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• Rohm Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 60V 2A MPT6
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 2A 2W Surface Mount MPT6
  
  型号：MP6K31TCR
  仓库库存编号：MP6K31TCRCT-ND
  别名：MP6K31TCRCT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 1mA,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N/P-CH 30V 3.5A MPT6
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 3.5A 2W Surface Mount MPT6
  
  型号：MP6M11TCR
  仓库库存编号：MP6M11TCRCT-ND
  别名：MP6M11TCRCT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 1mA,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N/P-CH 30V 5A MPT6
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 5A 2W Surface Mount MPT6
  
  型号：MP6M12TCR
  仓库库存编号：MP6M12TCRCT-ND
  别名：MP6M12TCRCT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 1mA,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N/P-CH 30V 8A/6A MPT6
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 8A, 6A 2W Surface Mount MPT6
  
  型号：MP6M14TCR
  仓库库存编号：MP6M14TCRCT-ND
  别名：MP6M14TCRCT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 1mA,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 7A MPT6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 7A（Ta） 2W（Ta） MPT6
  
  型号：RP1E070XNTCR
  仓库库存编号：RP1E070XNTCRCT-ND
  别名：RP1E070XNTCRCT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 1mA,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V 7.5A MPT6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 7.5A（Ta） 2W（Ta） MPT6
  
  型号：RP1E075RPTR
  仓库库存编号：RP1E075RPCT-ND
  别名：RP1E075RPTRCT
  RP1E075RPTRCT-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 1mA,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 9A MPT6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 9A（Ta） 2W（Ta） MPT6
  
  型号：RP1E090XNTCR
  仓库库存编号：RP1E090XNTCRCT-ND
  别名：RP1E090XNTCRCT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 1mA,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 10A MPT6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 10A（Ta） 2W（Ta） MPT6
  
  型号：RP1E100XNTR
  仓库库存编号：RP1E100XNCT-ND
  别名：RP1E100XNTRCT
  RP1E100XNTRCT-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 1mA,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 12.5A MPT6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 12.5A（Ta） 2W（Ta） MPT6
  
  型号：RP1E125XNTR
  仓库库存编号：RP1E125XNCT-ND
  别名：RP1E125XNTRCT
  RP1E125XNTRCT-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 1mA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP
  详细描述：Mosfet Array 4 N-Channel 30V 830mA 2W Through Hole 14-DIP
  
  型号：VQ1001P
  仓库库存编号：VQ1001P-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 1mA,
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  含铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP
  详细描述：Mosfet Array 4 N-Channel 30V 830mA 2W Through Hole 14-DIP
  
  型号：VQ1001P-2
  仓库库存编号：VQ1001P-2-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 1mA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP
  详细描述：Mosfet Array 4 N-Channel 30V 830mA 2W Through Hole 14-DIP
  
  型号：VQ1001P-E3
  仓库库存编号：VQ1001P-E3-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 1mA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 4N-CH 90V 0.4A 14DIP
  详细描述：Mosfet Array 4 N-Channel 90V 400mA 2W Through Hole 14-DIP
  
  型号：VQ1006P
  仓库库存编号：VQ1006P-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 1mA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 4N-CH 90V 0.4A 14DIP
  详细描述：Mosfet Array 4 N-Channel 90V 400mA 2W Through Hole 14-DIP
  
  型号：VQ1006P-2
  仓库库存编号：VQ1006P-2-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 1mA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 4N-CH 90V 0.4A 14DIP
  详细描述：Mosfet Array 4 N-Channel 90V 400mA 2W Through Hole 14-DIP
  
  型号：VQ1006P-E3
  仓库库存编号：VQ1006P-E3-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 1mA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N/2P-CH 30V 14DIP
  详细描述：Mosfet Array 2 N and 2 P-Channel 30V 850mA, 600mA 2W
  
  型号：VQ3001P-E3
  仓库库存编号：VQ3001P-E3-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 1mA,
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• EPC
  TRANS GAN 25V BUMPED DIE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15V 3.4A（Ta） 模具
  
  型号：EPC2040ENGR
  仓库库存编号：917-EPC2040ENGR-ND
  别名：917-EPC2040ENGR
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 1mA,
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• EPC
  TRANS GAN 300V 150MO BUMPED DIE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 300V 4A（Ta） 模具
  
  型号：EPC2025
  仓库库存编号：917-1125-1-ND
  别名：917-1125-1
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 1mA,
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• Microsemi Corporation
  POWER MOSFET - SIC
  详细描述：通孔 N 沟道 1200V 25A（Tc） 175W（Tc） TO-247
  
  型号：APT25SM120B
  仓库库存编号：APT25SM120B-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 1mA,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET 3N/3P-CH 60V 20A HSOP
  详细描述：Mosfet Array 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge) 60V 20A 54W Surface Mount 20-HSOP
  
  型号：RJM0603JSC-00#12
  仓库库存编号：RJM0603JSC-00#12-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 1mA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 50V 15.5A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 50V 15.5A（Tc） 50W（Tc） P-TO220AB
  
  型号：BTS115ANKSA1
  仓库库存编号：BTS115ANKSA1-ND
  别名：BTS115A
  BTS115AIN
  BTS115AIN-ND
  SP000011193
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 1mA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 22A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 22A（Tc） 95W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：BTS121ANKSA1
  仓库库存编号：BTS121ANKSA1-ND
  别名：BTS121A
  BTS121AIN
  BTS121AIN-ND
  SP000011200
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 1mA,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 68.9A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 68.9A（Tc） 111W（Tc） DPAK
  
  型号：PHD63NQ03LT,118
  仓库库存编号：PHD63NQ03LT,118-ND
  别名：934057020118
  PHD63NQ03LT/T3
  PHD63NQ03LT/T3-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 1mA,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 75A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 75A（Tc） 166W（Tc） TO-220AB
  
  型号：PHP101NQ03LT,127
  仓库库存编号：PHP101NQ03LT,127-ND
  别名：934057031127
  PHP101NQ03LT
  PHP101NQ03LT-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 1mA,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 75A SOT533
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 75A（Tc） 166W（Tc） I-Pak
  
  型号：PHU101NQ03LT,127
  仓库库存编号：PHU101NQ03LT,127-ND
  别名：934057508127
  PHU101NQ03LT
  PHU101NQ03LT-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 1mA,
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