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Diodes Incorporated
MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 1A 320mW Surface Mount SOT-363
型号：
DMN3190LDW-7
仓库库存编号：
DMN3190LDW-7DICT-ND
别名：DMN3190LDW-7DICT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.8V @ 250μA,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 100V 5A 8DFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 5A（Ta），12.5A（Tc） 3.1W（Ta），20.8W（Tc） 8-DFN（3x3）
型号：
AON7296
仓库库存编号：
785-1731-1-ND
别名：785-1731-1
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.8V @ 250μA,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET 2P-CH 30V 9A 8-SOIC
详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 9A 2W Surface Mount 8-SOIC
型号：
AO4805
仓库库存编号：
785-1055-1-ND
别名：785-1055-1
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.8V @ 250μA,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 60V 30A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 6.5A（Ta），30A（Tc） 2.5W（Ta），52W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
AOD4130
仓库库存编号：
785-1216-1-ND
别名：785-1216-1
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.8V @ 250μA,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 40V 12A 8MLP
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 12A 800mW Surface Mount 8-Power33 (3x3)
型号：
FDMC8030
仓库库存编号：
FDMC8030CT-ND
别名：FDMC8030CT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.8V @ 250μA,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 5A SOT-223-4
详细描述：表面贴装 P 沟道 5A（Ta） 3W（Ta） SOT-223-4
型号：
NDT452AP
仓库库存编号：
NDT452APCT-ND
别名：NDT452APCT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.8V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 40V 20A PPAK SO-8
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 20A 15.6W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
型号：
SI7288DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7288DP-T1-GE3CT-ND
别名：SI7288DP-T1-GE3CT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.8V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 5W（Ta），62.5W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SIR876ADP-T1-GE3
仓库库存编号：
SIR876ADP-T1-GE3CT-ND
别名：SIR876ADP-T1-GE3CT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.8V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 18.4A 8SO
详细描述：表面贴装 N 沟道 18.4A（Tc） 3W（Ta），6W（Tc） 8-SO
型号：
SI4190ADY-T1-GE3
仓库库存编号：
SI4190ADY-T1-GE3CT-ND
别名：SI4190ADY-T1-GE3CT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.8V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 5.4W（Ta），83W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SIR882DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SIR882DP-T1-GE3CT-ND
别名：SIR882DP-T1-GE3CT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.8V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 6.25W（Ta），104W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SIR880DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SIR880DP-T1-GE3CT-ND
别名：SIR880DP-T1-GE3CT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.8V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 6.25W（Ta），104W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SIR826DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SIR826DP-T1-GE3CT-ND
别名：SIR826DP-T1-GE3CT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.8V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 2.4W（Ta），5W（Tc） 8-SO
型号：
SI4178DY-T1-GE3
仓库库存编号：
SI4178DY-T1-GE3CT-ND
别名：SI4178DY-T1-GE3CT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.8V @ 250μA,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N CH 100V 6.8A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 6.8A（Tc） 14.9W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
FDD1600N10ALZ
仓库库存编号：
FDD1600N10ALZCT-ND
别名：FDD1600N10ALZCT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.8V @ 250μA,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 3.7A, 2.9A 900mW Surface Mount 8-SO
型号：
NDS9952A
仓库库存编号：
NDS9952ACT-ND
别名：NDS9952ACT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.8V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 27.5A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 27.5A（Tc） 5W（Ta），35.7W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SI7456CDP-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7456CDP-T1-GE3CT-ND
别名：SI7456CDP-T1-GE3CT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.8V @ 250μA,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 150V 19A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 3A（Ta），19A（Tc） 2.5W（Ta），83W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
AOD256
仓库库存编号：
785-1476-1-ND
别名：785-1476-1
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.8V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 33A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 33A（Tc） 3.5W（Ta），7.8W（Tc） 8-SO
型号：
SI4456DY-T1-E3
仓库库存编号：
SI4456DY-T1-E3CT-ND
别名：SI4456DY-T1-E3CT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.8V @ 250μA,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 4A SOT223
详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Tc） 3.3W（Tc） SOT-223
型号：
STN3NF06L
仓库库存编号：
497-3177-1-ND
别名：497-3177-1
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.8V @ 250μA,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V SOT-223-4
详细描述：表面贴装 N 沟道 5.6A（Tc） 10.42W（Tc） SOT-223-4
型号：
FDT1600N10ALZ
仓库库存编号：
FDT1600N10ALZCT-ND
别名：FDT1600N10ALZCT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.8V @ 250μA,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 300V .55A 6UDFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 550mA（Ta） 630mW（Ta） U-DFN2020-6（E 类）
型号：
DMN30H4D0LFDE-7
仓库库存编号：
DMN30H4D0LFDE-7DICT-ND
别名：DMN30H4D0LFDE-7DICT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.8V @ 250μA,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 6.8A TO252-5L
详细描述：表面贴装 N 沟道 6.8A（Tc） 14.9W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
FDD1600N10ALZD
仓库库存编号：
FDD1600N10ALZDCT-ND
别名：FDD1600N10ALZDCT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.8V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 35A 1212-8
详细描述：表面贴装 P 沟道 35A（Tc） 3.8W（Ta），52.1W（Tc） PowerPAK? 1212-8
型号：
SI7129DN-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7129DN-T1-GE3CT-ND
别名：SI7129DN-T1-GE3CT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.8V @ 250μA,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET 2N-CH 30V 3.7A 8-SOIC
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 3.7A 2W Surface Mount 8-SOP
型号：
DI9956T
仓库库存编号：
DI9956CT-ND
别名：DI9956
DI9956CT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.8V @ 250μA,
含铅
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Diodes Incorporated
MOSFET 2N-CH 30V 3.7A 8-SOIC
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 3.7A 2W Surface Mount 8-SOP
型号：
DI9956T
仓库库存编号：
981-DI9956T-CHP
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.8V @ 250μA,
含铅
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