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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59
详细描述:表面贴装 N 沟道 9.3A(Ta) 680mW(Ta) SC-59
型号:
DMN1019USN-13
仓库库存编号:
DMN1019USN-13DICT-ND
别名:DMN1019USN-13DICT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 800mV @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 1.4A SC70
详细描述:表面贴装 P 沟道 1.4A(Tc) 500mW(Tc) SOT-323
型号:
SI1317DL-T1-GE3
仓库库存编号:
SI1317DL-T1-GE3CT-ND
别名:SI1317DL-T1-GE3CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 800mV @ 250μA,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N CH 12V 11A U-DFN2020-6E
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Ta) 690mW(Ta) U-DFN2020-6(E 类)
型号:
DMN1019UFDE-7
仓库库存编号:
DMN1019UFDE-7DICT-ND
别名:DMN1019UFDE-7DICT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 800mV @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 8V 12A SC70-6L
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Tc) 3.5W(Ta),19W(Tc) PowerPAK? SC-70-6 单
型号:
SIA436DJ-T1-GE3
仓库库存编号:
SIA436DJ-T1-GE3CT-ND
别名:SIA436DJ-T1-GE3CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 800mV @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 20V 4A 3.1W Surface Mount 1206-8 ChipFET?
型号:
SI5515CDC-T1-GE3
仓库库存编号:
SI5515CDC-T1-GE3CT-ND
别名:SI5515CDC-T1-GE3CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 800mV @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 8V 0.9A SC70-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 900mA(Tc) 400mW(Tc) SOT-323
型号:
SI1315DL-T1-GE3
仓库库存编号:
SI1315DL-T1-GE3CT-ND
别名:SI1315DL-T1-GE3CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 800mV @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 2.1A MICROFOOT
详细描述:表面贴装 N 沟道 500mW(Ta) 4-Microfoot
型号:
SI8824EDB-T2-E1
仓库库存编号:
SI8824EDB-T2-E1CT-ND
别名:SI8824EDB-T2-E1CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 800mV @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 8V 12A 6SC-70
详细描述:表面贴装 P 沟道 12A(Tc) 19W(Tc) PowerPAK? SC-70-6 单
型号:
SIA427ADJ-T1-GE3
仓库库存编号:
SIA427ADJ-T1-GE3CT-ND
别名:SIA427ADJ-T1-GE3CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 800mV @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 8V 12A SC-70-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 12A(Tc) 3.5W(Ta),19W(Tc) PowerPAK? SC-70-6 单
型号:
SIA427DJ-T1-GE3
仓库库存编号:
SIA427DJ-T1-GE3CT-ND
别名:SIA427DJ-T1-GE3CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 800mV @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 8V 6A SOT-23
详细描述:表面贴装 P 沟道 6A(Tc) 2.5W(Tc) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SI2329DS-T1-GE3
仓库库存编号:
SI2329DS-T1-GE3CT-ND
别名:SI2329DS-T1-GE3CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 800mV @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 8V 1.6A SC70-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 1.6A(Tc) 2.5W(Ta),2.78W(Tc) SC-70-6(SOT-363)
型号:
SI1499DH-T1-E3
仓库库存编号:
SI1499DH-T1-E3CT-ND
别名:SI1499DH-T1-E3CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 800mV @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 8V 11.7A 2X2 4-MFP
详细描述:表面贴装 P 沟道 11.7A(Tc) 2.77W(Ta),6.25W(Tc) 4-Microfoot
型号:
SI8429DB-T1-E1
仓库库存编号:
SI8429DB-T1-E1CT-ND
别名:SI8429DB-T1-E1CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 800mV @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 12V 16A MICROFOOT
详细描述:表面贴装 P 沟道 16A(Tc) 2.77W(Ta),13W(Tc) 6-Micro Foot?
型号:
SI8483DB-T2-E1
仓库库存编号:
SI8483DB-T2-E1CT-ND
别名:SI8483DB-T2-E1CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 800mV @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 8V 1.6A SC-70-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 1.6A(Tc) 2.5W(Ta),2.78W(Tc) SC-70-6(SOT-363)
型号:
SI1499DH-T1-GE3
仓库库存编号:
SI1499DH-T1-GE3CT-ND
别名:SI1499DH-T1-GE3CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 800mV @ 250μA,
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 5.8A(Tc) 1.56W(Tc) SOT-23
型号:
TSM250N02CX RFG
仓库库存编号:
TSM250N02CX RFGTR-ND
别名:TSM250N02CX RFGTR
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 800mV @ 250μA,
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 5.8A(Tc) 1.56W(Tc) SOT-23
型号:
TSM250N02CX RFG
仓库库存编号:
TSM250N02CX RFGCT-ND
别名:TSM250N02CX RFGCT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 800mV @ 250μA,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 5.8A(Tc) 1.56W(Tc) SOT-23
型号:
TSM250N02CX RFG
仓库库存编号:
TSM250N02CX RFGDKR-ND
别名:TSM250N02CX RFGDKR
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 800mV @ 250μA,
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, DUAL, P-CHANNEL, -20V, -
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 4.7A (Tc) 620mW Surface Mount 6-TDFN (2x2)
型号:
TSM500P02DCQ RFG
仓库库存编号:
TSM500P02DCQ RFGTR-ND
别名:TSM500P02DCQ RFGTR
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 800mV @ 250μA,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, DUAL, P-CHANNEL, -20V, -
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 4.7A (Tc) 620mW Surface Mount 6-TDFN (2x2)
型号:
TSM500P02DCQ RFG
仓库库存编号:
TSM500P02DCQ RFGCT-ND
别名:TSM500P02DCQ RFGCT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 800mV @ 250μA,
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, DUAL, P-CHANNEL, -20V, -
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 4.7A (Tc) 620mW Surface Mount 6-TDFN (2x2)
型号:
TSM500P02DCQ RFG
仓库库存编号:
TSM500P02DCQ RFGDKR-ND
别名:TSM500P02DCQ RFGDKR
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 800mV @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 12V 9A SC-75-6L
详细描述:表面贴装 N 沟道 12V 9A(Tc) 2.5W(Ta),13W(Tc)
型号:
SIB404DK-T1-GE3
仓库库存编号:
SIB404DK-T1-GE3CT-ND
别名:SIB404DK-T1-GE3CT
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Vishay Siliconix
MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 20V 4A (Tc) 3.1W Surface Mount
型号:
SI5515CDC-T1-E3
仓库库存编号:
SI5515CDC-T1-E3CT-ND
别名:SI5515CDC-T1-E3CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 800mV @ 250μA,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 20V 1A SC70-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 1A(Ta) 350mW(Ta) SC-70-3
型号:
AO7404
仓库库存编号:
785-1086-1-ND
别名:785-1086-1
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 800mV @ 250μA,
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CHA 12V 2.5A WLB0808
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.5A(Ta) 670mW(Ta) X2-WLB0808-4
型号:
DMP1100UCB4-7
仓库库存编号:
DMP1100UCB4-7DICT-ND
别名:DMP1100UCB4-7DICT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 800mV @ 250μA,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59
详细描述:表面贴装 N 沟道 9.3A(Ta) 680mW(Ta) SC-59
型号:
DMN1019USN-7
仓库库存编号:
DMN1019USN-7DICT-ND
别名:DMN1019USN-7DICT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 800mV @ 250μA,
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