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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 120V 120A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB038N12N3 G
仓库库存编号：
IPB038N12N3 GCT-ND
别名：IPB038N12N3 GCT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 270μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB072N15N3 G
仓库库存编号：
IPB072N15N3 GCT-ND
别名：IPB072N15N3 GCT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 270μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 64A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 64A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB64N25S320ATMA1
仓库库存编号：
IPB64N25S320ATMA1CT-ND
别名：IPB64N25S320ATMA1CT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 270μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 120V 180A TO263-7
详细描述：表面贴装 N 沟道 180A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-7
型号：
IPB036N12N3 G
仓库库存编号：
IPB036N12N3 GCT-ND
别名：IPB036N12N3 GCT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 270μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7
详细描述：表面贴装 N 沟道 130A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-7
型号：
IPB065N15N3 G
仓库库存编号：
IPB065N15N3 GCT-ND
别名：IPB065N15N3 GCT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 270μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 88A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 88A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB107N20N3 G
仓库库存编号：
IPB107N20N3 GCT-ND
别名：IPB107N20N3 GCT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 270μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 88A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 88A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3
型号：
IPB107N20NA
仓库库存编号：
IPB107N20NACT-ND
别名：IPB107N20NACT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 270μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 100A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP075N15N3GXKSA1
仓库库存编号：
IPP075N15N3GXKSA1-ND
别名：IPP075N15N3 G
IPP075N15N3 G-ND
IPP075N15N3G
SP000680832
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 270μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 84A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 84A（Tc） 300W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP120N20NFDAKSA1
仓库库存编号：
IPP120N20NFDAKSA1-ND
别名：SP001108122
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 270μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 88A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 88A（Tc） 300W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP110N20N3 G
仓库库存编号：
IPP110N20N3 G-ND
别名：IPP110N20N3G
IPP110N20N3GXKSA1
SP000677892
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 270μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 64A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 64A（Tc） 300W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP200N25N3 G
仓库库存编号：
IPP200N25N3 G-ND
别名：IPP200N25N3G
IPP200N25N3GXKSA1
SP000677894
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 270μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 88A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 88A（Tc） 300W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP110N20NA
仓库库存编号：
IPP110N20NA-ND
别名：IPP110N20NAAKSA1
SP000877672
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 270μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 120V 120A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 300W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP041N12N3 G
仓库库存编号：
IPP041N12N3 G-ND
别名：IPP041N12N3G
IPP041N12N3GXKSA1
SP000652746
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 270μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 61A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 61A（Tc） 300W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP220N25NFDAKSA1
仓库库存编号：
IPP220N25NFDAKSA1-ND
别名：SP001108126
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 270μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 43A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 43A（Tc） 39W（Tc） PG-TO220-3
型号：
IPA075N15N3 G
仓库库存编号：
IPA075N15N3 G-ND
别名：IPA075N15N3G
IPA075N15N3GXKSA1
SP000607018
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 270μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 100A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI075N15N3GXKSA1
仓库库存编号：
IPI075N15N3GXKSA1-ND
别名：SP000680676
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 270μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 84A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 84A（Tc） 300W（Tc） TO-263-3
型号：
IPB117N20NFDATMA1
仓库库存编号：
IPB117N20NFDATMA1CT-ND
别名：IPB117N20NFDATMA1-ND
IPB117N20NFDATMA1CT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 270μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 64A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 64A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB200N25N3 G
仓库库存编号：
IPB200N25N3 GCT-ND
别名：IPB200N25N3 GCT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 270μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 155A 8HSOF
详细描述：表面贴装 N 沟道 155A（Tc） 375W（Tc） PG-HSOF-8-1
型号：
IPT059N15N3ATMA1
仓库库存编号：
IPT059N15N3ATMA1CT-ND
别名：IPT059N15N3ATMA1CT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 270μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V BARE DIE
详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 1A（Tj） 带箔切割晶片
型号：
IPC302N15N3X1SA1
仓库库存编号：
IPC302N15N3X1SA1-ND
别名：SP000875892
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 270μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 120V 120A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 120V 120A（Tc） 300W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI041N12N3GAKSA1
仓库库存编号：
IPI041N12N3GAKSA1-ND
别名：IPI041N12N3 G
IPI041N12N3 G-ND
IPI041N12N3G
SP000652748
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 270μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V BARE DIE
详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 1A（Tj） 带箔切割晶片
型号：
IPC302N25N3X1SA1
仓库库存编号：
IPC302N25N3X1SA1-ND
别名：SP000870638
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 270μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V BARE DIE
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 1A（Tj） 带箔切割晶片
型号：
IPC302N20NFDX1SA1
仓库库存编号：
IPC302N20NFDX1SA1-ND
别名：SP001363494
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 270μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V BARE DIE
详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 1A（Tj） 带箔切割晶片
型号：
IPC302N25N3AX1SA1
仓库库存编号：
IPC302N25N3AX1SA1-ND
别名：SP000691616
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 270μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 88A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 200V 88A（Tc） 300W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI110N20N3GAKSA1
仓库库存编号：
IPI110N20N3GAKSA1-ND
别名：IPI110N20N3 G
IPI110N20N3 G-ND
IPI110N20N3G
SP000714304
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 270μA,
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