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Rohm Semiconductor
MOSFET 2N-CH 60V 2A MPT6
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 2A 2W Surface Mount MPT6
型号:
MP6K31TCR
仓库库存编号:
MP6K31TCRCT-ND
别名:MP6K31TCRCT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N/P-CH 30V 3.5A MPT6
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 30V 3.5A 2W Surface Mount MPT6
型号:
MP6M11TCR
仓库库存编号:
MP6M11TCRCT-ND
别名:MP6M11TCRCT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N/P-CH 30V 5A MPT6
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 30V 5A 2W Surface Mount MPT6
型号:
MP6M12TCR
仓库库存编号:
MP6M12TCRCT-ND
别名:MP6M12TCRCT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N/P-CH 30V 8A/6A MPT6
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 30V 8A, 6A 2W Surface Mount MPT6
型号:
MP6M14TCR
仓库库存编号:
MP6M14TCRCT-ND
别名:MP6M14TCRCT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 7A MPT6
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 7A(Ta) 2W(Ta) MPT6
型号:
RP1E070XNTCR
仓库库存编号:
RP1E070XNTCRCT-ND
别名:RP1E070XNTCRCT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 7.5A MPT6
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 7.5A(Ta) 2W(Ta) MPT6
型号:
RP1E075RPTR
仓库库存编号:
RP1E075RPCT-ND
别名:RP1E075RPTRCT
RP1E075RPTRCT-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 9A MPT6
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 9A(Ta) 2W(Ta) MPT6
型号:
RP1E090XNTCR
仓库库存编号:
RP1E090XNTCRCT-ND
别名:RP1E090XNTCRCT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 10A MPT6
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 10A(Ta) 2W(Ta) MPT6
型号:
RP1E100XNTR
仓库库存编号:
RP1E100XNCT-ND
别名:RP1E100XNTRCT
RP1E100XNTRCT-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 12.5A MPT6
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 12.5A(Ta) 2W(Ta) MPT6
型号:
RP1E125XNTR
仓库库存编号:
RP1E125XNCT-ND
别名:RP1E125XNTRCT
RP1E125XNTRCT-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP
详细描述:Mosfet Array 4 N-Channel 30V 830mA 2W Through Hole 14-DIP
型号:
VQ1001P
仓库库存编号:
VQ1001P-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP
详细描述:Mosfet Array 4 N-Channel 30V 830mA 2W Through Hole 14-DIP
型号:
VQ1001P-2
仓库库存编号:
VQ1001P-2-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP
详细描述:Mosfet Array 4 N-Channel 30V 830mA 2W Through Hole 14-DIP
型号:
VQ1001P-E3
仓库库存编号:
VQ1001P-E3-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 4N-CH 90V 0.4A 14DIP
详细描述:Mosfet Array 4 N-Channel 90V 400mA 2W Through Hole 14-DIP
型号:
VQ1006P
仓库库存编号:
VQ1006P-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 4N-CH 90V 0.4A 14DIP
详细描述:Mosfet Array 4 N-Channel 90V 400mA 2W Through Hole 14-DIP
型号:
VQ1006P-2
仓库库存编号:
VQ1006P-2-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 4N-CH 90V 0.4A 14DIP
详细描述:Mosfet Array 4 N-Channel 90V 400mA 2W Through Hole 14-DIP
型号:
VQ1006P-E3
仓库库存编号:
VQ1006P-E3-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N/2P-CH 30V 14DIP
详细描述:Mosfet Array 2 N and 2 P-Channel 30V 850mA, 600mA 2W
型号:
VQ3001P-E3
仓库库存编号:
VQ3001P-E3-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA,
无铅
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EPC
TRANS GAN 25V BUMPED DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 15V 3.4A(Ta) 模具
型号:
EPC2040ENGR
仓库库存编号:
917-EPC2040ENGR-ND
别名:917-EPC2040ENGR
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA,
无铅
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EPC
TRANS GAN 300V 150MO BUMPED DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 300V 4A(Ta) 模具
型号:
EPC2025
仓库库存编号:
917-1125-1-ND
别名:917-1125-1
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA,
无铅
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Microsemi Corporation
POWER MOSFET - SIC
详细描述:通孔 N 沟道 1200V 25A(Tc) 175W(Tc) TO-247
型号:
APT25SM120B
仓库库存编号:
APT25SM120B-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET 3N/3P-CH 60V 20A HSOP
详细描述:Mosfet Array 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge) 60V 20A 54W Surface Mount 20-HSOP
型号:
RJM0603JSC-00#12
仓库库存编号:
RJM0603JSC-00#12-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 50V 15.5A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 50V 15.5A(Tc) 50W(Tc) P-TO220AB
型号:
BTS115ANKSA1
仓库库存编号:
BTS115ANKSA1-ND
别名:BTS115A
BTS115AIN
BTS115AIN-ND
SP000011193
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 22A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 100V 22A(Tc) 95W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
BTS121ANKSA1
仓库库存编号:
BTS121ANKSA1-ND
别名:BTS121A
BTS121AIN
BTS121AIN-ND
SP000011200
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 68.9A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 68.9A(Tc) 111W(Tc) DPAK
型号:
PHD63NQ03LT,118
仓库库存编号:
PHD63NQ03LT,118-ND
别名:934057020118
PHD63NQ03LT/T3
PHD63NQ03LT/T3-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA,
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 75A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 30V 75A(Tc) 166W(Tc) TO-220AB
型号:
PHP101NQ03LT,127
仓库库存编号:
PHP101NQ03LT,127-ND
别名:934057031127
PHP101NQ03LT
PHP101NQ03LT-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA,
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 75A SOT533
详细描述:通孔 N 沟道 30V 75A(Tc) 166W(Tc) I-Pak
型号:
PHU101NQ03LT,127
仓库库存编号:
PHU101NQ03LT,127-ND
别名:934057508127
PHU101NQ03LT
PHU101NQ03LT-ND
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