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• IXYS
  MOSFET N-CH 250V 62A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 62A（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ62N25T
  仓库库存编号：IXTQ62N25T-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 200V 72A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 72A（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ72N20T
  仓库库存编号：IXTQ72N20T-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 300V 44A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 44A（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH44N30T
  仓库库存编号：IXTH44N30T-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 250V 62A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 62A（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH62N25T
  仓库库存编号：IXTH62N25T-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 200V 72A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 72A（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH72N20T
  仓库库存编号：IXTH72N20T-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 7.6A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 7.6A（Tc） TO-220ABFP
  
  型号：IXKP20N60C5M
  仓库库存编号：IXKP20N60C5M-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
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• EPC
  TRANS GAN 200V 8.5A BUMPED DIE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8.5A（Ta） 模具
  
  型号：EPC2019ENG
  仓库库存编号：917-1055-1-ND
  别名：917-1055-1
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 300V 54A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 54A（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ54N30T
  仓库库存编号：IXTQ54N30T-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
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• M/A-Com Technology Solutions
  DIODE PIN HMIC SURMOUNT
  详细描述：RF Diode PIN - Single 115V
  
  型号：MADP-030015-13140G
  仓库库存编号：1465-1069-ND
  别名：1465-1069
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
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• EPC
  TRANS GAN 80V 60A BUMPED DIE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Ta） 模具
  
  型号：EPC2021ENGR
  仓库库存编号：917-EPC2021ENGRCT-ND
  别名：917-EPC2021ENGRCT
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 300V 54A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 54A（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH54N30T
  仓库库存编号：IXTH54N30T-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 200V 86A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 86A（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH86N20T
  仓库库存编号：IXTH86N20T-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 20A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXKP20N60C5
  仓库库存编号：IXKP20N60C5-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 150V 120A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ120N15T
  仓库库存编号：IXTQ120N15T-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 300V 60A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 60A（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ60N30T
  仓库库存编号：IXTQ60N30T-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
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  MOSFET N-CH 200V 98A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 98A（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ98N20T
  仓库库存编号：IXTQ98N20T-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
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  MOSFET N-CH 600V 20A TO-247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） TO-247AD（IXKH）
  
  型号：IXKH20N60C5
  仓库库存编号：IXKH20N60C5-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 150V 120A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH120N15T
  仓库库存编号：IXTH120N15T-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 300V 60A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 60A（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH60N30T
  仓库库存编号：IXTH60N30T-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 200V 98A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 98A（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH98N20T
  仓库库存编号：IXTH98N20T-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
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  MOSFET N-CH 600V 24A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXKP24N60C5
  仓库库存编号：IXKP24N60C5-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 8.5A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 8.5A（Tc） TO-220ABFP
  
  型号：IXKP24N60C5M
  仓库库存编号：IXKP24N60C5M-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
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• Fairchild/Micross Components
  DIE MOSFET P-CH 100V
  详细描述：表面贴装 模具
  
  型号：PCFQ5P10W
  仓库库存编号：PCFQ5P10W-DIE-ND
  别名：FCPCFQ5P10W
  FCPCFQ5P10W-ND
  PCFQ5P10W-DIE
  PCFQ5P10W-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 250V 102A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 102A（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ102N25T
  仓库库存编号：IXTQ102N25T-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
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  MOSFET N-CH 300V 72A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 72A（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ72N30T
  仓库库存编号：IXTQ72N30T-ND
  
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