品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) -,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 1A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC302NE7N3X1SA1
仓库库存编号:
IPC302NE7N3X1SA1-ND
别名:SP000840426
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 1A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC302N10N3X1SA1
仓库库存编号:
IPC302N10N3X1SA1-ND
别名:SP000476916
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 120V BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 120V 1A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC26N12NX1SA1
仓库库存编号:
IPC26N12NX1SA1-ND
别名:SP000296743
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 1A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC302N15N3X1SA1
仓库库存编号:
IPC302N15N3X1SA1-ND
别名:SP000875892
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 1A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC300N15N3RX1SA2
仓库库存编号:
IPC300N15N3RX1SA2-ND
别名:SP001049344
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 120V BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 120V 1A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC302N12N3X1SA1
仓库库存编号:
IPC302N12N3X1SA1-ND
别名:SP000717450
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 1A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC302N20N3X1SA1
仓库库存编号:
IPC302N20N3X1SA1-ND
别名:SP000619656
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 1A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC302N25N3X1SA1
仓库库存编号:
IPC302N25N3X1SA1-ND
别名:SP000870638
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 1A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC302N20NFDX1SA1
仓库库存编号:
IPC302N20NFDX1SA1-ND
别名:SP001363494
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 1A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC302N25N3AX1SA1
仓库库存编号:
IPC302N25N3AX1SA1-ND
别名:SP000691616
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 21A SUPER D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 21A(Ta) SUPER D2-PAK
型号:
IRFBL3315
仓库库存编号:
IRFBL3315-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) -,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 7.7A TO-220FP
详细描述:通孔 P 沟道 100V 7.7A(Ta) TO-220AB 整包
型号:
IRFI9530N
仓库库存编号:
IRFI9530N-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) -,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 54A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 54A(Tc) D2PAK
型号:
IRL3103D2S
仓库库存编号:
IRL3103D2S-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) -,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 54A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 54A(Tc) D2PAK
型号:
IRL3103D2STRL
仓库库存编号:
IRL3103D2STRL-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) -,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 24A TO-262
详细描述:通孔 P 沟道 20V 24A(Tc) TO-262
型号:
IRL5602L
仓库库存编号:
IRL5602L-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) -,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 24A TO-220AB
详细描述:通孔 P 沟道 20V 24A(Tc) TO-220AB
型号:
IRL5602
仓库库存编号:
IRL5602-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) -,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 75A SOT223
详细描述:通孔 N 沟道 30V 75A(Ta) SOT-223
型号:
IRLL1503
仓库库存编号:
IRLL1503-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) -,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V D2PAK
型号:
IRF3314STRR
仓库库存编号:
IRF3314STRR-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) -,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 4.3A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 4.3A(Ta) 8-SO
型号:
IRF7203TR
仓库库存编号:
IRF7203TR-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) -,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 8-SO
型号:
IRF7423TR
仓库库存编号:
IRF7423TR-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) -,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 8-SO
型号:
IRF7426TR
仓库库存编号:
IRF7426TR-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) -,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET
详细描述:MOSFET
型号:
IRFC2604B
仓库库存编号:
IRFC2604B-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) -,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3-11
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 50A(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD5N03LAG
仓库库存编号:
IPD5N03LAGINCT-ND
别名:IPD5N03LAGINCT
IPDH5N03LAGINCT
IPDH5N03LAGINCT-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 20A(Ta),50A(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC042N03ST
仓库库存编号:
BSC042N03ST-ND
别名:SP000014715
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) -,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 19A(Ta),89A(Tc) P-TDSON-8
型号:
BSC059N03ST
仓库库存编号:
BSC059N03ST-ND
别名:SP000014717
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) -,
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