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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 12V 9.5A 6UDFN
详细描述:表面贴装 P 沟道 9.5A(Ta) 730mW(Ta) U-DFN2020-6(F 类)
型号:
DMP1022UFDF-13
仓库库存编号:
DMP1022UFDF-13-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 800mV @ 250μA,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 12V 3.5A 6-WDFN
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.5A(Ta) 700mW(Ta) 6-WDFN(2x2)
型号:
NTLJS2103PTBG
仓库库存编号:
NTLJS2103PTBGOSCT-ND
别名:NTLJS2103PTBGOSCT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 800mV @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 8V 16A MICRO
详细描述:表面贴装 N 沟道 16A(Tc) 2.77W(Ta),13W(Tc) 6-Micro Foot?
型号:
SI8416DB-T2-E1
仓库库存编号:
SI8416DB-T2-E1-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 800mV @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 8V 3.5A SOT23-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 8V 3.5A(Ta) 1.25W(Ta) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SI2305DS-T1-E3
仓库库存编号:
SI2305DS-T1-E3CT-ND
别名:SI2305DS-T1-E3CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 800mV @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 8V 6A 1206-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 8V 6A(Tc) 2.5W(Ta),6.2W(Tc) 1206-8 ChipFET?
型号:
SI5499DC-T1-E3
仓库库存编号:
SI5499DC-T1-E3CT-ND
别名:SI5499DC-T1-E3CT
SI5499DCT1E3
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 800mV @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-TSSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 6.2A(Ta) 1.05W(Ta) 8-TSSOP
型号:
SI6463BDQ-T1-E3
仓库库存编号:
SI6463BDQ-T1-E3CT-ND
别名:SI6463BDQ-T1-E3CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 800mV @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2P-CH 12V 2.3A 8TSSOP
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 2.3A 800mW Surface Mount 8-TSSOP
型号:
SI6943BDQ-T1-E3
仓库库存编号:
SI6943BDQ-T1-E3CT-ND
别名:SI6943BDQ-T1-E3CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 800mV @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2P-CH 12V 4A 8TSSOP
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 4A 830mW Surface Mount 8-TSSOP
型号:
SI6969BDQ-T1-E3
仓库库存编号:
SI6969BDQ-T1-E3CT-ND
别名:SI6969BDQ-T1-E3CT
SI6969BDQT1E3
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 800mV @ 250μA,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 12V 3.5A 6-WDFN
详细描述:表面贴装 P 沟道 12V 3.5A(Ta) 700mW(Ta) 6-WDFN(2x2)
型号:
NTLJS2103PTAG
仓库库存编号:
NTLJS2103PTAG-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 800mV @ 250μA,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET 2P-CH 12V 2.4A 6WDFN
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 2.4A 700mW Surface Mount 6-WDFN (2x2)
型号:
NTLJD2104PTAG
仓库库存编号:
NTLJD2104PTAG-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 800mV @ 250μA,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET 2P-CH 12V 2.4A 6WDFN
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 2.4A 700mW Surface Mount 6-WDFN (2x2)
型号:
NTLJD2104PTBG
仓库库存编号:
NTLJD2104PTBG-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 800mV @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 8V 5.4A SOT23-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 8V 5.4A(Tc) 960mW(Ta),1.7W(Tc) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SI2305ADS-T1-GE3
仓库库存编号:
SI2305ADS-T1-GE3CT-ND
别名:SI2305ADS-T1-GE3CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 800mV @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 8V 1.5A PPAK SC75-6
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 8V 1.5A 3.1W Surface Mount PowerPAK? SC-75-6L Dual
型号:
SIB914DK-T1-GE3
仓库库存编号:
SIB914DK-T1-GE3CT-ND
别名:SIB914DK-T1-GE3CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 800mV @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-TSSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 6.2A(Ta) 1.05W(Ta) 8-TSSOP
型号:
SI6463BDQ-T1-GE3
仓库库存编号:
SI6463BDQ-T1-GE3CT-ND
别名:SI6463BDQ-T1-GE3CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 800mV @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 8V 3A SOT23
详细描述:表面贴装 P 沟道 8V 3A(Ta) 710mW(Ta) SOT-23-3
型号:
SI2311DS-T1-E3
仓库库存编号:
SI2311DS-T1-E3-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 800mV @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 8V 3A SOT23
详细描述:表面贴装 P 沟道 8V 3A(Ta) 710mW(Ta) SOT-23-3
型号:
SI2311DS-T1-GE3
仓库库存编号:
SI2311DS-T1-GE3-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 800mV @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET 2P-CH 12V 2.3A 8TSSOP
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 2.3A 800mW Surface Mount 8-TSSOP
型号:
SI6943BDQ-T1-GE3
仓库库存编号:
SI6943BDQ-T1-GE3-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 800mV @ 250μA,
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MOSFET 2P-CH 12V 4A 8TSSOP
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 4A 830mW Surface Mount 8-TSSOP
型号:
SI6969BDQ-T1-GE3
仓库库存编号:
SI6969BDQ-T1-GE3-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 800mV @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 8V 16A MICRO
详细描述:表面贴装 N 沟道 8V 16A(Tc) 2.77W(Ta),13W(Tc) 6-microfoot
型号:
SI8416DB-T1-GE3
仓库库存编号:
SI8416DB-T1-GE3CT-ND
别名:SI8416DB-T1-GE3CT
SI8416DBT1GE3
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 800mV @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 8V 5.4A SOT23-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 8V 5.4A(Tc) 960mW(Ta),1.7W(Tc) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SI2305ADS-T1-E3
仓库库存编号:
SI2305ADS-T1-E3CT-ND
别名:SI2305ADS-T1-E3CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 800mV @ 250μA,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 8V 4.5A MCSP1.57
详细描述:表面贴装 N 沟道 8V 4.5A(Ta) 550mW(Ta) 4-AlphaDFN(1.57x1.57)
型号:
AOC2414
仓库库存编号:
AOC2414-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 800mV @ 250μA,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 8V 3.5A 4WLCSP
详细描述:表面贴装 N 沟道 8V 3.5A(Ta) 600mW(Ta) 4-AphaDFN(0.97x0.97)
型号:
AOC2422
仓库库存编号:
AOC2422-ND
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 9A SOT96-1
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 9A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
SI4800,518
仓库库存编号:
SI4800,518-ND
别名:934056750518
SI4800 /T3
SI4800 /T3-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 800mV @ 250μA,
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