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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 30A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 25V 30A（Tc） 52W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPU10N03LA G
  仓库库存编号：IPU10N03LA G-ND
  别名：IPU10N03LAGX
  SP000017597
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 20μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 30A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 11.9A（Ta），30A（Tc） 2.8W（Ta），43W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC119N03S G
  仓库库存编号：BSC119N03SGINCT-ND
  别名：BSC119N03SG
  BSC119N03SGINCT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 20μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 60V 170MA SOT-23
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 170mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
  
  型号：BSS84PL6327HTSA1
  仓库库存编号：BSS84PL6327HTSA1CT-ND
  别名：BSS84PL6327
  BSS84PL6327INCT
  BSS84PL6327INCT-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 20μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 60V 150MA SOT-323
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 150mA（Ta） 300mW（Ta） PG-SOT323-3
  
  型号：BSS84PW
  仓库库存编号：BSS84PWINCT-ND
  别名：BSS84PWINCT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 20μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 30A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 30A（Tc） 52W（Tc） P-TO263-3
  
  型号：IPB13N03LB G
  仓库库存编号：IPB13N03LBGINCT-ND
  别名：IPB13N03LBG
  IPB13N03LBGINCT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 20μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 30A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 30A（Tc） 52W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD12N03LB G
  仓库库存编号：IPD12N03LBGINCT-ND
  别名：IPD12N03LBG
  IPD12N03LBGINCT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 20μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 2.6A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP318SL6327HTSA1
  仓库库存编号：BSP318SL6327HTSA1CT-ND
  别名：BSP318SL6327
  BSP318SL6327INCT
  BSP318SL6327INCT-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 20μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 60V 150MA SOT-323
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 150mA（Ta） 300mW（Ta） PG-SOT323-3
  
  型号：BSS84PW L6327
  仓库库存编号：BSS84PW L6327-ND
  别名：SP000247312
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 20μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 60V 0.17A SOT23
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 170mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
  
  型号：BSS84PH6327XTSA1
  仓库库存编号：BSS84PH6327XTSA1-ND
  别名：BSS84P H6327
  BSS84P H6327-ND
  SP000702496
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 20μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 50A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 50A（Tc） 56W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB075N04LGATMA1
  仓库库存编号：IPB075N04LGATMA1CT-ND
  别名：IPB075N04L GCT
  IPB075N04L GCT-ND
  IPB075N04LG
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 20μA,
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