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• EPC
  TRANS GAN 300V 4A BUMPED DIE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 300V 4A（Ta） 模具剖面（12 焊条）
  
  型号：EPC2025ENGR
  仓库库存编号：917-EPC2025ENGR-ND
  别名：917-EPC2025ENGR
  EPC2025ENGRC
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 35A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 35A（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXKP35N60C5
  仓库库存编号：IXKP35N60C5-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
• 无铅
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 26A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 26A（Tc） TO-3P
  
  型号：IXFQ26N50Q
  仓库库存编号：IXFQ26N50Q-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 26A TO-30
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 26A（Tc） TO-3P
  
  型号：IXFQ26N50
  仓库库存编号：IXFQ26N50-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
• 无铅
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 24A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 24A（Tc） TO-3P
  
  型号：IXFQ24N50Q
  仓库库存编号：IXFQ24N50Q-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
• 无铅
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• EPC
  TRANS GAN 40V 60A BUMPED DIE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 60A（Ta） 模具
  
  型号：EPC2024ENG
  仓库库存编号：917-EPC2024ENG-ND
  别名：917-EPC2024ENG
  EPC2024ENGRC3
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 1000V ISOPLUS247?
  
  型号：IXFR15N100P
  仓库库存编号：IXFR15N100P-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
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• IXYS
  MOSFET N-CH ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 ISOPLUS247?
  
  型号：IXFR16N80P
  仓库库存编号：IXFR16N80P-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
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• EPC
  TRANS GAN 40V 3.8A BUMPED DIE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 3.8A（Ta） 模具
  
  型号：EPC8007ENGR
  仓库库存编号：917-EPC8007ENGR-ND
  别名：917-EPC8007ENGR
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
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  无铅
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• GeneSiC Semiconductor
  TRANS SJT 1200V 6A TO-247AB
  详细描述：通孔 1200V 6A（Tc）（90°C） TO-247AB
  
  型号：GA06JT12-247
  仓库库存编号：1242-1165-ND
  别名：1242-1165
  GA06JT12247
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 13A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 13A（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXFR13N50
  仓库库存编号：IXFR13N50-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 200V 75A D2PAK
  详细描述：MOSFET N-CH 200V 75A D2PAK
  
  型号：IXTT75N20L2
  仓库库存编号：IXTT75N20L2-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 21A I4-PAC-5
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 21A（Tc） ISOPLUS i4-PAC?
  
  型号：FMD21-05QC
  仓库库存编号：FMD21-05QC-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 28A ISOPLUS220
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 28A（Tc） ISOPLUS220?
  
  型号：IXKC40N60C
  仓库库存编号：IXKC40N60C-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 23A TO-268(D3)
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 23A（Tc） TO-268
  
  型号：IXFQ23N60Q
  仓库库存编号：IXFQ23N60Q-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
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  MOSFET N-CH 1000V 1.5A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1000V 1.5A（Tc） 8-SOIC
  
  型号：IXT-1-1N100S1
  仓库库存编号：IXT-1-1N100S1-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 800V ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 800V ISOPLUS247?
  
  型号：IXFR9N80Q
  仓库库存编号：IXFR9N80Q-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1200V ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 1200V ISOPLUS247?
  
  型号：IXFR12N120P
  仓库库存编号：IXFR12N120P-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
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  MOSFET N-CH 75V 170A PLUS220
  详细描述：通孔 N 沟道 75V 175A（Tc） PLUS220
  
  型号：IXUV170N075
  仓库库存编号：IXUV170N075-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 75V 170A PLUS220-S
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 175A（Tc） PLUS-220SMD
  
  型号：IXUV170N075S
  仓库库存编号：IXUV170N075S-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 300V ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 300V ISOPLUS247?
  
  型号：IXFR52N30Q
  仓库库存编号：IXFR52N30Q-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 1000V 12A（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH12N100Q
  仓库库存编号：IXTH12N100Q-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
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  MOSFET N-CH 200V 90A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 90A（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXFR90N20
  仓库库存编号：IXFR90N20-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 21A I4-PAC-5
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 21A（Tc） ISOPLUS i4-PAC?
  
  型号：FDM21-05QC
  仓库库存编号：FDM21-05QC-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
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  MOSFET N-CH 800V 25A ISOPLUS220
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 25A（Tc） ISOPLUS220?
  
  型号：IXKC25N80C
  仓库库存编号：IXKC25N80C-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
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