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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 12V SC-89
  详细描述：表面贴装 P 沟道 190mW（Ta） SC-89-3
  
  型号：SI1011X-T1-GE3
  仓库库存编号：SI1011X-T1-GE3CT-ND
  别名：SI1011X-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 800mV @ 250μA,
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• Micro Commercial Co
  P-CHANNEL MOSFET, SOT-723 PACKAG
  详细描述：表面贴装 P 沟道 660mA 150mW SOT-723
  
  型号：SI3139K-TP
  仓库库存编号：SI3139K-TPMSCT-ND
  别名：SI3139K-TPMSCT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 800mV @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 8V 6A SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Tc） 2.5W（Tc） SOT-23
  
  型号：SI2342DS-T1-GE3
  仓库库存编号：SI2342DS-T1-GE3CT-ND
  别名：SI2342DS-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 800mV @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 8V 3.6A MICRO
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4.6A（Ta） 780mW（Ta），1.8W（Tc）
  
  型号：SI8469DB-T2-E1
  仓库库存编号：SI8469DB-T2-E1CT-ND
  别名：SI8469DB-T2-E1CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 800mV @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 8V MICROFOOT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.1W（Ta），2.7W（Tc） 4-Microfoot
  
  型号：SI8424CDB-T1-E1
  仓库库存编号：SI8424CDB-T1-E1CT-ND
  别名：SI8424CDB-T1-E1CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 800mV @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 8V MICROFOOT
  详细描述：表面贴装 P 沟道 1.1W（Ta），2.7W（Tc） 4-Microfoot
  
  型号：SI8439DB-T1-E1
  仓库库存编号：SI8439DB-T1-E1CT-ND
  别名：SI8439DB-T1-E1CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 800mV @ 250μA,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10.7A（Ta） 1.73W（Ta） TSOT-26
  
  型号：DMN1019UVT-7
  仓库库存编号：DMN1019UVT-7DICT-ND
  别名：DMN1019UVT-7DICT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 800mV @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 8V 6A 1206-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 6A（Tc） 2.5W（Ta），6.2W（Tc） 1206-8 ChipFET?
  
  型号：SI5499DC-T1-GE3
  仓库库存编号：SI5499DC-T1-GE3CT-ND
  别名：SI5499DC-T1-GE3CT
  SI5499DCT1GE3
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 800mV @ 250μA,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 12V 9.1A 6UDFN
  详细描述：表面贴装 P 沟道 9.1A（Ta） 660mW（Ta） U-DFN2020-6（E 类）
  
  型号：DMP1022UFDE-7
  仓库库存编号：DMP1022UFDE-7DICT-ND
  别名：DMP1022UFDE-7DICT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 800mV @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 8V 12A SC70-6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 3.5W（Ta），19W（Tc） PowerPAK? SC-70-6 单
  
  型号：SIA414DJ-T1-GE3
  仓库库存编号：SIA414DJ-T1-GE3CT-ND
  别名：SIA414DJ-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 800mV @ 250μA,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 12V 9.5A U-DFN2020-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 9.5A（Ta） 730mW（Ta） U-DFN2020-6（F 类）
  
  型号：DMP1022UFDF-7
  仓库库存编号：DMP1022UFDF-7DICT-ND
  别名：DMP1022UFDF-7DICT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 800mV @ 250μA,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -20V,
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4.1A（Tc） 1.56W（Tc） SOT-23
  
  型号：TSM650P02CX RFG
  仓库库存编号：TSM650P02CX RFGTR-ND
  别名：TSM650P02CX RFGTR
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 800mV @ 250μA,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -20V,
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4.1A（Tc） 1.56W（Tc） SOT-23
  
  型号：TSM650P02CX RFG
  仓库库存编号：TSM650P02CX RFGCT-ND
  别名：TSM650P02CX RFGCT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 800mV @ 250μA,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -20V,
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4.1A（Tc） 1.56W（Tc） SOT-23
  
  型号：TSM650P02CX RFG
  仓库库存编号：TSM650P02CX RFGDKR-ND
  别名：TSM650P02CX RFGDKR
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 800mV @ 250μA,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -20V,
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4.7A（Tc） 1.56W（Tc） SOT-23
  
  型号：TSM500P02CX RFG
  仓库库存编号：TSM500P02CX RFGTR-ND
  别名：TSM500P02CX RFGTR
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 800mV @ 250μA,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -20V,
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4.7A（Tc） 1.56W（Tc） SOT-23
  
  型号：TSM500P02CX RFG
  仓库库存编号：TSM500P02CX RFGCT-ND
  别名：TSM500P02CX RFGCT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 800mV @ 250μA,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -20V,
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4.7A（Tc） 1.56W（Tc） SOT-23
  
  型号：TSM500P02CX RFG
  仓库库存编号：TSM500P02CX RFGDKR-ND
  别名：TSM500P02CX RFGDKR
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 800mV @ 250μA,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.7A（Tc） 1.56W（Tc） SOT-23
  
  型号：TSM210N02CX RFG
  仓库库存编号：TSM210N02CX RFGTR-ND
  别名：TSM210N02CX RFGTR
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 800mV @ 250μA,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.7A（Tc） 1.56W（Tc） SOT-23
  
  型号：TSM210N02CX RFG
  仓库库存编号：TSM210N02CX RFGCT-ND
  别名：TSM210N02CX RFGCT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 800mV @ 250μA,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.7A（Tc） 1.56W（Tc） SOT-23
  
  型号：TSM210N02CX RFG
  仓库库存编号：TSM210N02CX RFGDKR-ND
  别名：TSM210N02CX RFGDKR
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 800mV @ 250μA,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 2.7A 4-MICROFOOT
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.7A（Tc） 900mW（Tc） 4-MICRO FOOT?（0.8x0.8）
  
  型号：SI8823EDB-T2-E1
  仓库库存编号：SI8823EDB-T2-E1CT-ND
  别名：SI8823EDB-T2-E1CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 800mV @ 250μA,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, DUAL, N-CHANNEL, TRENCH,
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 5.8A (Tc) 620mW Surface Mount 6-TDFN (2x2)
  
  型号：TSM250N02DCQ RFG
  仓库库存编号：TSM250N02DCQ RFGTR-ND
  别名：TSM250N02DCQ RFGTR
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 800mV @ 250μA,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, DUAL, N-CHANNEL, TRENCH,
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 5.8A (Tc) 620mW Surface Mount 6-TDFN (2x2)
  
  型号：TSM250N02DCQ RFG
  仓库库存编号：TSM250N02DCQ RFGCT-ND
  别名：TSM250N02DCQ RFGCT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 800mV @ 250μA,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, DUAL, N-CHANNEL, TRENCH,
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 5.8A (Tc) 620mW Surface Mount 6-TDFN (2x2)
  
  型号：TSM250N02DCQ RFG
  仓库库存编号：TSM250N02DCQ RFGDKR-ND
  别名：TSM250N02DCQ RFGDKR
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 800mV @ 250μA,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET P-CH 20V 1.8A SC70-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 1.8A（Ta） 630mW（Ta） SC-70-6
  
  型号：AO7411
  仓库库存编号：785-1089-2-ND
  别名：785-1089-2
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 800mV @ 250μA,
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