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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB015N04L G
  仓库库存编号：IPB015N04L GCT-ND
  别名：IPB015N04L GCT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 200μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 180A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-7-3
  
  型号：IPB011N04L G
  仓库库存编号：IPB011N04L GCT-ND
  别名：IPB011N04L GCT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 200μA,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 30V 9A 8SOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 9A（Ta） 1W（Ta） 8-SOP
  
  型号：TPC8129,LQ(S
  仓库库存编号：TPC8129LQ(S-ND
  别名：TPC8129LQ(S
  TPC8129LQS
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 200μA,
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  无铅
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 40V 7A 8SOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 7A（Ta） 1W（Ta） 8-SOP
  
  型号：TPC8132,LQ(S
  仓库库存编号：TPC8132LQ(S-ND
  别名：TPC8132LQ(S
  TPC8132LQS
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 200μA,
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  无铅
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