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• EPC
  TRANS GAN 40V 2.7A BUMPED DIE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 2.7A（Ta） 模具
  
  型号：EPC8008ENGR
  仓库库存编号：917-EPC8008ENGR-ND
  别名：917-EPC8008ENGR
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
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  无铅
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• SparkFun Electronics
  7-SEGMENT DISPLAY - 6.5\" (RED)
  详细描述：Character LED Display Module Red 7-Segment 1 Character Common Cathode 12V 20mA 6.535" H x 4.4094" W (166.00mm x 112.00mm)
  
  型号：COM-08530
  仓库库存编号：COM-08530-ND
  别名：8530
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
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• Skyworks Solutions Inc.
  DIODE PIN ATTENUATOR/SWITCH
  详细描述：RF Diode PIN - Single 50V 200mA Chip
  
  型号：APD0505-219
  仓库库存编号：APD0505-219-ND
  别名：Q6614291
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
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  无铅
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 47A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 47A（Tc） TO-247AD（IXKH）
  
  型号：IXKH47N60C
  仓库库存编号：IXKH47N60C-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 5A DIE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1000V 5A（Tc） 模具
  
  型号：IXTD5N100A
  仓库库存编号：IXTD5N100A-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 38A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 38A（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXKR40N60C
  仓库库存编号：IXKR40N60C-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
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• EPC
  TRANS GAN 65V 2.9A BUMPED DIE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 65V 2.9A（Ta） 模具
  
  型号：EPC8005ENGR
  仓库库存编号：917-EPC8005ENGR-ND
  别名：917-EPC8005ENGR
  EPC8005ENGH
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
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  无铅
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• EPC
  TRANS GAN 65V 2A BUMPED DIE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 65V 2A（Ta） 模具
  
  型号：EPC8002ENGR
  仓库库存编号：917-EPC8002ENGR-ND
  别名：917-EPC8002ENGR
  EPC8002ENGI
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
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• EPC
  TRANS GAN 100V 2.7A BUMPED DIE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 2.7A（Ta） 模具
  
  型号：EPC8010ENGR
  仓库库存编号：917-EPC8010ENGR-ND
  别名：917-EPC8010ENGR
  EPC8010ENGJ
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
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• EPC
  TRANS GAN 100V 2.5A BUMPED DIE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 2.5A（Ta） 模具
  
  型号：EPC8003ENGR
  仓库库存编号：917-EPC8003ENGR-ND
  别名：917-EPC8003ENGR
  EPC8003ENGK
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
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  无铅
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 38A I4-PAC-5
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 41A（Tc） ISOPLUS i4-PAC?
  
  型号：IXKF40N60SCD1
  仓库库存编号：IXKF40N60SCD1-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 38A I4-PAC-5
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 38A（Tc） ISOPLUS i4-PAC?
  
  型号：FMD40-06KC
  仓库库存编号：FMD40-06KC-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 300V 140A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 300V 140A（Tc） TO-264（IXTK）
  
  型号：IXTK140N30P
  仓库库存编号：IXTK140N30P-ND
  别名：Q4597844
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
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  MOSFET P-CH 600V 68A TO-268
  详细描述：表面贴装 P 沟道 600V 68A（Tc） TO-268
  
  型号：IXKT70N60C5
  仓库库存编号：IXKT70N60C5-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
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  MOSFET P-CH 200V 120A PLUS247
  详细描述：通孔 P 沟道 200V 120A（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXTX120P20T
  仓库库存编号：IXTX120P20T-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
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  MOSFET P-CH 200V 120A TO-264
  详细描述：通孔 P 沟道 200V 120A（Tc） TO-264（IXTK）
  
  型号：IXTK120P20T
  仓库库存编号：IXTK120P20T-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
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  MOSFET N-CH 900V 25A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 25A（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXFR25N90
  仓库库存编号：IXFR25N90-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
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  MOSFET N-CH 100V ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 100V ISOPLUS247?
  
  型号：IXFR75N10Q
  仓库库存编号：IXFR75N10Q-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 47A I4-PAC-5
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 47A（Tc） ISOPLUS i4-PAC?
  
  型号：FDM47-06KC5
  仓库库存编号：FDM47-06KC5-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 47A I4-PAC-5
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 47A（Tc） ISOPLUS i4-PAC?
  
  型号：FMD47-06KC5
  仓库库存编号：FMD47-06KC5-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 50A SMPD
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 50A（Tc） ISOPLUS-SMPD?.B
  
  型号：MKE38RK600DFELB-TRR
  仓库库存编号：MKE38RK600DFELB-TRR-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
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  MOSFET N-CH 500V 55A TO-264AA
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 55A（Tc） ISOPLUS264?
  
  型号：IXFL55N50
  仓库库存编号：IXFL55N50-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
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  MOSFET N-CH 600V 50A SMPD
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 50A（Tc） ISOPLUS-SMPD?.B
  
  型号：MKE38RK600DFELB
  仓库库存编号：MKE38RK600DFELB-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 900V ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 900V ISOPLUS247?
  
  型号：IXFR24N90Q
  仓库库存编号：IXFR24N90Q-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 200V ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 200V ISOPLUS247?
  
  型号：IXFR90N20Q
  仓库库存编号：IXFR90N20Q-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
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