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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 350MA SC-75A
  详细描述：表面贴装 P 沟道 350mA（Ta） 150mW（Ta） SC-75A
  
  型号：SI1013R-T1-GE3
  仓库库存编号：SI1013R-T1-GE3CT-ND
  别名：SI1013R-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 450mV @ 250μA（最小）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 350MA SC89-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 350mA（Ta） 250mW（Ta） SC-89-3
  
  型号：SI1013X-T1-GE3
  仓库库存编号：SI1013X-T1-GE3CT-ND
  别名：SI1013X-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 450mV @ 250μA（最小）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2P-CH 20V 0.37A SC89-6
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 370mA 250mW Surface Mount SC-89-6
  
  型号：SI1023X-T1-GE3
  仓库库存编号：SI1023X-T1-GE3CT-ND
  别名：SI1023X-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 450mV @ 250μA（最小）,
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• Micro Commercial Co
  MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT-23
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.8A（Ta） 1.25W（Ta） SOT-23
  
  型号：SI2301-TP
  仓库库存编号：SI2301-TPMSCT-ND
  别名：SI2301-TPMSCT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 450mV @ 250μA（最小）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 8V 8TSSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 1.5W（Ta） 8-TSSOP
  
  型号：SI6469DQ-T1-GE3
  仓库库存编号：SI6469DQ-T1-GE3-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 450mV @ 250μA（最小）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 350MA SC-75A
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 350mA（Ta） 150mW（Ta） SC-75A
  
  型号：SI1013R-T1-E3
  仓库库存编号：SI1013R-T1-E3CT-ND
  别名：SI1013R-T1-E3CT
  SI1013RT1E3
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 450mV @ 250μA（最小）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 350MA SC89-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 350mA（Ta） 250mW（Ta） SC-89-3
  
  型号：SI1013X-T1-E3
  仓库库存编号：SI1013X-T1-E3CT-ND
  别名：SI1013X-T1-E3CT
  SI1013XT1E3
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 450mV @ 250μA（最小）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2P-CH 20V 0.37A SOT563F
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 370mA 250mW Surface Mount SC-89-6
  
  型号：SI1023X-T1-E3
  仓库库存编号：SI1023X-T1-E3CT-ND
  别名：SI1023X-T1-E3CT
  SI1023XT1E3
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 450mV @ 250μA（最小）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 12V 0.87A SOT563F
  详细描述：表面贴装 P 沟道 12V 870mA（Ta） 170mW（Ta） SC-89-6
  
  型号：SI1039X-T1-E3
  仓库库存编号：SI1039X-T1-E3CT-ND
  别名：SI1039X-T1-E3CT
  SI1039XT1E3
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 450mV @ 250μA（最小）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 8V 0.86A SOT323-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 8V 860mA（Ta） 290mW（Ta） SC-70-3
  
  型号：SI1305DL-T1-E3
  仓库库存编号：SI1305DL-T1-E3CT-ND
  别名：SI1305DL-T1-E3CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 450mV @ 250μA（最小）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 8V 0.86A SOT323-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 8V 860mA（Ta） 290mW（Ta） SC-70-3
  
  型号：SI1305EDL-T1-E3
  仓库库存编号：SI1305EDL-T1-E3CT-ND
  别名：SI1305EDL-T1-E3CT
  SI1305EDLT1E3
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 450mV @ 250μA（最小）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 12V 0.85A SOT323-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 12V 850mA（Ta） 290mW（Ta） SC-70-3
  
  型号：SI1307EDL-T1-E3
  仓库库存编号：SI1307EDL-T1-E3CT-ND
  别名：SI1307EDL-T1-E3CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 450mV @ 250μA（最小）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 2.9A SC70-6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 2.9A（Ta） 1W（Ta） SC-70-6（SOT-363）
  
  型号：SI1410EDH-T1-E3
  仓库库存编号：SI1410EDH-T1-E3CT-ND
  别名：SI1410EDH-T1-E3CT
  SI1410EDHT1E3
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 450mV @ 250μA（最小）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 12V 2.7A SC70-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 12V 2.7A（Ta） 1W（Ta） SC-70-6（SOT-363）
  
  型号：SI1417EDH-T1-E3
  仓库库存编号：SI1417EDH-T1-E3CT-ND
  别名：SI1417EDH-T1-E3CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 450mV @ 250μA（最小）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2P-CH 8V 0.57A SC70-6
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 8V 570mA 270mW Surface Mount SC-70-6 (SOT-363)
  
  型号：SI1905DL-T1-E3
  仓库库存编号：SI1905DL-T1-E3CT-ND
  别名：SI1905DL-T1-E3CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 450mV @ 250μA（最小）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 6TSOP
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 20V 2.5A, 570mA 830mW, 83mW Surface Mount 6-TSOP
  
  型号：SI3588DV-T1-E3
  仓库库存编号：SI3588DV-T1-E3CT-ND
  别名：SI3588DV-T1-E3CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 450mV @ 250μA（最小）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2P-CH 20V 1.8A 6TSOP
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 1.8A 830mW Surface Mount 6-TSOP
  
  型号：SI3911DV-T1-E3
  仓库库存编号：SI3911DV-T1-E3CT-ND
  别名：SI3911DV-T1-E3CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 450mV @ 250μA（最小）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 3.5A 1206-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 3.5A（Ta） 1.3W（Ta） 1206-8 ChipFET?
  
  型号：SI5447DC-T1-E3
  仓库库存编号：SI5447DC-T1-E3CT-ND
  别名：SI5447DC-T1-E3CT
  SI5447DCT1E3
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 450mV @ 250μA（最小）,
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  MOSFET P-CH 20V 3.8A 1206-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 3.8A（Ta） 1.25W（Ta） 1206-8 ChipFET?
  
  型号：SI5463EDC-T1-E3
  仓库库存编号：SI5463EDC-T1-E3CT-ND
  别名：SI5463EDC-T1-E3CT
  SI5463EDCT1E3
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 450mV @ 250μA（最小）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 3.5A 1206-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 3.5A（Ta） 1.3W（Ta） 1206-8 ChipFET?
  
  型号：SI5447DC-T1-GE3
  仓库库存编号：SI5447DC-T1-GE3CT-ND
  别名：SI5447DC-T1-GE3CT
  SI5447DCT1GE3
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 450mV @ 250μA（最小）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 12V 0.87A SC89
  详细描述：表面贴装 P 沟道 12V 870mA（Ta） 170mW（Ta） SC-89-6
  
  型号：SI1039X-T1-GE3
  仓库库存编号：SI1039X-T1-GE3CT-ND
  别名：SI1039X-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 450mV @ 250μA（最小）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 8V 0.86A SC-70-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 8V 860mA（Ta） 290mW（Ta） SC-70-3
  
  型号：SI1305DL-T1-GE3
  仓库库存编号：SI1305DL-T1-GE3CT-ND
  别名：SI1305DL-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 450mV @ 250μA（最小）,
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  MOSFET P-CH 12V 0.85A SC-70-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 12V 850mA（Ta） 290mW（Ta） SC-70-3
  
  型号：SI1307EDL-T1-GE3
  仓库库存编号：SI1307EDL-T1-GE3CT-ND
  别名：SI1307EDL-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 450mV @ 250μA（最小）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 12V 2.7A SC-70-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 12V 2.7A（Ta） 1W（Ta） SC-70-6（SOT-363）
  
  型号：SI1417EDH-T1-GE3
  仓库库存编号：SI1417EDH-T1-GE3CT-ND
  别名：SI1417EDH-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 450mV @ 250μA（最小）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 6-TSOP
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 20V 2.5A, 570mA 830mW, 83mW Surface Mount 6-TSOP
  
  型号：SI3588DV-T1-GE3
  仓库库存编号：SI3588DV-T1-GE3CT-ND
  别名：SI3588DV-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 450mV @ 250μA（最小）,
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