以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 63A 8SOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 1.6W（Ta），36W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
  
  型号：TPH4R003NL,L1Q
  仓库库存编号：TPH4R003NLL1QCT-ND
  别名：TPH4R003NLL1QCT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.3V @ 200μA,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 30V 23A 8TSON-ADV
  详细描述：表面贴装 N 沟道 23A（Ta） 700mW（Ta），22W（Tc） 8-TSON Advance（3.3x3.3）
  
  型号：TPN4R203NC,L1Q
  仓库库存编号：TPN4R203NCL1QCT-ND
  别名：TPN4R203NCL1QCT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.3V @ 200μA,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 50A DP TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Ta） 47W（Tc） DP
  
  型号：TK50P03M1(T6RSS-Q)
  仓库库存编号：TK50P03M1(T6RSSQ)CT-ND
  别名：TK50P03M1(T6RSSQ)CT
  TK50P03M1T6RSSQ
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.3V @ 200μA,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 30V 27A 8TSON-ADV
  详细描述：表面贴装 N 沟道 27A（Tc） 700mW（Ta），32W（Tc） 8-TSON Advance（3.3x3.3）
  
  型号：TPN6R003NL,LQ
  仓库库存编号：TPN6R003NLLQCT-ND
  别名：TPN6R003NLLQCT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.3V @ 200μA,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 30V 19A 8SOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 19A（Ta） 1W（Tc） 8-SOP
  
  型号：TP86R203NL,LQ
  仓库库存编号：TP86R203NLLQCT-ND
  别名：TP86R203NLLQCT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.3V @ 200μA,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 63A 8TSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 700mW（Ta），34W（Tc） 8-TSON Advance（3.3x3.3）
  
  型号：TPN4R303NL,L1Q
  仓库库存编号：TPN4R303NLL1QCT-ND
  别名：TPN4R303NLL1QCT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.3V @ 200μA,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 15A 8SOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Ta） 1W（Ta） 8-SOP
  
  型号：TPC8092,LQ(S
  仓库库存编号：TPC8092LQ(S-ND
  别名：TPC8092LQ(S
  TPC8092LQS
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.3V @ 200μA,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 30V 20A 8TSON-ADV
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta） 700mW（Ta），19W（Tc） 8-TSON Advance（3.3x3.3）
  
  型号：TPN6R303NC,LQ
  仓库库存编号：TPN6R303NCLQCT-ND
  别名：TPN6R303NCLQCT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.3V @ 200μA,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 30V 38A 8SOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 38A（Tc） 1.6W（Ta），34W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
  
  型号：TPH6R003NL,LQ
  仓库库存编号：TPH6R003NLLQCT-ND
  别名：TPH6R003NLLQCT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.3V @ 200μA,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 13A 8SOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 13A（Ta） 1W（Ta） 8-SOP
  
  型号：TPC8065-H,LQ(S
  仓库库存编号：TPC8065-HLQ(S-ND
  别名：TPC8065-HLQ(S
  TPC8065HLQS
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.3V @ 200μA,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 16A 8SOP-ADV
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 16A（Ta） 1.6W（Ta），25W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
  
  型号：TPCA8065-H,LQ(S
  仓库库存编号：TPCA8065-HLQ(S-ND
  别名：TPCA8065-HLQ(S
  TPCA8065HLQS
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.3V @ 200μA,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 20A 8SOP-ADV
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 20A（Ta） 1.6W（Ta），32W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
  
  型号：TPCA8064-H,LQ(CM
  仓库库存编号：TPCA8064-HLQ(CM-ND
  别名：TPCA8064-HLQ(CM
  TPCA8064HLQCM
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.3V @ 200μA,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 40V 20A 8SOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta） 1.6W（Ta），30W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
  
  型号：TPCA8052-H(TE12LQM
  仓库库存编号：TPCA8052-H(TE12LQMCT-ND
  别名：TPCA8052-H(TE12LQMCT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.3V @ 200μA,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 13A 8TSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 13A（Ta） 700mW（Ta），22W（Tc） 8-TSON
  
  型号：TPCC8003-H(TE12LQM
  仓库库存编号：TPCC8003-H(TE12LQMCT-ND
  别名：TPCC8003-H(TE12LQMCT
  TPCC8003HTE12LQM
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.3V @ 200μA,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 22A（Ta） 700mW（Ta），27W（Tc） 8-TSON
  
  型号：TPCC8006-H(TE12LQM
  仓库库存编号：TPCC8006-H(TE12LQMCT-ND
  别名：TPCC8006-H(TE12LQMCT
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.3V @ 200μA,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 40V 40A 3DP 2-7K1A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 40A（Ta） 47W（Tc） DP
  
  型号：TK40P04M1(T6RSS-Q)
  仓库库存编号：TK40P04M1(T6RSS-Q)-ND
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.3V @ 200μA,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 45A DPAK-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 45A（Ta） DPAK
  
  型号：TK45P03M1,RQ(S
  仓库库存编号：TK45P03M1RQ(S-ND
  别名：TK45P03M1RQ(S
  TK45P03M1RQS
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.3V @ 200μA,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 13A 8TSON-ADV
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 13A（Ta） 700mW（Ta），18W（Tc） 8-TSON Advance（3.3x3.3）
  
  型号：TPCC8065-H,LQ(S
  仓库库存编号：TPCC8065-HLQ(S-ND
  别名：TPCC8065-HLQ(S
  TPCC8065HLQS
  
  规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.3V @ 200μA,
• 
  
  无铅
• 搜索