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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 80V 40A 8TSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Tc） 700mW（Ta），42W（Tc） 8-TSON Advance（3.3x3.3）
  
  型号：TPN13008NH,L1Q
  仓库库存编号：TPN13008NHL1QCT-ND
  别名：TPN13008NHL1QCT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 200μA,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 60V 14A 8-SOP ADV
  详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Ta） 1.6W（Ta），32W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
  
  型号：TPH14006NH,L1Q
  仓库库存编号：TPH14006NHL1QCT-ND
  别名：TPH14006NHL1QCT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 200μA,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 60V 26A 8TSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 26A（Tc） 700mW（Ta），42W（Tc） 8-TSON Advance（3.3x3.3）
  
  型号：TPN7R506NH,L1Q
  仓库库存编号：TPN7R506NHL1QCT-ND
  别名：TPN7R506NHL1QCT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 200μA,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 100V 17A 8TSON-ADV
  详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Tc） 700mW（Ta），42W（Tc） 8-TSON Advance（3.3x3.3）
  
  型号：TPN1600ANH,L1Q
  仓库库存编号：TPN1600ANHL1QCT-ND
  别名：TPN1600ANHL1QCT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 200μA,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 150V 9A 8TSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Ta） 700mW（Ta），39W（Tc） 8-TSON Advance（3.3x3.3）
  
  型号：TPN5900CNH,L1Q
  仓库库存编号：TPN5900CNHL1QCT-ND
  别名：TPN5900CNHL1QCT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 200μA,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 250V 5.6A 8TSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.6A（Ta） 700mW（Ta），39W（Tc） 8-TSON Advance（3.3x3.3）
  
  型号：TPN2010FNH,L1Q
  仓库库存编号：TPN2010FNHL1QCT-ND
  别名：TPN2010FNHL1QCT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 200μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 120A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 250W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP015N04NGXKSA1
  仓库库存编号：IPP015N04NGXKSA1-ND
  别名：IPP015N04N G
  IPP015N04N G-ND
  IPP015N04NG
  SP000680760
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 200μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB015N04N G
  仓库库存编号：IPB015N04N GCT-ND
  别名：IPB015N04N GCT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 200μA,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 60V 30A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 25W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK30A06N1,S4X
  仓库库存编号：TK30A06N1S4X-ND
  别名：TK30A06N1,S4X(S
  TK30A06N1,S4X-ND
  TK30A06N1S4X
  
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 60V 43A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 43A（Ta） 53W（Tc） TO-220
  
  型号：TK30E06N1,S1X
  仓库库存编号：TK30E06N1S1X-ND
  别名：TK30E06N1,S1X(S
  TK30E06N1S1X
  
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 180A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-7-3
  
  型号：IPB011N04NGATMA1
  仓库库存编号：IPB011N04NGATMA1CT-ND
  别名：IPB011N04NGATMA1CT
  
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 150V 9A 8SOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Ta） 1.6W（Ta），42W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
  
  型号：TPH5900CNH,L1Q
  仓库库存编号：TPH5900CNHL1QCT-ND
  别名：TPH5900CNHL1QCT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 200μA,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 60V 13A 8TSON-ADV
  详细描述：表面贴装 N 沟道 13A（Ta） 700mW（Ta），30W（Tc） 8-TSON Advance（3.3x3.3）
  
  型号：TPN14006NH,L1Q
  仓库库存编号：TPN14006NHL1QCT-ND
  别名：TPN14006NHL1QCT
  
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 250V 5.6A 8SOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.6A（Ta） 1.6W（Ta），42W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
  
  型号：TPH2010FNH,L1Q
  仓库库存编号：TPH2010FNHL1QCT-ND
  别名：TPH2010FNHL1QCT
  
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 200V 7.2A 8TSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7.2A（Ta） 700mW（Ta），39W（Tc） 8-TSON Advance（3.3x3.3）
  
  型号：TPN1110ENH,L1Q
  仓库库存编号：TPN1110ENHL1QCT-ND
  别名：TPN1110ENHL1QCT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 200μA,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 200V 7.2A 8SOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 7.2A（Ta） 1.6W（Ta），42W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
  
  型号：TPH1110ENH,L1Q
  仓库库存编号：TPH1110ENHL1QCT-ND
  别名：TPH1110ENHL1QCT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 200μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 70A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 70A（Tc） 79W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP048N04NGXKSA1
  仓库库存编号：IPP048N04NGXKSA1-ND
  别名：IPP048N04N G
  IPP048N04N G-ND
  IPP048N04NG
  SP000648308
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 200μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 120A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB120N06S4H1ATMA2
  仓库库存编号：IPB120N06S4H1ATMA2-ND
  别名：SP001028782
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 200μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V BARE DIE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 2A（Tj） 带箔切割晶片
  
  型号：IPC218N04N3X1SA1
  仓库库存编号：IPC218N04N3X1SA1-ND
  别名：SP000448986
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 200μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 180A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-7-3
  
  型号：IPB180N06S4H1ATMA2
  仓库库存编号：IPB180N06S4H1ATMA2-ND
  别名：SP001028786
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 200μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 120A（Tc） 250W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP120N06S4H1AKSA2
  仓库库存编号：IPP120N06S4H1AKSA2-ND
  别名：SP001028780
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 200μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 120A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB120N06S4H1ATMA1
  仓库库存编号：IPB120N06S4H1ATMA1TR-ND
  别名：IPB120N06S4-H1
  IPB120N06S4-H1-ND
  SP000396274
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 200μA,
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  MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 180A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-7-3
  
  型号：IPB180N06S4H1ATMA1
  仓库库存编号：IPB180N06S4H1ATMA1TR-ND
  别名：IPB180N06S4-H1
  IPB180N06S4-H1-ND
  SP000415562
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 200μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 120A（Tc） 250W（Tc） PG-TO262-3-1
  
  型号：IPI120N06S4H1AKSA1
  仓库库存编号：IPI120N06S4H1AKSA1-ND
  别名：IPI120N06S4-H1
  IPI120N06S4-H1-ND
  SP000415620
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 200μA,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 50A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 50A（Tc） 68W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP065N04N G
  仓库库存编号：IPP065N04N G-ND
  别名：IPP065N04NG
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 200μA,
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