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• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 75A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 75A（Tc） 136W（Tc） DPAK
  
  型号：PHD82NQ03LT,118
  仓库库存编号：PHD82NQ03LT,118-ND
  别名：934057026118
  PHD82NQ03LT /T3
  PHD82NQ03LT /T3-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 1mA,
• 无铅
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 68.9A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 68.9A（Tc） 111W（Tc） TO-220AB
  
  型号：PHP63NQ03LT,127
  仓库库存编号：PHP63NQ03LT,127-ND
  别名：934057022127
  PHP63NQ03LT
  PHP63NQ03LT-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 1mA,
• 无铅
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 75A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 75A（Tc） 120W（Tc） TO-220AB
  
  型号：PHP71NQ03LT,127
  仓库库存编号：PHP71NQ03LT,127-ND
  别名：934057025127
  PHP71NQ03LT
  PHP71NQ03LT-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 1mA,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 11.5A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 11.5A（Tc） 40W（Tc） P-TO220AB
  
  型号：BTS113ANKSA1
  仓库库存编号：BTS113ANKSA1-ND
  别名：BTS113A
  BTS113A-ND
  SP000011187
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 1mA,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 11.5A TO-220AB
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 11.5A（Tc） 40W（Tc） TO-220AB
  
  型号：BTS113AE3045ANTMA1
  仓库库存编号：BTS113AE3045ANTMA1TR-ND
  别名：BTS113A E3045A
  BTS113A E3045A-ND
  BTS113AE3045AT
  SP000011188
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 1mA,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 11.5A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 11.5A（Tc） 40W（Tc） P-TO220AB
  
  型号：BTS113AE3064NKSA1
  仓库库存编号：BTS113AE3064NKSA1-ND
  别名：BTS113A E3064
  BTS113A E3064-ND
  BTS113AE3064
  SP000011189
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 1mA,
• 含铅
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 300mA（Ta） 830mW（Ta） TO-236AB（SOT23）
  
  型号：2N7002T,215
  仓库库存编号：2N7002T,215-ND
  别名：2N7002T T/R
  2N7002T T/R-ND
  934055796215
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 1mA,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N CH 100V 22A TO-220AB
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 22A（Tc） 95W（Tc） TO-220AB
  
  型号：BTS121AE3045ANTMA1
  仓库库存编号：BTS121AE3045ANTMA1CT-ND
  别名：BTS121A E3045ACT
  BTS121A E3045ACT-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 1mA,
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