仓库库存编号:
IPA045N10N3GXKSA1-ND
别名:IPA045N10N3 G
IPA045N10N3 G-ND
IPA045N10N3G
SP000478912
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 150μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 100A(Tc) 214W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI045N10N3 G
仓库库存编号:
IPI045N10N3 G-ND
别名:IPI045N10N3G
IPI045N10N3GXKSA1
SP000482424
SP000683068
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 150μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 700V 34A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 12.5A(Tc) 26.4W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPA70R360P7SXKSA1
仓库库存编号:
IPA70R360P7SXKSA1-ND
别名:SP001499698
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 150μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 700V 12.5A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 12.5A(Tc) 7.2W(Tc) PG-SOT223
型号:
IPN70R360P7SATMA1
仓库库存编号:
IPN70R360P7SATMA1CT-ND
别名:IPN70R360P7SATMA1CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 150μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 700V 34A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 12.5A(Tc) 59.4W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD70R360P7SAUMA1
仓库库存编号:
IPD70R360P7SAUMA1CT-ND
别名:IPD70R360P7SAUMA1CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 150μA,
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Infineon Technologies
MOSFET COOLMOS 700V SOT223-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 750V 7.4A(Tc) 5W(Tc) PG-SOT223
型号:
IPN70R1K0CEATMA1
仓库库存编号:
IPN70R1K0CEATMA1-ND
别名:SP001646912
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 150μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET COOLMOS 700V TO251-3
详细描述:通孔 N 沟道 700V 8.7A(Tc) 94W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPSA70R950CEAKMA1
仓库库存编号:
IPSA70R950CEAKMA1-ND
别名:SP001605396
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 150μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 4.6A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 500V 4.6A(Tc) 27.2W(Tc) TO-220 整包
型号:
IPA50R650CEXKSA2
仓库库存编号:
IPA50R650CEXKSA2-ND
别名:SP001217232
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 150μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 8TSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 4.2A(Tc) 34.7W(Tc) Thin-PAK(5x6)
型号:
IPL65R1K0C6SATMA1
仓库库存编号:
IPL65R1K0C6SATMA1-ND
别名:SP001163084
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 150μA,
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MOSFET N-CH 700V COOLMOS TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 700V 7.4A(Tc) 68W(Tc) PG-TO252
型号:
IPAW70R950CEXKSA1
仓库库存编号:
IPAW70R950CEXKSA1-ND
别名:SP001619372
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 150μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 700V 12.5A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 700V 12.5A(Tc) 26.5W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPAN70R360P7SXKSA1
仓库库存编号:
IPAN70R360P7SXKSA1-ND
别名:SP001682066
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 150μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 1A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC173N10N3X1SA1
仓库库存编号:
IPC173N10N3X1SA1-ND
别名:SP000899314
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 150μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 100A(Tc) 214W(Tc) PG-TO263-3
型号:
IPB042N10N3GE8187ATMA1
仓库库存编号:
IPB042N10N3GE8187ATMA1TR-ND
别名:IPB042N10N3 G E8187
IPB042N10N3 G E8187-ND
IPB042N10N3 G E8187TR-ND
SP000939332
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MOSFET N-CH 500V 6.1A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 500V 6.1A(Tc) 27.2W(Tc) PG-TO-220-FP
型号:
IPA50R650CE
仓库库存编号:
IPA50R650CE-ND
别名:IPA50R650CEXKSA1
SP000992086
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 150μA,
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