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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 600V 0.05A SOT23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50mA（Ta） 610mW（Ta） SOT-23
  
  型号：BSS127S-7
  仓库库存编号：BSS127S-7DICT-ND
  别名：BSS127S-7DICT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4.5V @ 250μA,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 2.5A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.5A（Tc） 56.8W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：AOD3N60
  仓库库存编号：785-1181-1-ND
  别名：785-1181-1
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4.5V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 150V 0.53A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 530mA（Ta） 750mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：SI2325DS-T1-E3
  仓库库存编号：SI2325DS-T1-E3CT-ND
  别名：SI2325DS-T1-E3CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4.5V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 150V 0.53A SOT-23
  详细描述：表面贴装 P 沟道 530mA（Ta） 750mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：SI2325DS-T1-GE3
  仓库库存编号：SI2325DS-T1-GE3CT-ND
  别名：SI2325DS-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4.5V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 150V 2.17A 1212-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.17A（Tc） 3.2W（Ta），12.5W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7117DN-T1-E3
  仓库库存编号：SI7117DN-T1-E3CT-ND
  别名：SI7117DN-T1-E3CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4.5V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 3.4A 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.4A（Ta） 1.5W（Ta） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7810DN-T1-E3
  仓库库存编号：SI7810DN-T1-E3CT-ND
  别名：SI7810DN-T1-E3CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4.5V @ 250μA,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 6.2A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.2A（Ta） 3.1W（Ta），69W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
  
  型号：FDD3860
  仓库库存编号：FDD3860CT-ND
  别名：FDD3860CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4.5V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 80V 30A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 5W（Ta），62.5W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7852ADP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7852ADP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7852ADP-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4.5V @ 250μA,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 3A 8-SO
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：FDS2670
  仓库库存编号：FDS2670CT-ND
  别名：FDS2670CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4.5V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 6.25W（Ta），104W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7178DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7178DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7178DP-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4.5V @ 250μA,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 75V 100A 8QFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 830mW（Ta），104.2W（Tc） 8-PQFN（5x6），Power56
  
  型号：FDMS037N08B
  仓库库存编号：FDMS037N08BCT-ND
  别名：FDMS037N08BCT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4.5V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 6.25W（Ta），104W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7164DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7164DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7164DP-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4.5V @ 250μA,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N CH 80V 24A 8-PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Ta），76A（Tc） 3.2W（Ta），125W（Tc） Dual Cool?56
  
  型号：FDMS86300DC
  仓库库存编号：FDMS86300DCFSCT-ND
  别名：FDMS86300DCFSCT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4.5V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 150V 26A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 26A（Tc） 5.2W（Ta），64W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7430DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7430DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7430DP-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4.5V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 150V 7.7A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7.7A（Tc） 3.1W（Ta），5.9W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4472DY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4472DY-T1-E3CT-ND
  别名：SI4472DY-T1-E3CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4.5V @ 250μA,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N CH 60V 29A 8-PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 29A（Ta），108A（Tc） 3.2W（Ta），125W（Tc） Dual Cool?56
  
  型号：FDMS86500DC
  仓库库存编号：FDMS86500DCFSCT-ND
  别名：FDMS86500DCFSCT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4.5V @ 250μA,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 80V 19A POWER56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 19A（Ta），80A（Tc） 2.5W（Ta），104W（Tc） 8-PQFN（5x6），Power56
  
  型号：FDMS86300
  仓库库存编号：FDMS86300CT-ND
  别名：FDMS86300CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4.5V @ 250μA,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 10A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Tc） 115W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB10NK60ZT4
  仓库库存编号：497-6544-1-ND
  别名：497-6544-1
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4.5V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 75V 60A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 6.25W（Ta），104W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7174DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7174DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7174DP-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4.5V @ 250μA,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 395W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB024N06
  仓库库存编号：FDB024N06CT-ND
  别名：FDB024N06CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4.5V @ 250μA,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 180A（Tc） 315W（Tc） H2PAK
  
  型号：STH315N10F7-6
  仓库库存编号：497-14719-1-ND
  别名：497-14719-1
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4.5V @ 250μA,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 375W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB031N08
  仓库库存编号：FDB031N08CT-ND
  别名：FDB031N08CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4.5V @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 110A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 110A（Tc） 3.75W（Ta），375W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：SUM110N06-3M9H-E3
  仓库库存编号：SUM110N06-3M9H-E3CT-ND
  别名：SUM110N06-3M9H-E3CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4.5V @ 250μA,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 100V 180A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 180A（Tc） 315W（Tc） TO-220
  
  型号：STP315N10F7
  仓库库存编号：497-14717-5-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4.5V @ 250μA,
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• IXYS
  MOSFET P-CH 100V 52A TO-3P
  详细描述：通孔 P 沟道 52A（Tc） 300W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ52P10P
  仓库库存编号：IXTQ52P10P-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4.5V @ 250μA,
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