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• Infineon Technologies
  DIODE RF SW 50V 50MA SOT-23
  详细描述：RF Diode PIN - Single 50V 50mA PG-SOT23-3
  
  型号：BA885E6327HTSA1
  仓库库存编号：BA885E6327HTSA1TR-ND
  别名：BA 885 E6327
  BA 885 E6327-ND
  BA885E6327BTSA1
  BA885E6327XT
  SP000010151
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V SAWN BARE DIE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 2A（Tj） 带箔切割晶片
  
  型号：IPC014N03L3X1SA1
  仓库库存编号：IPC014N03L3X1SA1-ND
  别名：SP000454346
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
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• Infineon Technologies
  RF DIODE SCHOTTKY 4V SOT23-3
  详细描述：RF Diode Schottky - 1 Pair Series Connection 4V 110mA PG-SOT23-3
  
  型号：BAT1504RE6152HTSA1
  仓库库存编号：BAT1504RE6152HTSA1-ND
  别名：SP000960186
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V SAWN BARE DIE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 1A（Tj） 带箔切割晶片
  
  型号：IPC022N03L3X1SA1
  仓库库存编号：IPC022N03L3X1SA1-ND
  别名：SP000904026
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V SAWN BARE DIE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 1A（Tj） 带箔切割晶片
  
  型号：IPC020N10L3X1SA1
  仓库库存编号：IPC020N10L3X1SA1-ND
  别名：SP001006962
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V SAWN BARE DIE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 2A（Tj） 带箔切割晶片
  
  型号：IPC028N03L3X1SA1
  仓库库存编号：IPC028N03L3X1SA1-ND
  别名：SP000555720
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V SAWN BARE DIE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 1A（Tj） 带箔切割晶片
  
  型号：IPC042N03L3X1SA1
  仓库库存编号：IPC042N03L3X1SA1-ND
  别名：SP000448976
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V SAWN BARE DIE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 1A（Tj） 带箔切割晶片
  
  型号：IPC045N10L3X1SA1
  仓库库存编号：IPC045N10L3X1SA1-ND
  别名：SP001187424
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V SAWN BARE DIE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 1A（Tj） 带箔切割晶片
  
  型号：IPC045N10N3X1SA1
  仓库库存编号：IPC045N10N3X1SA1-ND
  别名：SP000900304
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V SAWN BARE DIE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 1A（Tj） 带箔切割晶片
  
  型号：IPC055N03L3X1SA1
  仓库库存编号：IPC055N03L3X1SA1-ND
  别名：SP000448980
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 51A TO-262
  详细描述：MOSFET N-CH 55V 51A TO-262
  
  型号：AUIRLZ44ZL
  仓库库存编号：AUIRLZ44ZL-ND
  别名：SP001518950
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V BARE DIE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 1A（Tj） 带箔切割晶片
  
  型号：IPC173N10N3X1SA1
  仓库库存编号：IPC173N10N3X1SA1-ND
  别名：SP000899314
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
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  MOSFET N-CH 55V 91A IPAK
  详细描述：MOSFET N-CH 55V 91A IPAK
  
  型号：AUIRFU1010Z
  仓库库存编号：AUIRFU1010Z-ND
  别名：SP001516086
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
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  MOSFET N CH 40V 195A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 195A（Tc） TO-220-3
  
  型号：IRFB7434GPBF
  仓库库存编号：IRFB7434GPBF-ND
  别名：SP001577770
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V BARE DIE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 1A（Tj） 带箔切割晶片
  
  型号：IPC171N04NX1SA1
  仓库库存编号：IPC171N04NX1SA1-ND
  别名：SP000300150
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V BARE DIE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 2A（Tj） 带箔切割晶片
  
  型号：IPC218N04N3X1SA1
  仓库库存编号：IPC218N04N3X1SA1-ND
  别名：SP000448986
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
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  MOSFET N-CH 60V BARE DIE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 3A（Tj） 带箔切割晶片
  
  型号：IPC218N06L3X1SA1
  仓库库存编号：IPC218N06L3X1SA1-ND
  别名：SP000476924
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
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  MOSFET N-CH 60V BARE DIE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 3A（Tj） 带箔切割晶片
  
  型号：IPC218N06N3X1SA2
  仓库库存编号：IPC218N06N3X1SA2-ND
  别名：SP000544188
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
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  MOSFET N-CH 80V BARE DIE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 1A（Tj） 带箔切割晶片
  
  型号：IPC302N08N3X1SA1
  仓库库存编号：IPC302N08N3X1SA1-ND
  别名：SP000476912
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
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  MOSFET N-CH 75V BARE DIE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 1A（Tj） 带箔切割晶片
  
  型号：IPC302NE7N3X1SA1
  仓库库存编号：IPC302NE7N3X1SA1-ND
  别名：SP000840426
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
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  MOSFET N-CH 100V BARE DIE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 1A（Tj） 带箔切割晶片
  
  型号：IPC302N10N3X1SA1
  仓库库存编号：IPC302N10N3X1SA1-ND
  别名：SP000476916
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
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  MOSFET N-CH 120V BARE DIE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120V 1A（Tj） 带箔切割晶片
  
  型号：IPC26N12NX1SA1
  仓库库存编号：IPC26N12NX1SA1-ND
  别名：SP000296743
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
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  MOSFET N-CH 150V BARE DIE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 1A（Tj） 带箔切割晶片
  
  型号：IPC302N15N3X1SA1
  仓库库存编号：IPC302N15N3X1SA1-ND
  别名：SP000875892
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
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  MOSFET N-CH 150V BARE DIE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 1A（Tj） 带箔切割晶片
  
  型号：IPC300N15N3RX1SA2
  仓库库存编号：IPC300N15N3RX1SA2-ND
  别名：SP001049344
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
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  MOSFET N-CH 120V BARE DIE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120V 1A（Tj） 带箔切割晶片
  
  型号：IPC302N12N3X1SA1
  仓库库存编号：IPC302N12N3X1SA1-ND
  别名：SP000717450
  
  规格：功率耗散（最大值） -,
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