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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 17A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 208W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP17N80C3
仓库库存编号：
SPP17N80C3IN-ND
别名：SP000013354
SP000683164
SPP17N80C3IN
SPP17N80C3X
SPP17N80C3XK
SPP17N80C3XKSA1
SPP17N80C3XTIN
SPP17N80C3XTIN-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.9V @ 1mA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 17A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 42W（Tc） PG-TO220-3
型号：
SPA17N80C3
仓库库存编号：
SPA17N80C3IN-ND
别名：SP000216353
SPA17N80C3IN
SPA17N80C3X
SPA17N80C3XK
SPA17N80C3XKSA1
SPA17N80C3XTIN
SPA17N80C3XTIN-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.9V @ 1mA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 20.7A（Tc） 208W（Tc） PG-TO247-3
型号：
SPW20N60C3
仓库库存编号：
SPW20N60C3IN-ND
别名：SP000013729
SPW20N60C3FKSA1
SPW20N60C3IN
SPW20N60C3XK
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.9V @ 1mA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 17A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 227W（Tc） PG-TO247-3
型号：
SPW17N80C3
仓库库存编号：
SPW17N80C3IN-ND
别名：SP000013369
SPW17N80C3FKSA1
SPW17N80C3IN
SPW17N80C3X
SPW17N80C3XK
SPW17N80C3XTIN
SPW17N80C3XTIN-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.9V @ 1mA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 20.7A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 20.7A（Tc） 208W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP20N60C3XKSA1
仓库库存编号：
SPP20N60C3XKSA1-ND
别名：SP000681058
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.9V @ 1mA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 20.7A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 20.7A（Tc） 34.5W（Tc） PG-TO220-3-31 整包
型号：
SPA20N60C3XKSA1
仓库库存编号：
SPA20N60C3XKSA1-ND
别名：SP000216354
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.9V @ 1mA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 560V 21A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 21A（Tc） 208W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB21N50C3
仓库库存编号：
SPB21N50C3INCT-ND
别名：SPB21N50C3INCT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.9V @ 1mA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 21A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 21A（Tc） 208W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP21N50C3XKSA1
仓库库存编号：
SPP21N50C3XKSA1-ND
别名：SP000681066
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.9V @ 1mA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 560V 21A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 21A（Tc） 208W（Tc） PG-TO247-3
型号：
SPW21N50C3
仓库库存编号：
SPW21N50C3IN-ND
别名：SP000014464
SPW21N50C3FKSA1
SPW21N50C3IN
SPW21N50C3X
SPW21N50C3XK
SPW21N50C3XTIN
SPW21N50C3XTIN-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.9V @ 1mA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-220-3
详细描述：通孔 N 沟道 20.7A（Tc） 208W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP20N65C3XKSA1
仓库库存编号：
SPP20N65C3XKSA1-ND
别名：SP000681064
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.9V @ 1mA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 17A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Tc） 227W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB17N80C3
仓库库存编号：
SPB17N80C3INCT-ND
别名：SPB17N80C3INCT
SPB17N80C3XTINCT
SPB17N80C3XTINCT-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.9V @ 1mA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V TO-220-3
详细描述：通孔 N 沟道 16.7A（Tc） 35W（Tc） PG-TO220FP
型号：
IPA80R310CEXKSA2
仓库库存编号：
IPA80R310CEXKSA2-ND
别名：SP001313398
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.9V @ 1mA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 20.7A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20.7A（Tc） 208W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB20N60C3
仓库库存编号：
SPB20N60C3INCT-ND
别名：SPB20N60C3INCT
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.9V @ 1mA,
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 40A SOT-227
详细描述：底座安装 N 沟道 40A（Tc） 290W（Tc） SOT-227
型号：
APT40N60JCU2
仓库库存编号：
APT40N60JCU2-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.9V @ 1mA,
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 15A ISOPLUS220
详细描述：通孔 N 沟道 15A（Tc） ISOPLUS220?
型号：
IXKC20N60C
仓库库存编号：
IXKC20N60C-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.9V @ 1mA,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 40A SOT-227
详细描述：底座安装 N 沟道 600V 40A（Tc） 290W（Tc） SOT-227
型号：
APT40N60JCU3
仓库库存编号：
APT40N60JCU3-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.9V @ 1mA,
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Microsemi Corporation
MOSFET 4N-CH 800V 15A SP3
详细描述：Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 800V 15A 156W Chassis Mount SP3
型号：
APTC80H29T3G
仓库库存编号：
APTC80H29T3G-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.9V @ 1mA,
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Microsemi Corporation
MOSFET 4N-CH 800V 15A SP4
详细描述：Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 800V 15A 156W Chassis Mount SP4
型号：
APTC80H29SCTG
仓库库存编号：
APTC80H29SCTG-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.9V @ 1mA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 560V 21A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 560V 21A（Tc） 34.5W（Tc） PG-TO220-FP
型号：
SPA21N50C3
仓库库存编号：
SPA21N50C3IN-ND
别名：SP000216364
SPA21N50C3IN
SPA21N50C3X
SPA21N50C3XK
SPA21N50C3XKSA1
SPA21N50C3XTIN
SPA21N50C3XTIN-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.9V @ 1mA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 560V 21A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 560V 21A（Tc） 208W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
SPI21N50C3XKSA1
仓库库存编号：
SPI21N50C3XKSA1-ND
别名：SP000681012
SPI21N50C3
SPI21N50C3-ND
SPI21N50C3X
SPI21N50C3XK
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.9V @ 1mA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 650V 20.7A（Tc） 208W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
SPI20N60C3XKSA1
仓库库存编号：
SPI20N60C3XKSA1-ND
别名：SP000681006
SPI20N60C3
SPI20N60C3-ND
SPI20N60C3IN
SPI20N60C3IN-ND
SPI20N60C3X
SPI20N60C3XK
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.9V @ 1mA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 650V 20.7A（Tc） 34.5W（Tc） PG-TO220-3
型号：
SPA20N65C3
仓库库存编号：
SPA20N65C3IN-ND
别名：SP000216362
SPA20N65C3IN
SPA20N65C3XK
SPA20N65C3XKSA1
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.9V @ 1mA,
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 17A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 800V 17A（Tc） 208W（Tc） TO-247-3
型号：
APT17N80BC3G
仓库库存编号：
APT17N80BC3G-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.9V @ 1mA,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 17A D3PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 17A（Tc） 208W（Tc） D3Pak
型号：
APT17N80SC3G
仓库库存编号：
APT17N80SC3G-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.9V @ 1mA,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 20.7A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 600V 20.7A（Tc） 208W（Tc） TO-247-3
型号：
APT20N60BC3G
仓库库存编号：
APT20N60BC3G-ND
规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.9V @ 1mA,
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