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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 170MA SOT-23
详细描述:表面贴装 P 沟道 170mA(Ta) 360mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS84PH6433XTMA1
仓库库存编号:
BSS84PH6433XTMA1CT-ND
别名:BSS84PH6433XTMA1CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 20μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 170MA SOT-23
详细描述:表面贴装 P 沟道 170mA(Ta) 360mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS84PH6327XTSA2
仓库库存编号:
BSS84PH6327XTSA2CT-ND
别名:BSS84PH6327XTSA2CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 20μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 150MA SOT-323
详细描述:表面贴装 P 沟道 150mA(Ta) 300mW(Ta) PG-SOT323-3
型号:
BSS84PWH6327XTSA1
仓库库存编号:
BSS84PWH6327XTSA1CT-ND
别名:BSS84PWH6327XTSA1CT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 20μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 2.6A 2W Surface Mount PG-DSO-8
型号:
BSO615N G
仓库库存编号:
BSO615NGINCT-ND
别名:BSO615NXTINCT
BSO615NXTINCT-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 20μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 2.6A
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.6A(Tj) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP318SH6327XTSA1
仓库库存编号:
BSP318SH6327XTSA1CT-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 20μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 30A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 46W(Tc) P-TO252-3
型号:
IPF13N03LA G
仓库库存编号:
IPF13N03LAGINCT-ND
别名:IPF13N03LAG
IPF13N03LAGINCT
IPF13N03LAINCT
IPF13N03LAINCT-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 20μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 60V 3.1A, 2A 2W Surface Mount PG-DSO-8
型号:
BSO615C G
仓库库存编号:
BSO615CINCT-ND
别名:BSO615CINCT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 20μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 5.3A TSOP-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 5.3A(Ta) 2W(Ta) PG-TSOP6-6
型号:
BSL305SPEH6327XTSA1
仓库库存编号:
BSL305SPEH6327XTSA1-ND
别名:SP000953150
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 20μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 170MA SOT-23
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 170mA(Ta) 360mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS84P-E6327
仓库库存编号:
BSS84PINCT-ND
别名:BSS84PE6327
BSS84PINCT
BSS84PXTINCT
BSS84PXTINCT-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 20μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 50A TO-251
详细描述:通孔 N 沟道 25V 50A(Tc) 63W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPU09N03LA G
仓库库存编号:
IPU09N03LAGIN-ND
别名:IPU09N03LA
IPU09N03LAGIN
IPU09N03LAGX
IPU09N03LAGXTIN
IPU09N03LAGXTIN-ND
IPU09N03LAIN
IPU09N03LAIN-ND
SP000017511
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 20μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 30A TO-251
详细描述:通孔 N 沟道 25V 30A(Tc) 46W(Tc) P-TO251-3
型号:
IPU13N03LA G
仓库库存编号:
IPU13N03LAGIN-ND
别名:IPU13N03LA
IPU13N03LAGIN
IPU13N03LAGX
IPU13N03LAGXTIN
IPU13N03LAGXTIN-ND
IPU13N03LAIN
IPU13N03LAIN-ND
SP000017538
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 20μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 50A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 25V 50A(Tc) 63W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP09N03LA
仓库库存编号:
IPP09N03LAIN-ND
别名:IPP09N03LAIN
IPP09N03LAX
IPP09N03LAX-ND
SP000014031
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 20μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 30A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 25V 30A(Tc) 46W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP14N03LA
仓库库存编号:
IPP14N03LAIN-ND
别名:IPP14N03LAIN
IPP14N03LAX
IPP14N03LAXTIN
IPP14N03LAXTIN-ND
SP000014028
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 20μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 2.6A 2W Surface Mount PG-DSO-8
型号:
BSO615N
仓库库存编号:
BSO615NINCT-ND
别名:BSO615NINCT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 20μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 50A(Tc) 63W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB09N03LA
仓库库存编号:
IPB09N03LAINTR-ND
别名:IPB09N03LAINTR
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 20μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 30A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 30A(Tc) 46W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB14N03LA
仓库库存编号:
IPB14N03LAINTR-ND
别名:IPB14N03LAINTR
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 20μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 50A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 50A(Tc) 63W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD09N03LA G
仓库库存编号:
IPD09N03LAGINCT-ND
别名:IPD09N03LAGINCT
IPD09N03LAGXTINCT
IPD09N03LAGXTINCT-ND
IPD09N03LAINCT
IPD09N03LAINCT-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 20μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 30A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 30A(Tc) 46W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD13N03LA G
仓库库存编号:
IPD13N03LAGINCT-ND
别名:IPD13N03LAG
IPD13N03LAGINCT
IPD13N03LAGXTINCT
IPD13N03LAGXTINCT-ND
IPD13N03LAINCT
IPD13N03LAINCT-ND
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 20μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 50A(Tc) 63W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB09N03LAT
仓库库存编号:
IPB09N03LAT-ND
别名:SP000016271
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 20μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 30A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 30A(Tc) 46W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB14N03LAT
仓库库存编号:
IPB14N03LAT-ND
别名:SP000016324
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 20μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 60V 3.1A, 2A 2W Surface Mount PG-DSO-8
型号:
BSO615CT
仓库库存编号:
BSO615CXTINCT-ND
别名:BSO615CXTINCT
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 20μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 30A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 13A(Ta),30A(Tc) 2.8W(Ta),43W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC106N025S G
仓库库存编号:
BSC106N025S G-ND
别名:BSC106N025SGXT
SP000095470
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 2.6A(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP318S E6327
仓库库存编号:
BSP318S E6327-ND
别名:BSP318SE6327T
SP000011112
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 20μA,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 170MA SOT-23
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 170mA(Ta) 360mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS84P E6433
仓库库存编号:
BSS84P E6433-ND
别名:BSS84PE6433XT
SP000012323
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 20μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 50A(Tc) 63W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB09N03LA G
仓库库存编号:
IPB09N03LA G-ND
别名:IPB09N03LAGXT
SP000068859
规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 20μA,
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