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• Infineon Technologies
  MOSFET NCH 600V 2.6A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.6A（Tc） 5W（Tc） PG-SOT223
  
  型号：IPN60R3K4CEATMA1
  仓库库存编号：IPN60R3K4CEATMA1CT-ND
  别名：IPN60R3K4CEATMA1CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 40μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 1.7A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.7A（Tc） 18.1W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD60R3K3C6ATMA1
  仓库库存编号：IPD60R3K3C6ATMA1CT-ND
  别名：IPD60R3K3C6ATMA1CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 40μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 700V 8.2A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 22.7W（Tc） PG-TO251
  
  型号：IPS70R1K4P7SAKMA1
  仓库库存编号：IPS70R1K4P7SAKMA1-ND
  别名：SP001499706
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 40μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 700V 8.2A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Tc） 23W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD70R1K4P7SAUMA1
  仓库库存编号：IPD70R1K4P7SAUMA1CT-ND
  别名：IPD70R1K4P7SAUMA1CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 40μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 700V 4A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Tc） 6.2W（Tc） PG-SOT223
  
  型号：IPN70R1K4P7SATMA1
  仓库库存编号：IPN70R1K4P7SATMA1CT-ND
  别名：IPN70R1K4P7SATMA1CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 40μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.5A（Tc） 22W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD80R2K4P7ATMA1
  仓库库存编号：IPD80R2K4P7ATMA1CT-ND
  别名：IPD80R2K4P7ATMA1CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 40μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO251-3
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 2.5A（Tc） 22W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPU80R2K4P7AKMA1
  仓库库存编号：IPU80R2K4P7AKMA1-ND
  别名：SP001644612
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 40μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO251-3
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 2.5A（Tc） 22W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPS80R2K4P7AKMA1
  仓库库存编号：IPS80R2K4P7AKMA1-ND
  别名：SP001644624
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 40μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH TO-252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 2.6A（Tc） 29W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD60R3K4CEAUMA1
  仓库库存编号：IPD60R3K4CEAUMA1-ND
  别名：SP001422856
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 40μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 13A 2WDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 13A（Ta），50A（Tc） 2.8W（Ta）, 42W（Tc） MG-WDSON-2，CanPAK M?
  
  型号：BSB104N08NP3GXUSA1
  仓库库存编号：BSB104N08NP3GXUSA1-ND
  别名：SP001164330
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 40μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 9A WDSON-2
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 9A（Ta），40A（Tc） 2.2W（Ta），43W（Tc） MG-WDSON-2，CanPAK M?
  
  型号：BSF134N10NJ3 G
  仓库库存编号：BSF134N10NJ3 GCT-ND
  别名：BSF134N10NJ3 GCT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 40μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 1.7A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 1.7A（Tc） 18.1W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD60R3K3C6
  仓库库存编号：IPD60R3K3C6CT-ND
  别名：IPD60R3K3C6CT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 40μA,
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