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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 27.8A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 27.8A(Tc) 5W(Ta),35.7W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7456DDP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7456DDP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7456DDP-T1-GE3CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.8V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 5W(Ta),44.5W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR878ADP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR878ADP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR878ADP-T1-GE3CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.8V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 5W(Ta),44.5W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR878DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR878DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR878DP-T1-GE3CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.8V @ 250μA,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 30V 3.4A 8-SOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.4A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
DI9400T
仓库库存编号:
DI9400CT-ND
别名:DI9400
DI9400CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.8V @ 250μA,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 5.4W(Ta),83W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR882ADP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR882ADP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR882ADP-T1-GE3CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.8V @ 250μA,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N CH 100V 4.5A DFN 2X2B
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.5A(Ta) 2.8W(Ta) 6-DFN-EP(2x2)
型号:
AON2290
仓库库存编号:
785-1606-1-ND
别名:785-1606-1
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.8V @ 250μA,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 4A(Tc) 3.3W(Tc) SOT-223
型号:
STN4NF06L
仓库库存编号:
497-10315-1-ND
别名:497-10315-1
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.8V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 11.1A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 11.1A(Tc) 2.5W(Ta),5.7W(Tc) 8-SO
型号:
SI4056DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4056DY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4056DY-T1-GE3CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.8V @ 250μA,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 30V 25A 8DFN
详细描述:表面贴装 P 沟道 25A(Ta),50A(Tc) 6.25W(Ta),83W(Tc) 8-DFN-EP(3.3x3.3)
型号:
AON7405
仓库库存编号:
785-1305-1-ND
别名:785-1305-1
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.8V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 6.25W(Ta),104W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR826ADP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR826ADP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR826ADP-T1-GE3CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.8V @ 250μA,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 26A DPAK-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 26A(Tc) 63W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
FDD390N15ALZ
仓库库存编号:
FDD390N15ALZCT-ND
别名:FDD390N15ALZCT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.8V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 35A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 35A(Tc) 4.2W(Ta),35.7W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7143DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7143DP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7143DP-T1-GE3CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.8V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 10.3A(Tc) 8-SOIC
型号:
SI4058DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4058DY-T1-GE3-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.8V @ 250μA,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 100V 2.5A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.5A(Ta),11A(Tc) 2.1W(Ta),45W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
AOD478
仓库库存编号:
785-1599-1-ND
别名:785-1599-1
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.8V @ 250μA,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET 2N-CH 100V 4A 8SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 4A 2W Surface Mount 8-SOIC
型号:
AO4892
仓库库存编号:
AO4892-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.8V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 12A 8SO
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Tc) 2.4W(Ta),5W(Tc) 8-SO
型号:
SI4178DY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4178DY-T1-E3-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.8V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 50A 1212-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 50A(Tc) 3.8W(Ta),52.1W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SIS439DNT-T1-GE3
仓库库存编号:
SIS439DNT-T1-GE3CT-ND
别名:SIS439DNT-T1-GE3CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.8V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 40A PPAK 8SO
详细描述:表面贴装 P 沟道 40A(Tc) 5W(Ta),56.8W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR403EDP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR403EDP-T1-GE3-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.8V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 17.3A 8-SO
详细描述:表面贴装 P 沟道 17.3A(Ta) 3.1W(Ta),6.9W(Tc) 8-SO
型号:
SI4491EDY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4491EDY-T1-GE3-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.8V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO-8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8A 17.8W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
型号:
SI7270DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7270DP-T1-GE3-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.8V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO-8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8A 17.8W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
型号:
SIR770DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR770DP-T1-GE3-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.8V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 5W(Ta),56.8W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR670DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR670DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR670DP-T1-GE3CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.8V @ 250μA,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 150V 3A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 3A(Ta),12A(Tc) 2.1W(Ta),33W(Tc) TO-220-3F
型号:
AOTF256L
仓库库存编号:
AOTF256L-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.8V @ 250μA,
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 100V SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 11.5A(Ta),29.5A(Tc) 1.4W(Ta) 8-SO
型号:
DMT10H010LSS-13
仓库库存编号:
DMT10H010LSS-13-ND
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 150V 3A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 3A(Ta),19A(Tc) 2.1W(Ta),83W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
AOB256L
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AOB256L-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.8V @ 250μA,
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